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초실감/고정밀 서비스를 위한 초정밀 네트워크 기술 동향
최영일,김응하,강태규,김도영,김정윤,정태식,Choi, Y.I.,Kim, E.H.,Kang, T.K.,Kim, D.Y.,Kim, J.Y.,Cheung, T.S. 한국전자통신연구원 2021 전자통신동향분석 Vol.36 No.4
To realize remote surgery from hundreds of kilometers away, a new communication environment with ultra-low latency and high-precision features is required. Thus, ultra-high precision networking technology that guarantees the maximum latency and jitter of end-to-end traffic on an Internet-scale wide area network is in development as part of 6G network research. This paper describes the current status of various networking technologies in ITU-T, ETSI, IEEE, and IETF to ensure ultra-low latency and high precision in wired networks.
이훈순(H.S.Lee),김용걸(Y.K.Kim),최영일(Y.I.Choi),진성일(S.I.Jin) 한국정보과학회 1998 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.25 No.1B
비정형 대용량의 멀티미디어 자료를 이용하는 다양한 멀티미디어 응용 서비스에서 사용자들의 요구에 대한 효율적인 내용기반 검색 서비스를 제공하기위해서는 단순 속성, 텍스트 키워드 검색뿐 아니라 색(color), 질감(texture), 시공간 질의 등을 지원해 주어야 한다. 따라서 본 논문에서는 이러한 내용기반 검색을 지원하는 검색기 구축의 핵심 분야인 질의 처리기를 사용자 질의해석기, 질의어 생성기, 검색 결과 처리기, 질의 확장 기능의 4 개의 서브 모듈로 나누어서 각 모듈에 대한 기능 정의 및 설계를 수행하였다.
Design and Fabrication of the Double-Sided Silicon Microstrip Sensor
박환배,D.H. Shim,가동하,H.D. Kang,김홍주,H.J. Hyun,Jik Lee,Jong-Moon Park,Kun-Sik Park,최영일,Y.I. Kim,Y.J. Kim,Y.K. Choi 한국물리학회 2006 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.49 No.4
Silicon sensors have been used in high energy physics, astrophysics, medical imaging, and many other fields, including industry, due to its good position resolution and its fast response. We have designed many types of silicon sensors on 6-inch masks, such as double-sided, single-sided, and diode sensors. We have researched and developed the double-sided silicon microstrip sensor for the first time in Korea. We understand the many characteristics of silicon microstrip sensors, such as the potential distribution, the electric field distribution, the leakage currents, and the capacitances, through process and device simulation programs. We optimized many fabrication process parameters and developed silicon microstrip sensors based on the simulation results. We compared the device simulation results with measurements of the electrical characteristics of the fabricated silicon microstrip sensors.