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      • KCI등재

        복합전 중심의 함정 전투체계 효과측정 연구

        송영일 ( Young Gil Song ) 국방대학교 안보문제연구소 2010 국방연구 Vol.53 No.1

        해군 전투함정은 작전환경 특성상 공중, 수상 및 수중 등 3차원에서 위협을 받으며, 최악의 경우 순차적이 아닌 동시다발적으로 공격을 받을 수 있는 상황에 직면할 수 있다. 특히, 북한은 함정 및 항공기의 무장능력 측면에서 한국군 보다 열세에 있지만, 규모측면에서 수십 배에 이르는 척(대)수를 보유하고 있다. 이에 따라 북한의 공격 또한 이러한 수적 우세의 장점을 살려 동시 다발적인 공격을 감행할 것으로 판단된다. 이러한 상황에 적극 대응하기 위해 해군 전투함정의 전투체계는 다중위협에 대비하여 탐지장비에서부터 무장연결에 이르는 전 과정을 통합화하는 체계로 발전하고 있으며, 운용자 및 지휘관의 신속·정확한 판단능력이 중요한 요소로 작용되고 있다. 본 연구는 현 해군 전투함정의 핵심세력이라 할 수 있는 구축함 급 함정전투체계를 운용하는 요원 및 지휘관의 지휘통제 소요시간이 함정의 임무 성공에 미치는 영향을 시뮬레이션을 활용하여 분석하였다. 즉, 복합전 상황하에서 함정 전투체계의 운용효과를 정량적으로 분석하였으며, 시뮬레이션 전장환경을 한반도 주변해역으로 설정하여 보다 현실적으로 DDH 함정의 위협대응 효과도를 산출하였다. 또한, 함정 전투체계의 운용 효과도를 향상 시킬 수 있는 방안을 MOPs 자료구조 분석을 통해 교육·훈련 분야, 조직·장비 분야 및 운용전술 분야 등에서 정책적인 개선방안을 제시하였다. This paper is analysing that how the DDH class battleship combat system`s requiring command & control time, which is operated by commander and staves, affects successful mission completion by simulation. We investigate operational effect of battleship combat system under the composite warfare with quantitative analysis and calculated the effect of DDH`s threat countermeasure. By setting up the circumstances of simulation in Korean peninsula sea area, we pursue the realistic results. Furthermore, so as to improve the effectiveness of battleship combat system, we suggest systematic improvement methods in various fields such as educations & exercises, organizations & equipments and operational tactics etc., through the MOP`s analysis.

      • KCI등재

        Ti/Ir 전극을 이용한 절삭유의 COD<sub>Cr</sub> 제거에 관한 연구

        정영빈 ( Young-been Jeong ),장성호 ( Seong-ho Jang ),양승빈 ( Seung-bin Yang ),김고은 ( Go-eun Kim ),서정민 ( Jeong-min Suh ),송영채 ( Young-chae Song ),정병길 ( Byung-gil Jung ) 한국수처리학회 2016 한국수처리학회지 Vol.24 No.6

        An electrochemical treatment has a great efficiency in removal of non-biodegradable material and it has high applicability in wastewater treatment due to a short operating time. Insoluble electrode used in electrochemical water treatment process is mainly manufactured through the platinum metal oxide coating process on the Ti substrate. The purpose of this study using electrochemical treatment with Ti/Ir(Titanium/Iridium) electrode is to provide fundamental data of Soluble Cutting Fluids treatment in COD<sub>Cr</sub>. The result as follows. Experimental data in relation to applied voltage and concentration of NaCl are outlined. Under the condition of no addition of NaCl, changing on applied voltage as 15 V, 20 V, 25 V for 60 mins, the removal rates of COD<sub>Cr</sub> were 57.14%, 75.71% and 71.43%(40 mins) for each voltage. The removal rates of COD<sub>Cr</sub> increased with increasing the applied voltage and these experimental results show that removal rate of COD<sub>Cr</sub> at the each concentration of NaCl increased with increasing the concentration of NaCl.

      • 그리드 컴퓨팅 환경에서 성능지수를 사용한 작업할당 기법

        김영균 ( Young-gyun Kim ),조금원 ( Kum Won Cho ),송영덕 ( Young-duk Song ),나정수 ( Jeong-su Na ),고순흠 ( Soon-heum Ko ),오길호 ( Gil-ho Oh ) 한국정보처리학회 2005 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.12 No.1

        본 논문에서는 그리드 컴퓨팅 환경에서 연산자원의 성능지수를 사용한 작업할당 기법에 관해 연구하였다. 제안한 연산자원의 성능지수를 사용한 작업할당 기법은 작업을 할당하기 전에 작업을 할당하기 위한 연산자원(프로세서)의 성능지수를 구하고, 이를 바탕으로 작업할당을 수행한다. 연산자원의 성능지수를 사용한 작업 할당 기법은 동적으로 변화하는 그리드 컴퓨팅 환경에서 보다 더 효과적인 작업할당 방법이다. 성능지수를 고려한 작업할당 방법이 고려하지 않은 방법에 비해 3 차원 Euler 방정식을 이용한 CFD 연산 작업의 연산시간을 단축함을 K*Grid 환경에서 실험으로 확인하였다.

      • 그리드 컴퓨팅 환경에서의 작업 마이크레이션의 설계 및 구현

        김영균(Young-Gyun Kim),조금원(Kum Won Cho),송영덕(Young-Duk Song),고순흠(Soom-Heum Go),나정수(Jeong-su Na),오길호(Gil-Ho Oh) 한국정보과학회 2005 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.32 No.1

        본 논문에서는 Cactus와 Globus를 사용하는 그래드 컴퓨팅 환경에서 작업 마이그레이션(Job Migration)에 대해 연구 하였다. 그리드 컴퓨팅은 고속의 네트워크로 연결된 다중의 사이트에 분산되어 있는 연산 자원들을 활용하는 것으로서, 연산 자원들의 효율적인 이용이 중요하다. 연산자원의 효율적인 이용의 한 방법으로서 작업 마이크레이션은 이동 에이전트, 부하 균등화, 결함 허용 등을 위해 사용될 수 있다. 본 논문에는 한 사이트에서 실행중인 연산 작업이 중단된 경우, 유휴한 다른 사이트의 연산자원으로 이동한 후 체크포인팅 파일을 이용하여 중단된 지점부터 복구하여 연산을 계속 수행하도록 하는 연구를 수행하였다. K*Grid 환경에서 연산시간을 효과적으로 단축함을 실험으로 확인하였다. 보다 동적인 그리드 컴퓨팅에서 결함허용, 연산자원의 효율적인 이용 방법으로 사용될 수 있다.

      • 예제 기반 대화 시스템을 위한 양태 분류

        김민정,홍금원,송영,이연수,이도길,임해창,Kim, Min-Jeong,Hong, Gum-Won,Song, Young-In,Lee, Yeon-Soo,Lee, Do-Gil,Rim, Hae-Chang 대한음성학회 2008 말소리 Vol.68 No.-

        An example-based dialogue system tries to utilize many <user utterance - system response> pairs which are stored in a dialogue database. The most important part of the example-based dialogue system is to find the most similar utterance to user's input utterance. Modality, which is characterized as conveying the speaker's involvement in the propositional content of a given utterance, is one of the core sentence features. For example, the sentence "I want to go to school." has a modality of hope. In this paper, we have proposed a modality classification system which can predict sentence modality in order to improve the performance of example-based dialogue systems. We also define a modality tag set for a dialogue system, and validate this tag set using a rule-based modality classification system. Experimental results show that our modality tag set and modality classification system improve the performance of an example-based dialogue system.

      • KCI등재

        Sendust와 Mn-Zn Ferrite를 이용한 PCB로부터의 전자파 방사 억제용 전파흡수체 개발

        윤상길(Sang-Gil Yoon),김동일(Dong Il Kim),송영만(Young-Man Song),박수훈(Soo-Hoon Park) 한국전자파학회 2008 한국전자파학회논문지 Vol.19 No.2

        본 논문에서는 Sendust와 Mn-Zn ferrite를 이용하여 2.4 ㎓ ISM 대역 PCB 노이즈 제거용 전파흡수체를 설계 및 제작하였다. Sendust와 Mn-Zn ferrite를 바인더인 CPE와 혼합하여 조성비별 전파흡수체 샘플을 제작하였고, 이를 분석한 결과 최적의 조성비가 Sendust : Mn-Zn ferrte : CPE=70:5:20 wt.%임을 확인하였다. 전파흡수체 샘플로부터 계산되어진 재료 정수를 이용하여 두께에 따른 흡수능의 변화를 시뮬레이션 하였으며, 시뮬레이션 결과를 토대로 전파흡수체를 실제작하여 전파 흡수능을 비교, 분석하였다. 그 결과, 시뮬레이션 결과와 실측정 결과는 잘 일치하였으며, 중심 주파수 2.4 ㎓에서 흡수능 5.4 ㏈, 1.4~4.1 ㎓ 대역에서 3 ㏈ 이상의 흡수능을 보였으며, 이때 두께는 0.85 ㎜이었다. In this paper, we designed and fabricated the EM wave absorber consists of Sendust and Mn-Zn ferrite for suppressing EM wave noise from PCB in ISM(Industrial, Scientific and Medical) band of 2.4 ㎓. We fabricated several samples in different ratios of Sendust to Mn-Zn ferrite with CPE(Chlorinated Ploy-ethylene) as binder and confirmed that optimum composition ratio of absorbing materials was Sendust : Mn-Zn ferrite : CPE=70:5:20 wt.%. The absorbing abilities were simulated according to different thickness of EM wave absorber as the function of material constants calculated by measured data. Measured absorption ability was analyzed and compared with simulated result. The simulated result agree well with the measured ones. As a result, the developed EM wave absorber with thickness of 0.85 ㎜ has absorption ability of 5.4 ㏈ at 2.4 ㎓ and over 3 ㏈ in frequency rage of 1.4~4.1 ㎓.

      • SCOPUSKCI등재

        Composite Target으로 증착된 Ti-silicide의 현성에 관한 연구[II]

        최진석,백수현,송영,심태언,이종길,Choi, Jin-Seog,Paek, Su-Hyon,Song, Young-Sik,Sim, Tae-Un,Lee, Jong-Gil 한국재료학회 1991 한국재료학회지 Vol.1 No.4

        Composite $TiSi_{2.6}$ target으로 부터 Ti-silicide를 형성시 단결정 Si기판과 다결정 Si내의 dopant의 확산 거동, 그리고 Ti-silicide 박막의 표면 거칠기를 secondary ion mass spectrometry (SIMS), 4-point probe, X-선 회절 분석, 표면 거칠기 측정을 통해 조사하였다. X-선 회절 분석결과 중착된 직후의 중착막은 비정질이었고, 단결정 Si기판에 증착된 막은 $800^{\circ}C$에서 20초간 급속 열처리 시 orthorhombic $TiSi_2$(C54 구조)로 결정화가 이루어졌다. 단결정 Si 기판과 다결정 Si에서 Ti-silicide 충으로의 dopant의내부 확산은 거의 발생하지 않았으며, 주입된 불순물들은 Ti-silicide/Si 계면 근처의 단결정 Si이나 다결정 Si 내부에 존재하고 있었다. 또한 형성된 Ti-silicide 박막의 표면 거칠기는 16-22nm이었다. The surface roughnesses of titanium silicide films and the diffusion behaviours of dopants in single crystal and polycrystalline silicon substrates durng titanium silicide formation by rapid thermal annealing(RTA) of sputter deposited Ti-filicide film from the composite $TiSi_{2.6}$ target were investigated by the secondary ion mass spectrometry(SIMS), a four-point probe, X-ray diffraction, and surface roughness measurements. The as-deposited films were amorphous but film prepared on single silicon substrate crystallized to the orthorhombic $TiSi_2$(C54 structure) upon rapid thermal annealing(RTA) at $800^{\circ}C$ for 20sec. There was no significant out-diffusion of dopants from both single crystal and polycrystalline silicon substrate into titanum silicide layers during annealing. Most of the implanted dopants piled up near the titanium silicide/silicon interface. The surface roughnesses of titanium silicide films were in the range between 16 and 22nm.

      • SCOPUSKCI등재

        Al-1% Si층과 Ti-silicide층의 반응에 관한 연구

        황유상,백수현,송영,조현춘,최진석,정재경,김영남,심태언,이종길,이상인,Hwang, Yoo-Sang,Paek, Su-Hyon,Song, Young-Sik,Cho, Hyun-Choon,Choi, Jin-Seog,Jung, Jae-Kyoung,Kim, Young-Nam,Sim, Tae-Un,Lee, Jong-Gil,Lee, Sang-In 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.6

        Single-Si 기판과 poly-Si 기판에 각각 Ti을 sputter한 후 RTA 처리하여 안정한 TiS$i_2$를 형성하였다. 그 위에 Si이 1% 첨가된 Al-1% Si을 600nm sputter한 후 후속 열처리로서 400-60$0^{\circ}C$ 에서 30분간 $N_2$분위기로 furnace어닐링을 실시하였다. 이렇게 준비된 각 시편에 대하여 면저항 측정, Auger분석, SEM 사진으로 Al-1% Si/TiS$i_2$이중층 구조에서 Ti-silicide의 열적 안정성을 살펴 보았고, EDS 분석과 X-ray 회절 peak 분석을 통하여 Al-1% Si 층과 TiS$i_2$층의 반응으로 생긴 석출물의 성분과 상을 조사하였다. 이로 부터 다음과 같은 결과를 얻었다 Single-Si 기관에서 형성한 TiS$i_2$층은 Al-1% Si 층과 55$0^{\circ}C$에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였고, poly-Si 기판에서 형성한 TiS$i_2$층은 Al-1% Si 층과 50$0^{\circ}C$에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였는데 전반적으로 기판이 poly-Si인 경우가 반응이 더 잘 일어났고, 석출물의 크기도 비교적 컸다. 이는 poly-Si에 존재하는 grain boundary로 인해 poly-Si에서 형성된 Ti-silicide 층이single-Si 기관에서 형성된 Ti-silicide 층보다 불안정하기 때문으로 생각된다. EDS 분석에 의하여 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si로 이루어진 3상 화합물이라고 추정되었고, X-ray회절 분석에 의해 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si간의 3상 화합물인 T$i_7$A$l_5$S$i_12$로 확인되었다. Stable TiS$i_2$was formed by RTA on single-Si and on poly-Si. Subsequently, an Al-1% Si layer with 600-nm thick was deposited on top of the TiS$i_2$, Finally, the specimens were annealed for 30min at 400-60$0^{\circ}C$in $N_2$ambient. The thermal stability of Al-1% Si/TiS$i_2$bilayer and interfacial reaction were investigated by measuring sheet resistance, Auger electron spectroscopy (AES), and scanning electron microscopy (SEM). The composition and phase of precipitates formed by the reaction of Al-1% Si with Ti-silicide were studied by energy dispersive spectroscopy (EDS), X-ray diffraction (XRD). In the case of single-Si substrate the reaction of Al-1% Si layer with TiS$i_2$layer resulted in precipitates, consuming all TiS$i_2$layer at 55$0^{\circ}C$. On the other hand, the disappearance of TiS$i_2$on poly-Si occurred at 50$0^{\circ}C$ and more precipitates were formed by the reaction of Al-1% Si/TiS$i_2$on potty-Si substrate than those of the reaction on single-Si substrate. This phenomenon resulted from the fact that Ti-silicide formed on poly-Si was more unstable than on single-Si by the effect of grain boundary. By EDS analysis the precipitates were found tobe composed of Ti, Al, and Si. X-ray diffraction showed the phase of precipitates to be theT$i_7$A$l_5$S$i_12$ternary compound.

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