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      • Cr₂O₃感濕素子를 利用한 計數型 濕度計의 設計

        金德奎 慶北工業專門大學 1978 論文集 Vol.15 No.-

        By using the Cr₂O₃humidity sensor, digital hygrometer has been designed, which has rapid response, good linearity and 0.1%-high resolution from 20% to 85% of relative humidity range. It can be used as the device for measuring of controlling the humidity in laboratories, microwave ovens, etc.

      • KCI등재

        저온 AlN 중간층을 이용하여 성장한 GaN 층의 1차 GaN 두께에 따른 광학적 특성

        김덕규 한국물리학회 2009 New Physics: Sae Mulli Vol.58 No.5

        유기화학기상증착법으로 저온 AlN 중간층을 이용하여 Si(111) 기판위에 GaN 박막을 성장하고 저온 AlN 중간층 아래의 1차 GaN 두께에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 1차 GaN 두께에 따라 GaN 층의 donor bound exciton(I2) 피크 위치와 반치폭이 민감하게 변함을 알 수 있었다. Donor bound exciton 피크의 변화는 stress에 의한 균열 밀도 변화와 관련 있음을 확인하였다. 저온 AlN 중간층 0.4 μm 두께에서 가장 좋은 특성을 얻었으며 11 K에서 19.2 meV의 반치폭을 갖는 강한 발광 피크를 보였다. GaN layers were grown on silicon (111) substrates with low-temperature (LT) AlN interlayers by using metalorganic vapor phase epitaxy, and the variations in the optical properties of the GaN layers with 1st GaN layer's thickness were investigated. The peak position and the full width at half maximum (FWHM) of the donor bound exciton (I2) of the GaN layers changed sensitively with the thickness of the first GaN layer. The shift of the donor bound exciton peak was relative to the crack density due to heavy stress. For the 0.4-μm-thick 1st GaN layer, a strong band-edge emission of the GaN layer on Si (111) was observed with a full width at half maximum of the bound exciton line being as low as 19.2 meV at 11 K.

      • KCI등재

        RF magnetron sputtering 법으로 제조한 ZnO 박막에 대한 증착온도의 영향

        김덕규 한국물리학회 2008 New Physics: Sae Mulli Vol.56 No.2

        ZnO thin films were deposited at various deposition temperatures by using RF magnetron sputtering, and their properties were investigated. A high-quality thin film was obtained by controlling the deposition temperature, and the influence of the deposition temperature on the ZnO thin film was confirmed. Through X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectrometer and light transmittance measurements, ZnO thin film deposited at 450 $^\circ$C exhibited the best properties. Especially, the composition ratio of the ZnO thin film deposited at 450 $^\circ$C was Zn : O = 1 : 1.0592 close to 1 : 1, and light transmittance had a high value of 79.5 \% in the ultraviolet region ($<$400 nm). RF magnetron sputtering 법을 이용하여 ZnO 박막을 증착 온도에 따라 증착하고 박막의 특성을 연구하였다. ZnO 박막의 증착온도를 통해 고품질 박막을 증착할 수 있었고 ZnO 박막에 대한 증착온도의 영향을 확인하였다. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectrometer, 투과도 분석 결과 450 $^\circ$C 에서 증착한 ZnO 박막이 가장 좋은 특성을 나타냈다. 특히, 450 $^\circ$C 에서 증착한 ZnO 박막의 성분비는 Zn : O = 1 : 1.0592 로 1 : 1 에 가장 가까운 특성을 보였으며, 투과도는 자외선 ($<$ 400 nm) 영역에서 79.5 \% 로 높은 투과도를 나타내었다.

      • KCI등재

        Si (111) 기판위에 성장한 GaN 박막층에 대한 AlN 버퍼층의 영향

        김덕규 한국물리학회 2007 New Physics: Sae Mulli Vol.55 No.1

        GaN layers were grown on silicon (111) substrates with AlN buffer layers by using metalorganic vapor phase epitaxy, and the variations in the properties of the GaN layers with the thickness of the AlN buffer layer were investigated. Increasing the AlN thickness was found to decrease the stress sufficiently to avoid crack formation in an overgrown, thick (2.6 $\mu$m) GaN layer. X-ray diffraction and photoluminescence measurements were used to determine the influence of the AlN thickness on the strain in subsequent GaN layers. For 80-nm-thick AIN, the full width at half maximum of the (002) X-ray rocking curve was 437 arcsec, and the full width at half maximum of the bound exciton line was as low as 40 meV at 300 K. 유기화학기상증착 장비를 이용하여 Si (111) 기판위에 GaN 층을 성장 시키고 AlN 버퍼층 두께에 따른 그 특성을 연구하였다. AlN 버퍼 두께 조절을 통해 2.6 $\mu$m 두께의 GaN 층에 발생하는 균열을 상당히 감소시킬 수 있었다. X-ray diffraction 과 photoluminescence 측정을 통해 GaN 층에 대한 AlN 버퍼층의 영향을 확인하였다. AlN 80-nm 두께에서, (002) X-ray rocking curve 의 full width at half maximum 측정 결과 437 arcsec 의 좋은 결정성을 갖는 박막을 얻었고 photoluminescence 측정 결과 300 K 에서 40 meV 의 full width at half maximum 을 얻었다.

      • KCI등재

        Si (111) 기판위에 성장한 GaN 층의 저온 AlN 중간층 두께에 따른 특성

        김덕규 한국물리학회 2008 New Physics: Sae Mulli Vol.57 No.4

        GaN layers were grown on silicon (111) substrates with low-temperature (LT) AlN interlayers by using metalorganic vapor-phase epitaxy, and the properties of the GaN layers were investigated for various LT AlN interlayer thicknesses. With LT AlN interlayer, cracks in the GaN layer changed sensitively. For 10-nm-thick LT AlN, the density of cracks was 5/cm, the full width at half maximum of the (002) X-ray rocking curve was 651 arcsec, and the full width at half maximum of the bound exciton line was as low as 38.1 meV at 300 K. 유기화학기상증착법으로 저온 AlN 중간층을 이용하여 Si (111) 기판위에 GaN 박막을 성장하고 저온 AlN 중간층 두께에 따른 특성을 연구하였다. 저온 AlN 중간층 두께에 따라 GaN 층의 균열이 민감하게 변함을 알 수 있었고 10 nm 두께에서 균열밀도 5/cm 의 가장 적은 균열을 얻었다. 또한, (002) X-ray rocking curve 의 full width at half maximum 측정 결과 651 arcsec 의 결정성을 갖는 박막을 얻었고 photoluminescence 측정 결과 300 K 에서 38.1 meV 의 full width at half maximum 을 얻었다.

      • KCI등재

        Si (111) 기판위에 성장한 GaN 층의 저온 AlN 중간층 두께에 따른 광학적 특성

        김덕규 한국물리학회 2008 New Physics: Sae Mulli Vol.57 No.5

        GaN layers were grown on silicon (111) substrates with low-temperature (LT) AlN interlayers by using metalorganic vapor phase epitaxy, and the optical properties of GaN layers were investigated as functions of the LT AlN interlayer's thickness. By changeing the thickness of the LT AlN, we could sensitively change the peak position and the full width at half maximum (FWHM) of the donor bound exciton (I$_2$) of the GaN layers. The shift in the donor bound exciton peak was relative to the crack density due to heavy stress. In the 10-nm-thick LT AlN, a strong band-edge emission, with a full width at half maximum of the bound exciton line being as low as 21.1 mev at 11 K, was observed from the GaN layer on Si(111). 유기화학기상증착법으로 저온 AlN 중간층을 이용하여 Si (111) 기판위에 GaN 박막을 성장하고 저온 AlN 중간층 두께에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 AlN 중간층 두께에 따라 GaN 층의 donor bound exciton (I$_2$) 피크 위치와 반치폭이 민감하게 변함을 알 수 있었다. Donor bound exciton 피크의 변화는 stress 에 의한 균열 밀도 변화와 관련 있음을 확인하였다. 저온 AlN 중간층 10 nm 두께에서 가장 좋은 특성을 얻었으며 11 K에서 21.1 meV 의 반치폭을 갖는 강한 발광 피크를 보였다.

      • KCI등재

        As 소스 확산법을 이용하여 GaAs 기판과 Si 기판위에 제조한 p형 ZnO 박막의 특성

        김덕규 한국물리학회 2009 New Physics: Sae Mulli Vol.58 No.5

        We used the rf-sputtering method to deposit an undoped ZnO thin film on GaAs and Si substrates, and we used As sources, based on the ampoule-tube method, for thermal diffusion at 650℃. Both substrates exhibited p-type characteristics. Specially, the p-type ZnO thin film on GaAs showed a resistivity of 9.77×10-3Ωcm, a carrier concentration of 5.68 × 1019/cm3, and a mobility of 11.2 cm2/Vs. These outstanding characteristics were confirmed. These results are thought to be due to diffusion of As atom from the GaAs substrate into the ZnO thin film. RF-Sputtering법을 이용하여 undoped ZnO 박막을 GaAs 기판과 Si 기판위에 증착하고, As 소스를 사용하여 650℃에서 열확산하였다. 두 기판 모두 p-type 특성을 나타내었다. 특히, GaAs 기판을 이용한 p-type ZnO 박막에서 비저항 9.77 × 10−3Ωcm, 캐리어 농도 5.68 ×1019/cm3 그리고 이동도 11.2 cm2/Vs로 매우 우수한 특성을 확인하였다. Si 기판에 비해 GaAs 기판의 샘플의 우수한 특성은 기판에 존재하는 As 원자가 ZnO 박막 쪽으로 확산하여 발생한 것으로 판단된다.

      • KCI등재

        저온 AlN 중간층 이용하여 성장한 GaN 층의 1차 GaN 두께에 따른 특성

        김덕규 한국물리학회 2008 New Physics: Sae Mulli Vol.57 No.6

        GaN layers were grown on silicon (111) substrates with low-temperature (LT) AlN interlayers by using metalorganic vapor phase epitaxy, and the properties of the GaN layers as a function of the 1st GaN layer's thickness were investigated. For variious tkickness of the 1st GaN layer, the density of cracks in the GaN layer changed sensitively. For 0.2-$\mu$m-thick 1st GaN Layer, the density of cracks was 30/cm, the full width at half maximum of the (002) X-ray rocking curve was 686 arcsec, and the full width at half maximum of the bound exciton line was as low as 46.1 meV at 300 K. 유기화학기상증착법으로 저온 AlN 중간층을 이용하여 Si(111) 기판위에 GaN 박막을 성장하고 저온 AlN 중간층 아래의 1차 GaN 두께에 따른 특성을 연구하였다. 1차 GaN 두께에 따라 GaN 층의 균열이 민감하게 변함을 알 수 있었고 0.2 $\mu$m 두께에서 균열밀도 30/cm 의 가장 적은 균열을 얻었다. 또한, (002) X-ray rocking curve 의 full width at half maximum 측정 결과 686 arcsec 의 결정성을 갖는 박막을 얻었고 photoluminescence 측정 결과 300 K 에서 46.1 meV 의 full width at half maximum 을 얻었다.

      • 품앗이 팀워크

        김덕규 한국공학교육학회 2009 Ingenium(人材니움) Vol.16 No.1

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