공정 단계에 따른 박형 Package-on-Package 상부 패키지의 Warpage 특성 분석

박동현,정동명,오태성,Park, D.H.,Jung, D.M.,Oh, T.S. 한국마이크로전자및패키징학회 2014 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.21 No.2

박형 package-on-package의 상부 패키지에 대하여 PCB 기판, 칩본딩 및 에폭시 몰딩과 같은 공정단계 진행에 따른 warpage 특성을 분석하였다. $100{\mu}m$ 두께의 박형 PCB 기판 자체에서 $136{\sim}214{\mu}m$ 범위의 warpage가 발생하였다. 이와 같은 PCB 기판에 $40{\mu}m$ 두께의 박형 Si 칩을 die attach film을 사용하여 실장한 시편은 PCB 기판의 warpage와 유사한 $89{\sim}194{\mu}m$의 warpage를 나타내었으나, 플립칩 공정으로 Si 칩을 PCB 기판에 실장한 시편은 PCB 기판과 큰 차이를 보이는 $-199{\sim}691{\mu}m$의 warpage를 나타내었다. 에폭시 몰딩한 패키지의 경우에는 DAF 실장한 시편은 $-79{\sim}202{\mu}m$, 플립칩 실장한 시편은 $-117{\sim}159{\mu}m$의 warpage를 나타내었다. Warpage of top packages to form thin package-on-packages was measured with progress of their process steps such as PCB substrate itself, chip bonding, and epoxy molding. The $100{\mu}m$-thick PCB substrate exhibited a warpage of $136{\sim}214{\mu}m$. The specimen formed by mounting a $40{\mu}m$-thick Si chip to such a PCB using a die attach film exhibited the warpage of $89{\sim}194{\mu}m$, which was similar to that of the PCB itself. On the other hand, the specimen fabricated by flip chip bonding of a $40{\mu}m$-thick chip to such a PCB possessed the warpage of $-199{\sim}691{\mu}m$, which was significantly different from the warpage of the PCB. After epoxy molding, the specimens processed by die attach bonding and flip chip bonding exhibited warpages of $-79{\sim}202{\mu}m$ and $-117{\sim}159{\mu}m$, respectively.

N - 포밀 아스파르테임의 산화 탈포밀 반응에 의한 아스파르테임의 제조 방법

박동현,이윤식 ( Dong Hyun Park,Yoon Sik Lee ) 한국공업화학회 1990 공업화학 Vol.1 No.1

For-α-APM을 For-Asp anhydride와 Phe-OMe를 MEK, CH_3CN, 물 등의 용매를 사용하여 반응시켜 효율적으로 합성하였다. For-α-APM과 For-β-APM의 혼합물로부터 순수한 For-α-APM의 회수는 pH 4.00에서의 연속적인 분별추출로 분리 수거가 가능하였다. H_2O_2/HCl/MeOH등의 다양한 산화계를 사용하여, H_2O_2에 의한 산화방법으로 탈포밀반응을 성공적으로 수행하여 높은 수율로 아스파르테임을 얻을 수 있었다. 이때, HCl이나 TsOH와 같은 산이 H_2O_2의 분해를 억제시키고 산화능을 증대시킴으로써 탈포밀 반응의 효율을 높일 수 있었다. For-α-APM was efficiently prepared by the reaction of For-Asp anhydride and Phe-OMe in methylethylketone, CH_3CN, and in water. The selective recovery of For-α-APM from the resulting For-α-APM and For-β-APM mixture was possible via repetitive extraction at constant pH of 4.00. The oxidative deformylation was successfully performed by using several oxidants including H_2O_2/THF, sodium percarbonate, and H_2O_2/HCl/MeOH giving APM in high yields. The efficiency of the oxidative deformylation was raised in acidic condition for all the deformylation reactions.

신축 전자패키지 배선용 금속박막의 신축변형-저항 특성 II. Au, Pt 및 Cu 박막의 특성 비교

박동현,오태성,Park, Donghyun,Oh, Tae Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2017 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.24 No.3

Polydimethylsiloxane (PDMS) 기판과 금속박막 사이의 중간층으로 parylene F를 사용한 신축패키지 구조에서 Au, Pt, Cu 박막의 신축변형에 따른 저항변화를 분석하였다. Parylene F 중간층을 코팅한 PDMS 기판에 스퍼터링한 150 nm 두께의 Au 박막과 Pt 박막은 각기 $1.56{\Omega}$ 및 $5.53{\Omega}$의 초기저항을 나타내었으며, 30% 인장변형률에서 각 박막의 저항증가비 ${\Delta}R/R_o$은 각기 7 및 18로 측정되었다. Cu 박막은 $18.71{\Omega}$의 높은 초기저항을 나타내었으며 인장변형에 따라 저항이 급격히 증가하다 5% 인장변형률에서 open 되어, Au 박막과 Pt 박막에 비해 매우 열등한 신축 특성을 나타내었다. Stretchable deformation-resistance characteristics of Au, Pt, and Cu films were measured for the stretchable packaging structure where a parylene F was used as an intermediate layer between a PDMS substrate and a metal thin film. The 150 nm-thick Au and Pt films, sputtered on the parylene F-coated PDMS substrate, exhibited the initial resistances of $1.56{\Omega}$ and $5.53{\Omega}$, respectively. The resistance increase ratios at 30% tensile strain were measured as 7 and 18 for Au film and Pt film, respectively. The 150 nm-thick Cu film, sputtered on the parylene F-coated PDMS substrate, exhibited a very poor stretchability compared to Au and Pt films. Its resistance was initially $18.71{\Omega}$, rapidly increased with applying tensile deformation, and finally became open at 5% tensile strain.

신축 전자패키지 배선용 금속박막의 신축변형-저항 특성 I. Parylene F 중간층 및 PDMS 기판의 Swelling에 의한 영향

박동현,오태성,Park, Donghyun,Oh, Tae Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2017 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.24 No.3

We investigated the feasibility of parylene F usage as an intermediate layer between a polydimethylsiloxane (PDMS) substrate and an Au thin-film interconnect as well as the swelling effect of PDMS substrate on the stretchable deformability of an Au thin film. The 150-nm-thick Au film, which was sputtered on a PDMS substrate without a parylene F layer, exhibited an initial resistance of $11.7{\Omega}$ and an overflow of its resistance at a tensile strain of 12.5%. On the other hand, the Au film, which was formed with a 150-nm-thick parylene F layer, revealed an much improved resistance characteristics: $1.21{\Omega}$ as its initial resistance and $246{\Omega}$ at its 30% elongation state. With swelling of PDMS substrate, the resistance of an Au film substantially decreased to $14.4{\Omega}$ at 30% tensile strain. Polydimethylsiloxane (PDMS) 신축기판과 Au 박막 사이의 중간층으로서 parylene F의 적용 가능성을 분석하고, Au 박막의 스퍼터링 중에 발생하는 PDMS 기판의 swelling이 Au 박막의 신축변형-저항 특성에 미치는 영향을 분석하였다. Parylene F 중간층 없이 PDMS 기판에 스퍼터링한 150 nm 두께의 Au 박막은 $11.7{\Omega}$의 초기저항을 나타내었으며, 12.5%의 인장변형률에서 저항의 overflow가 발생하였다. 반면에 150 nm 두께의 parylene F 중간층을 갖는 Au 박막의 초기저항은 $1.21{\Omega}$이었으며 30% 인장변형률에서 저항이 $246{\Omega}$으로 저항증가비가 현저히 낮아졌다. PDMS 기판의 swelling이 발생함에 따라 30% 인장변형률에서 Au 박막의 저항이 $14.4{\Omega}$으로 크게 저하되었다.

Special Report - 3GPP에서의 NB-IoT 관련 표준화 동향

박동현,윤성준,권기범,Park, Dong-Hyeon,Yun, Seong-Jun,Gwon, Gi-Beom 한국정보통신기술협회 2016 TTA저널 Vol.166 No.-

0.5 vol% TiO₂ 나노분말을 분산시킨 n형 Bi₂(Te_0.9Se_0.1)₃ 가압소결체의 열전특성

박동현,오태성,Park, D.H.,Oh, T.S. 한국마이크로전자및패키징학회 2013 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.20 No.1

용해/분쇄법으로 제조한 n형 $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 분말에 0.5 vol% $TiO_2$ 나노분말을 분산시켜 가압소결 후, $TiO_2$ 나노분말의 분산이 $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 가압소결체의 열전특성에 미치는 영향을 분석하였다. $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 가압소결체는 $2.93{\times}10^{-3}/K$의 최대 성능지수 및 1.02의 최대 무차원 성능지수의 우수한 열전특성을 나타내었다. 0.5 vol% $TiO_2$ 나노분말의 첨가에 의해 $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 가압소결체의 최대 성능지수가 $2.09{\times}10^{-3}/K$로 감소하였으며, 최대 무차원 성능지수는 0.68로 저하하였다. The n-type $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ powders, which were fabricated by melting/grinding method and dispersed with 0.5 vol% $TiO_2$ nanopowders, were hot-pressed in order to investigate the effects of $TiO_2$ dispersion on the thermoelectric properties of the hot-pressed $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$. Excellent thermoelectric properties such as a maximum figure-of-merit of $2.93{\times}10^{-3}/K$ and a maximum dimensionless figure-of-merit of 1.02 were obtained for the hot-pressed $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$. With dispersion of 0.5 vol% $TiO_2$ nanopowders, the maximum figure-of-merit and the maximum dimensionless figure-of-merit decreased to $2.09{\times}10^{-3}/K$ and 0.68, respectively.

모바일제품을 위한 청각 아이콘 설계에 관한 연구

박동현,명노해,Park, Dong-Hyun,Myung, Ro-Hae 대한인간공학회 2005 大韓人間工學會誌 Vol.24 No.3

Little research has been performed regarding auditory icons even though auditory icons have great potentials as a strategy for creating informative, intuitively accessible, and unobtrusive interface. Therefore, this study was conducted to design new auditory icons through the iconic mapping for ten most frequently used mobile phone menus, and to show the usability of auditory icons. Two most familiar auditory sounds for each menu were collected and compared to the current button-pressing sound. The results show that the newly designed auditory icons had shorter recognition times, better satisfaction than the current icons. In other words, auditory icons could be an effective interface to provide a redundant feedback along with visual feedbacks in navigating mobile devices.

무전극 램프 구동용 영전압 스위칭 고주파 인버터에 관한 연구

박동현,김희준,조기연,계문호,Park, Dong-Hyun,Kim, Hee-Jun,Joe, Kee-Yun,Kye, Mun-Ho 대한전자공학회 1998 電子工學會論文誌, S Vol.s35 No.8

무전극 램프의 점등은 램프 양단에 고주파를 갖는 고전압을 인가해야 한다. 종래의 무전극 램프의 구동 회로로 선형 증폭기가 이용되어져 왔으나, 낮은 에너지 변환 효율로 인해 PWM 스위칭 방식의 인버터로 교체되고 있다. 그러나 고주파 스위칭시 인버터의 스위칭 소자에서 스위칭 손실의 증가 및 노이즈 발생의 문제로 인해 PWM 인버터는 고주파 동작이 제한된다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 영전압 스위칭 기술을 PWM 인버터에 적용하여 고주파 스위칭이 가능하게 하고, 또한 스위칭 손실과 노이즈 발생을 줄일 수 있다. 본 논문에서는 무전극 램프 구동회로로 영전압 스위칭 고주파 인버터에 대하여 동작 해석과 설계 지침 제시하였다. 또한, 실험을 통하여 해석된 결과의 타당성을 확인하였다. Driving the electrodeless fluorescent lamp, the high ac voltage with high frequency is required. The linear power amplifier has been widely used as a driving circuit of electrodeless fluorescent lamp. However, the low efficiency of the power amplifier causes the driving circuit to be replaced by a PWM switching inverter. In order to use a PWM switching inverter as the driving circuit to be replaced by a PWM switching inverter. In order to use a PWM switching inverter as the driving circuit of an electrodeless fluorescent lamp, the high switching frequency is required. But due to the switching loss at switches of the inverter, the limitation of high switching frequency appears in the inverter. One solution to this limitation is to reduce the switching loss by using the zero voltage switching technique. In this paper, zero voltage switching resonant inverter for driving an electrodeless fluorescent lamp is discussed. The results of analysis about the inverter are presented and the equations for design are established. And the validity of the analyzed results are verified through the experiment.

박형 기판을 사용한 Package-on-Package용 상부 패키지와 하부 패키지의 Warpage 분석

박동현,신수진,안석근,오태성,Park, D.H.,Shin, S.J.,Ahn, S.G.,Oh, T.S. 한국마이크로전자및패키징학회 2015 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.22 No.2

박형 package-on-package의 상부 패키지와 하부 패키지에 대하여 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)에 따른 warpage 특성을 분석하였다. 또한 동일한 EMC로 몰딩한 패키지들의 warpage 편차를 측정하고 박형 상부 기판과 하부 기판 자체의 warpage 편차를 측정함으로서, 박형 패키지에서 warpage 편차를 유발하는 원인을 분석하였다. 박형 기판을 사용한 상부 및 하부 패키지에서는 기판 자체의 큰 warpage 편차에 기인하여 EMC의 물성이 패키지의 warpage에 미치는 영향을 규명하는 것이 어려웠다. EMC의 몰딩 면적이 $13mm{\times}13mm$로 기판($14mm{\times}14mm$)의 대부분을 차지하는 상부 패키지에서는 온도에 따른 warpage의 변화 거동이 유사하였다. 반면에 EMC의 몰딩 면적이 $8mm{\times}8mm$인 하부 패키지의 경우에는 (+) warpage와 (-) warpage가 한 시편에 모두 존재하는 복합적인 warpage 거동에 기인하여 동일한 EMC로 몰딩한 패키지들에서도 상이한 온도-warpage 거동이 측정되었다. Warpage analysis has been performed for top and bottom packages of thin package-on-packages processed with different epoxy molding compounds (EMCs). Warpage deviation was measured for packages molded with the same EMCs and also the warpage deviations of top and bottom substrates themselves were characterized in order to identify the major factor causing the package warpage. For the top and bottom packages processed with thin substrates, the warpage deviation of the substrates was large, which made it difficult to figure out the effect of EMC properties on the package warpage. Top packages, where the molding area of $13mm{\times}13mm$ covered the most of the substrate area ($14mm{\times}14mm$), exhibited similar warpage behavior with changing the temperature. On the other hand, bottom packages, where the molding area was only $8mm{\times}8mm$, exhibited the complex warpage behavior due to simultaneous occurrence of (+) and (-) warpages on the same package. Accordingly, the bottom packages showed dissimilar temperature-warpage behavior even being processed with the same EMCs.

카드뮴이 뇌혈관 내피세포에서의 $PGE^2$ 및 COX-2 발현에 미치는 영향

박동현,김영채,문창규,정이숙,백은주,문창현,이수환,Park Dong-Hyun,Kim Young-Chae,Moon Chang-Kiu,Jung Yi-Sook,Baik Eun-Joo,Moon Chang-Hyun,Lee Soo-Hwan 환경독성보건학회 2006 환경독성보건학회지 Vol.21 No.3

In order to get insight into the mechanism of cadmium (Cd)-induced brain injury, we investigated the effects of Cd on the induction of COX-2 in bEnd.3 mouse brain endothelial cells. Cd induced COX-2 expression and $PGE_2$ release, which were attenuated by thiol-reducing antioxidant N-acetylcysteine (NAC) indicating oxidative components might contribute to these events. Indeed, Cd increased cellular reactive oxygen species (ROS) level and DNA binding activity of nuclear factor-kB (NF-kB), an oxidative stress sensitive transcription factor. Cd-induced $PGE_2$ production and COX-2 expression were significantly attenuated by Bay 11 7082, a specific inhibitor of NF-kB and by SB203580, a specific inhibitor of p38 mitogen activated protein kinase (MAPK). These data suggest that Cd induces COX-2 expression through activation of NF-kB and p38 MAPK, the oxidative stress-sensitive signaling molecules, in brain endothelial cells.