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커플링이 고려된 KSTAR ICRF 안테나의 8포트 전송선 회로 모델링 및 측정 결과 비교
김선호,왕선정,황철규,곽종구,Kim, S.H.,Wang, S.J.,Hwang, C.K.,Kwak, J.G. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.1
KSTAR ICRF 시스템에서 안테나 전류띠 간 커플링에 의한 전류띠의 전압, 전류 분포 변화와 전류띠 간 전력 전달에 의한 공명현상 그리고 전송선상의 이상 전압 분포 등을 예측하거나 분석하는 것은 그것의 안정적이고 신뢰성 있는 운전을 위해 매우 중요하다. 본 연구에서는 이러한 전류띠 간 커플링에 의한 현상들을 이해하기 위해 ICRF 안테나에서 측정한 S-parameter를 커플링이 고려된 8포트 전송선회로 모델에 적용하여 전류띠의 전송선 회로 모델을 완성하였다. 완성된 전송선 회로모델의 자체유도계수, 상호유도계수, 전기용량성 등은 전류띠의 유한한 길이로 인하여 2D 모델의 값보다 작은 것으로 나타났다. 커플링이 고려된 전류띠의 전송선 회로모델은 공명루프와 결합되어 있는 KSTAR ICRF 시스템의 운전에 활용될 것이다. It is very important to predict and analyze the change of voltage and current distribution of current strap, abnormal voltage distribution of transmission line and resonance phenomenon by coupling between current straps for more stable operation of ICRF system. In this study, to understand those phenomena by coupling, 8-port coupled transmission line model is completed by appling S-parameter measured in the prototype KSTAR ICRF antenna to the model. The determined self-inductance, mutual-inductance and capacitance of antenna straps are shown to be lower than that calculated from 2D approximate model due to finite length of strap. The coupled transmission line model of current strap will be utilized to the operation of ICRF system of KSTAR in the future.
박경현,변영태,김명욱,김선호,최상삼,조욱래,박승한,김웅,Park, K. H.,Byun, Y. T.,Kim, M. W.,Kim, S. H.,Choi, S. S.,Cho, W. R.,Park, S. H.,Kim. U. 한국광학회 1997 한국광학회지 Vol.8 No.2
가로.세로의 비가 큰 광도파로 소자 제작용 마스크 제작에는 레이저 리소그래피 장치가 기존의 리소그래피 장치에 비해 비용면 등을 고려하면 많은 장점을 가지고 있다. 레이저 리소그래피 장치를 이용 보편적인 양극형 마스크는 물론 기존의 레이저 리소그래피 장치로는 제작하기에 많은 어려움이 있는 음극형 마스크를 포토레지스트의 인위적 변화를 이용 제작할 수 있었다. 제안된 방법은 주변환경 즉 먼지, 장치의 진동 그리고 레이저 입사광 변화 등에 기존의 장치 보다 덜 민감함을 실험적으로 확인하였다. 이 방법을 이용 광도파로 소자의 기본을 이루는 S형태 곡선으로 구성된 광분배기 패턴을 제작하였으며, 제작된 패턴의 대비 및 재현성에 있어서 그 특성이 매우 우수함을 실험적으로 확인하였다. Most conventional lithography systems have been oriented to fabricate electronic devices. Therefore, it is not so easy to fabricate large aspect ratios of waveguide patterns with those systems. When considering costs and efficiencies, a laser lithography system provides number of benefit in realizing waveguide patterns. However, because the conventional laser lithography system could make only positive tone masks, it is inconvenient in determining the direction of the waveguide. A simple and reliable technique to produce negative tone masks was developed by using the laser beam writing. This technique was not sensitive to environmental situations such as dust, vibration, intensity variation. Making use of the technique a variety of device patterns such as Y-branch, directional coupler, and highly smooth S-shape bend could be successfully fabricated with a good contrast.
AlGaAs / GaAs multiple - quantum well에 대한 상온에서의 photoreflectance 특성연구
김동렬(D. L. Kim),최현태(H. T. Choi),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),우덕하(D. H. Woo),김선호(S. H. Kim),최상삼(S. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
MBE로 성장한 AlGaAs/GaAs multiple-quantum well(MQW)에 대하여 pump source를 He-Ne laser와 Ar laser를 사용하여 상온에서 PR(photoreflectance)측정을 수행한 결과 여러 subband transition peak을 관찰하였다. PR결과를 standard analytic line shape으로 fitting하여 n=1의 conduction band와 heavy hole 그리고 light hole transition peak인 C1-H1, C1-L1에 대한 energy값들을 얻었다. 또한 상온에서의 PL(photoluminescence)측정에서 C1-H1, C1-L1과 관련된 main peak와 shoulder를 관찰하였다. 이 값은 PR 측정값과 잘 일치함으로써 PL에서의 main peak와 shoulder가 C1-H1, C1-L1과 관련된 peak임을 확인할 수 있었다. 또한 envelope function approximation(EFA)을 이용하여 구한 이론값과 PR과 PL에서 측정된 실험값들을 비교하였다. PR spectra of MBE grown AlGaAs/GaAs MQW have been measured at room temperature using the He-Ne laser and the Ar laser as the pump source. We have observed various subband transition peaks and PR spectra were fitted to standard analytic line shape. Above that results, obtained us transition energy from n=1 conduction band to heavy hole(C1-H1) and to light hole(C1-L1) subband. Photoluminescence(PL) at room temperature showed main peak with a shoulder. Good agreement between PL and PR measured n=1 intersubband transition energies was confirmed that PL main peak with a shoulder is associated with the C1-H1, C1-L1 transition. Additionally, we have calculated the C1-H1 and C1-L1 intersubband energy within envelope function approximation(EFA).
분말 사출 성형 공정을 이용한 마이크로 기어 부품 제조에 관한 연구
김선호(S. H. Kim),민두식(D. S. Min),이경문(K. M. Lee),김종하(J. H. Kim) 한국소성가공학회 2013 한국소성가공학회 학술대회 논문집 Vol.2013 No.5
분말사출성형(Powder Injection Molding, PIM)법은 기존의 분말야금(Powder Metallurgy)이나 주조 등의 공정에 비하여 복잡한 3차원 형상을 가지는 부품을 저비용으로 대량 생산할 수 있는 방법이다. 의료기기, 정보통신, 바이오 등 다양한 분야에서 기계 부품들이 극소형화됨에 따라서 마이크로 부품들의 제조 기술 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 약 0.8㎛의 입자 크기를 가지는 Zirconia 분말을 이용하여 PIM 공정을 통해 직경 1.5mm 이하의 크기를 가지는 마이크로 기어 부품을 제조하고자 하였다.