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BCl3/Ne 혼합가스를 이용한 III-V 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각
백인규,임완태,이제원,조관식 한국전기전자재료학회 2003 전기전자재료학회논문지 Vol.16 No.12S
A BCl3/Ne plasma chemistry was used to etch Ga-based (GaAs, AlGaAs, GaSb) and In-based (InGaP, InP, InAs and InGaAsP) compound semiconductors in a planar Inductively Coupled Plasma (ICP) reactor. The addition of the Ne instead of Ar can minimize electrical and optical damage during dry etching of III-V semiconductors due to its light mass compared to that of Ar. All of the materials exhibited a maximum etch rate at BCl3 to Ne ratios of 0.25-0.5. Under all conditions, the Ga-based materials etched at significantly higher rates than the In-based materials, due to relatively high volatilities of their trichloride etch products (boiling point GaCl3 : 201 ℃, AsCl3 : 130 ℃, PCl3 : 76 ℃) compared to InCl3 (boiling point : 600 ℃). We obtained low root-mean-square(RMS) roughness of the etched surface of both AlGaAs and GaAs, which is quite comparable to the unetched control samples. Excellent etch anisotropy ( > 85°) of the GaAs and AlGaAs in our PICP BCl3/Ne etching relies on some degree of sidewall passivation by redeposition of etch products and photoresist from the mask. However, the surfaces of In-based materials are somewhat degraded during the BCl3/Ne etching due to the low volatility of InClx. 본 연구에서는 평판형 유도결합 BCl3/Ne 플라즈마 (PICP)를 이용하여 III-V 화합물 반도체의 건식식각 결과를 분석하였다. OES를 이용한 평판형 유도결합 BCl3/Ne 플라즈마 peak들의 분석결과 낮은 ICP 소스파워( < 100 W)에서는 ICP 소스파워가 증가해도(0 - 100 W) 플라즈마 밀도에 영향을 거의 주지 않았다는 것을 알 수 있었다. 그리고, PICP 시스템은 RIE 척파워의 보조없이 (즉, 0 W RIE 척파워) 낮은 ICP 소스파워(300W ICP 소스파워)만으로도 플라즈마를 발생할 수 있다는 장점을 가지고 있어서 공정에 의한 손상에 민감한 화합물 반도체 식각에 유용하게 쓰일 수 있다. 평판형 유도결합 BCl3/Ne을 이용한 III-V 화합물 반도체의 건식식각에서 Ga기반과 In기반의 화합물 반도체의 식각률은 BCl3의 혼합비가 25 - 50 %의 범위일 때 가장 높았다. 그러나 25 % 이하의 BCl3가 혼합된 플라즈마에서는 반응기내의 BCl3/Ne 중 BCl3 가스의 함유량 감소로 인한 화학적 식각 성분이 줄어들어 식각률이 감소하였다. BCl3/Ne 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 건식식각 후, 특히 Ga기반 반도체의 경우는 높은 식각률 (3,000 - 11,000 Å/min), 깨끗한 표면, 우수한 수직측벽도( > 85。), 그리고 평탄한 표면(RMS roughness < 1 nm)을 얻을 수 있었다. 그러나, In을 포함하는 반도체 소자의 경우에는 식각 후 경사진 측벽과 다소 거친 표면을 얻었으며 그것은 상온에서 낮은 휘발성을 가지는 식각부산물인 InClx 때문이라고 사료된다. 따라서, BCl3/Ne 가스를 이용한 평판형 유도결합 플라즈마 시스템은 Ga기반 III-V 화합물 반도체 소자의 플라즈마 식각 공정시 진보된 플라즈마 소스로 더욱 유용하게 이용될 수 있을 것이다.
돼지분뇨 처리를 위한 Farm-scale Two-phase Anaerobic Digester의 실증운영에 관한 연구
백인규,이상락,안정제,권윤정,맹원재 한국축산환경학회 2000 축산시설환경학회지 Vol.6 No.2
A two-phase anaerobic digestion system for the treatment of swine waste was constructed in a commercial hog farm. The digester system was composed of 4 major units; slurry storage pit, acidogenic digester, methanogenic digester and sedimentation pit. A biogas boiler unit was also attached to maintain the digester temperature of 37$^{\circ}C$. Substrate lading was made with 2hr-interval by pumping about 2.1$m^3$ of slurry type swine waste from the slurry pit into the acidogenic digester, which corresponds to hydraulic retention time of 4 days for the acidogenic digester and of 11 days for the methanogenic digester. Digester temperature were well maintained as the set temperature of 37$^{\circ}C$ in the methanogenic digester, while the temperature in the acidogenic digester showed around 34$^{\circ}C$. pH also showed a steady-state results of 7.3 in the acidogenic digester and of 7.6 in the methanogenic digester during the operation period. Average biogas production rate was 0.66$m^3$/$m^3$ digester volume. Reduction rate of total solid and volatile solid were 42.8% and 5.8%, respectively. Total nitrogen and ammonia nitrogen were not reduced during the anaerobic fermentation, however, most of VFAs seemed to be converted to the biogas,. These fermentation performance data may suggest that he newly developed a two-phase anaerobic digester for the swine waste treatment worked so successfully.
白寅奎,金基洪 최신의학사 1978 最新醫學 Vol.21 No.3
Any hypoglycemic effect was not observed in the case of normal rabbits and rats by the administration of Brx-64.
폐나일론을 이용한 섬유보강 아스팔트 콘크리트의 피로특성 및 경제성 분석
백인규,박기선,김낙석 한국재난정보학회 2013 한국재난정보학회 논문집 Vol.9 No.4
본 연구는 자동차 파쇄 잔재물의 활용성을 알아보고자 폐차과정에서 발생되는 폐나일론 섬유를 아스팔트 콘크리트에 첨가하여 일반 아스팔트 콘크리트와의 피로수명 비교, 경제성 분석을 실시하였다. 4점 휨 피로 시험을 수행한 결과 일반 아스팔트 대비 피로수명이 10% 향상되었으며, 이를 통해 경제성 분석을 실시하여 35년간 약 5.4억 원의 유지보수비용에 대한 비용 절감을 가져 오는 것으로 확인 되었다. 폐나일론 섬유 보강 아스팔트는 비용절감 효과와 더불어 폐자재의 환경처리비용 이점과 활용성 측면에서의 친환경적 공법으로 생애주기비용분석에서보다 더 큰 경제적, 사회적 효과가 발생 할 것으로 판단된다.
BCI<sub>3</sub>Ne 혼합가스를 이용한 III-V 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각
백인규,임완태,이제원,조관식 한국전기전자재료학회 2003 전기전자재료학회논문지 Vol.16 No.12
A BCl$_3$/Ne plasma chemistry was used to etch Ga-based (GaAs, AIGaAs, GaSb) and In-based (InGaP, InP, InAs and InGaAsP) compound semiconductors in a Planar Inductively Coupled Plasma (ICP) reactor. The addition of the Ne instead of Ar can minimize electrical and optical damage during dry etching of III-V semiconductors due to its light mass compared to that of Ar All of the materials exhibited a maximum etch rate at BCl$_3$ to Ne ratios of 0.25-0.5. Under all conditions, the Ga-based materials etched at significantly higher rates than the In-based materials, due to relatively high volatilities of their trichloride etch products (boiling point CaCl$_3$ : 201 $^{\circ}C$, AsCl$_3$ : 130 $^{\circ}C$, PCl$_3$: 76 $^{\circ}C$) compared to InCl$_3$ (boiling point : 600 $^{\circ}C$). We obtained low root-mean-square(RMS) roughness of the etched sulfate of both AIGaAs and GaAs, which is quite comparable to the unetched control samples. Excellent etch anisotropy ( > 85$^{\circ}$) of the GaAs and AIGaAs in our PICP BCl$_3$/Ne etching relies on some degree of sidewall passivation by redeposition of etch products and photoresist from the mask. However, the surfaces of In-based materials are somewhat degraded during the BCl$_3$/Ne etching due to the low volatility of InCl$_{x}$./.
정신건강 2요인 모델 타당화 연구: 젊은 성소수자(LGB) 집단을 중심으로
백인규,고영건,문기범 한국여성심리학회 2019 한국심리학회지 여성 Vol.24 No.4
본 연구에서는 국내 성소수자(LGB) 집단을 대상으로 정신건강 2요인 구조의 타당성을 검증하고자 했다. 이를 위해 퀴어 포털사이트에서 모집한 464명을 대상으로 정신적 웰빙 척도(K-MHC-SF)와 한국형 정신장애 척도(K-MDI), LGB 정체성 척도(LGBIS)를 실시했다. 그 후 모형 적합도를 비교하기 위해 연구 모형과 경쟁 모형에 대해 각각 확인적 요인분석을 실시했으며, 이를 바탕으로 Keyes(2002)의 정신건강 집단 분류에 따라 성소수자의 정체성 측면에서 심리사회적 적응도의 차이가 있는지 확인하기 위해 일원변량분석과 사후분석을 실시했다. 연구결과 정신건강 모델은 정신건강을 긍정적 정신건강과 정신장애의 단일축으로 보는 단일모델과 정신건강을 긍정적 정신건강과 정신장애의 독립적인 관계로 보는 2요인 독립모델에 비해 두 변인이 독립적인 동시에 상호상관이 있다고 가정한 2요인 상관모델이 더 적합한 것으로 나타났다. 또한 성소수자 집단 중 완전정신건강 집단은 나머지 집단에 비해 LGB 정체성 척도 하위 변인에서 심리사회적응 수준이 더 뛰어났고, 단순장애 집단이 단순쇠약 집단보다 심리사회적 적응 수준이 더 뛰어났다. 이러한 결과에 기초하여 성소수자 집단을 대상으로 한 긍정적 정신건강 연구와 개입의 필요성에 대해 논했다.