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광통신용 GaAs 기반 1.3 μm GaAsSb/InGaAs와 GaAsSb/InGaNAs 양자우물 레이저의 광학적특성 시뮬레이션
박승환,Park, Seoung-Hwan 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.1
Optical gain characteristics of $1.3{\mu}m$ type-II GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structures were studied using multi-band effective mass theory. The results were compared with those of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structures. In the case of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure, the energy difference between the first two subbands in the valence band is smaller than that of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure. Also, $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure shows larger optical gain than $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure. This means that GaAsSb/InGaNAs/GaAs system is promising as long-wavelength optoelectronic devices for optical communication.
Draft genome sequence of Bacteroides sp. KGMB 02408 isolated from a healthy Korean feces
유승엽,김지선,오병섭,유승우,박승환,강세원,박잠언,최승현,한국일,이근철,엄미경,서민국,김한솔,이동호,윤혁,김병용,이제희,이정숙,이주혁,Yu, Seung Yeob,Kim, Ji-Sun,Oh, Byeong Seob,Ryu, Seoung Woo,Park, Seung-Hwan,Kang, Se Won,Park, Jam-Eon,Choi, Seung-Hyeon,Han, The Microbiological Society of Korea 2019 미생물학회지 Vol.55 No.3
Bacteroides 속 균주들은 척추동물의 분변 등에서 분리된 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 건강한 한국인 분변으로부터 Bacteroides sp. KGMB 02408 균주를 분리하였으며 PacBio Sequel 플랫폼을 이용하여 Bacteroides sp. KGMB 02408 균주의 유전체서열을 분석하였다. 유전체는 G + C 구성 비율이 39.5%이고, 5,005개의 유전자와 rRNA 18개 tRNA 74개로 구성되었으며, 염색체의 크기는 5,771,427 bp였다. 또한, 유전체 분석 결과를 통해 산화-환원 효소와 메나퀴논 생합성 및 그와 관련된 다양한 유전자를 발견하였다. The genus of Bacteroides has been isolated from vertebrate animal feces. Bacteroides sp. KGMB 02408 was isolated from fecal samples obtained from a healthy Korean. The wholegenome sequence of Bacteroides sp. KGMB 02408 was analyzed using the PacBio Sequel platform. The genome comprises a 5,771,427 bp chromosome with a G + C content of 39.50%, 5,005 total genes, 18 rRNA genes, and 74 tRNA genes. Furthermore, we found that strain KGMB 02408 had some genes for oxidoreductases and menaquinone biosynthesis in its genome based on the result of genome analysis.
Al 박막이 증착 된 Si(111) 기판 위에 HVPE 방법으로 성장한 GaN의 특성
신대현,백신영,이창민,이삼녕,강남룡,박승환,Shin Dae Hyun,Baek Shin Young,Lee Chang Min,Yi Sam Nyung,Kang Nam Lyong,Park Seoung Hwan 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.4
본 연구에서는 HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 방법으로 Si 위에 GaN/AIN/Al/Si 구조를 제작하고, AlN 버퍼층의 두께에 따른 광학적 특성을 조사함으로써 효과적인 eaN 성장을 위한HVPE에서의 공정 방법을 개선하고자 하였다. 이를 위해 Al을 증착한 Si 기판과 그렇지 않은 경우를 PL측정을 통해 그 효과를 관찰하였고, $5{\AA}$ 두께의 Al 대해 AlN 버퍼층의 두께를 변화시켜가면서 GaN를 성장시켜 그 특성을 조사하였다. Al을 증착한 경우가 증착하지 않은 경우에 비해 광학적 특성이 우수한 것으로 나타났으며, AlN의 두께 변화에 대해서는 양질의 GaN를 얻기 위한 최적의 두께는 약 $260{\AA}$ 인 것으로 나타났다. 이 경우 SEM을 이용한 표면사진에서 GaN의 초기성장이 hexagonal형태로 성장되고 있음을 관찰할 수 있었다. 또한 XRD의 회절 패턴은 GaN가 {0001} 방향으로 우선 배향성을 가지고 성장되고 있음을 보여주고 있었다. In this work, we tried to improve the fabrication process in HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) system by using Si(111) substrate with pre-deposited Al layer. PL measurements was done for samples with and without pre-deposited Al on Si and it was also examined the dependence of the optical characteristic properties on AlN buffer thickness for GaN/AIN/Al/Si. A sample with thin Al nucleation layer on Si substrate reveals a better optical property than the other. And it suggests that the thickness for AlN buffer layer with thin Al nucleation layer on Si(111) substrate is most proper about $260{\AA}$ to grow GaN in HVPE system. The surface morphology of GaN clearly shows the hexagonal crystallization. The XRD pattern showed strong peak at GaN{0001} direction.