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김채규(Kim, Chae Gyu) 한국부동산연구원 2001 부동산연구 Vol.11 No.1
공공사업용지의 취득과 보상을 위한 우리나라 토지보상법제는 1962년에 제정된 토지수용법과 1975년에 제정된 공공용지의취득 및 손실보상에 관한 특례법으로 이원화되어 운영되어 왔다. 그러나 40여년간 커다란 변화 없이 현행 보상법제가 유지되면서 두 법간의 보상절차와 기준의 중복·비체계화, 두 법간 과다한 상호 준용규정으로 인한 법령이해 곤란, 환매권 등 동일한 제도의 상이한 운영, 용어 불일치 등 불합리한 보상법제 및 제도로 말미암아 보상민원 및 분쟁증가, 보상예산의 낭비, 공익사업 추진 지연 등 많은 사회적 손실을 발생시키고 있다. 그러나 두 법은 토지취득 및 보상절차와 보상기준에 대한 규정을 핵심내용으로 하고 있는 공통성이 있다. 따라서 국민의 재산권을 충실히 보호하고 원활한 공익사업의 추진을 도모하기 위하여 보상법제를 일원화 할 필요성과 함께 보상절차 일원화·간소화, 불일치한 제도와 용어의 통일 등 각종 보상제도 개선 방안을 검토하였다.
웹 브라우저를 이용한 홈 네트워크 관리 시스템의 설계 및 구현
오봉진,김채규,O, Bong-Jin,Kim, Chae-Gyu 한국정보처리학회 2001 정보처리학회논문지 A Vol.8 No.4
본 논문은 웹 브라우저를 통해 관리되는 홈네트워크 관리 시스템의 설계 및 구현에 대해 기술한다. 디지털 가전기기들은 IEEE1394 버스에 의해 퍼스널 자바 환경을 갖춘 셋톱박스와 연결된다. 셋톱박스에서 동작하는 내장형 웹 서버는 HTTP1.1의 세션 유지 기능과 JSDK2.1을 지원하는 서블릿 엔진을 포함한다. 홈 네트워크 관리 프로그램은 서블릿 형태로 개발되며 IEEE1394 디바이스 드라이버 기능을 접근하기 위해 JNI를 사용한다. 각 가전기기를 위한 사용자 인터페이스 애플릿은 홈 네트워크 관리 웹 문서에서 관련 아이콘을 선택한 경우 클라이언트로 다운로드되고, TCP/IP API를 통해 관련 서블릿과 통신한다. This paper describes the design and implementation of a home network management system through a web browser. All digital devices are connected to a set-top box on which personal java environment is installed through an IEEE1394 serial bus. The embedded web server on the set-top box supports persistent-connection of HTTP1.1 and servlet engine for JSDK2.1. The home network management system is developed as the form of a servlet and uses JNI to access IEEE1394 device driver\`s APIs. When a client selects an icon related with a device the user interface applet of the device is downloaded into a client\`s web browser and communicates with a related servlet through TCP/IP APIs.
$LiNbO_3$ 강유전체 박막을 이용한 저전압용 MFS 디바이스의 특징
김광호,정순원,김채규,Kim, Kwang-Ho,Jung, Soon-Won,Kim, Chae-Gyu 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.11
고온 열처리 시킨 $LiNbO_3/Si$(100) 구조를 이용한 MFS 디바이스를 제작하여 비휘발성 메모리 동작을 확인하였다. 제작한 트랜지스터의 선형영역에서 산출한 전계효과 이동도와 상호 컨덕턴스는 각각 약 $600cm^2/Vs$ 및 0.16mS/mm 이었다. 0.5V의 게이트 전압(즉, read 전압)에서 측정한 드레인 전류의 온/오프 비는 $10^4$배 이상이었다. 분극반전에 사용한 전압은 ${\pm}3V$ 이하로 매우 낮아 이는 저소비전력용 집적회로에 적용시키기에 기대가 된다. 세게 도핑시킨 반도체위에 제작한 MFS 커패시터는 500kHz의 바이폴라 전압펄스(peak-to-peak 6V, 50% duty cycle) 측정으로 $10^{10}$ cycle 까지도 분극의 열화현상이 없는 양호한 특성을 얻었다. Metal-ferroelectric-semiconductor devices by susing rapid thermal annealed $LiNbO_3/Si$(100) structures were fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations. The estimated field-effect electron mobility and transconductance on a linear region of the fabricated FET were about $600cm^2/V{\cdot}s$ and 0.16mS/mm, respectively. The ID-VG characteristics of MFSFET's showed a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the $LiNbO_3 films. The drain current of the on state was more than 4 orders of magnitude larger than the off state current at the same read gate voltage of 0.5V, which means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as ${\pm}3V$, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to $10^{10}$ switching cycles with the application of symmetric bipolar voltage pulse (peak-to-peak 6V, 50% duty cycle) of 500kHz.
송영일(Song Young-Il),김채규(Kim Chae-Gyu) 대한국토·도시계획학회 2010 國土計劃 Vol.45 No.2
The purpose of this study is to develop the standardized estimating system of the development cost in order to improve the current problems of Development Charge. KLIS-DB of Development Charge, surveys, and case studies were used as our analysis data. The results were as follows. The correlation coefficient between the project area and the development cost was high, which was 0.95. However, owing to the inconsistency of the costs in larger area, it was appropriate to confine the standardization to small area projects. Analyzing the standard deviation, the proper criteria for dividing the project scale was 2,300m' and the standard development cost was 54,200(won/㎡). In evaluating 3 alternatives, applying the single standard development cost in small scale project turned out to be the most practical measures. For the further study, the attributes of land such as its gradients should be included in standardizing the development cost in Development Charge.
정순원,김채규,김진규,김용성,이남열,김광호 청주대학교 산업과학연구소 1999 産業科學硏究 Vol.17 No.1
Metal-ferroelectric-semiconductor(MFS) devices by using rapid thermal annealed LiNbO₃/Si structures were successfully fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations of the MFS devices. MFSFETs with various gate electrodes, that are aluminum, platinum and poly-Si, using LiNbO₃/Si(100) structures were fabricated and the properties of the FETs have been discussed. The ferroelectric capacitors showed practically no polarization degradation up to about 10^(10) switching cycles when subjected to symmetric bipolar voltage pulse (peak-to-peak 6V, 50% duty cycle) in the 500kHz. The I_(D)-V_(G) characteristics of MFSFETs showed a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the LiNbO_(3) thin film. The drain current of the "on" state was more than 3 orders of magnitude larger than the "off" state current at the same "read" gate voltage of 1.5 V, which means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as ±4 V, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. The retention properties of the FET using A1 electrode were quite good up to about 10³ s and using Pt electrode remained almost the same value of its initial value over 2 days at room temperature.