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박강욱,이준환,조용식,Park,Kang-Wook,Lee,Jun-Whan,Cho,Yong-Sik 한국방재학회 2013 한국방재학회 학술발표대회논문집 Vol.2013 No.1
원해 지진해일을 수치모의하기 위해서 엇갈림 격자계를 이용하여 유한차분 기법인 leap-frog 방법으로 차분한 선형 천수 방정식을 사용하였다. 지진해일파가 먼 거리를 이동하는 경우에는 분산효과가 중요한 역할을 하기 때문에 수치모의시 반드시 고려해야한다. Cho et al.(2007)은 차분과정에서 발생하는 수치분산을 이용하여 분산효과를 고려하는 실용적인 분산보정기법을 개발하였다. 개발된 분산보정기법은 일정 수심에서 해석해와 비교함으로서 검증되었다. 본 연구에서는 2011년 3월에 발생한 동일본 지진해일을 수치모의하여 DART buoy에서 관측한 값과 비교하였다. 분산보정기법을 적용하여 선형 천수방정식을 계산한 결과값이 상대적으로 분산을 고려하지 않은 선형 천수방정식을 계산한 결과값보다 전파 파형이 잘 표현되었고, DART buoy의 관측값과 비교했을 때는 첫 파의 도달시간 및 파고가 정확하게 계산되는 것을 알 수 있었다.
Navier-Stokes 방정식 모형의 정현파 내부조파
하태민,박강욱,조용식,Ha. Taemin,Park. Kang-Wook,Cho. Yong-Sik 한국방재학회 2012 한국방재학회 학술발표대회논문집 Vol.2012 No.1
파랑변형을 다루는 수치모형실험을 수행할 때 외부조파를 사용할 경우 구조물이나 지형에 의해 반사되어 나온 파랑이 조파지점에 도달할 때 실험영역으로 재 반사되는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위해 내부조파기법의 개발에 대한 연구가 필수적이었으며, 자유수면변위를 변수로 사용하는 모형의 경우 그 연구가 매우 활발하게 진행되어 왔다. 한편, Navier-Stokes 방정식 모형의 경우 자유수면변위를 변수로 사용하는 2차원 모형에 비해 상대적으로 연구가 미흡하였다. 본 연구에서는 운동량 원천항을 이용한 내부조파기법을 2차 정확도의 VOF 기법을 사용한 Navier-Stokes 방정식 모형에 적용하였다. 수치모형에 내부조파기법을 적용하여 다양한 주기를 가지는 정현파를 조파하였으며, 수치모형실험 결과와 정확해를 비교하여 검증하였다.
무선통신소자제작을 위한 45GHz $f_{T}$ 및 50GHZz $f_{max}$ SiGe BiCMOS 개발
황석희,조대형,박강욱,이상돈,김남주,Hwang Seok-Hee,Cho Dae-Hyung,Park Kang-Wook,Yi Sang-Don,Kim Nam-Ju 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.9
최근 Mobile용 RF ICs 적용을 위한 RF CMOS 기술과 함께 핵심 기술로 SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 소자 개발의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문은 현재 5GHz 동작 수준의 RF제품에서 주로 사용되는 기술인 $0.35\{mu}m$ 설계 Rule을 적용하여 $f_{max}$ 50GHz에서 동작하는 SiGe BiCMOS 기술 개발에 대한 내용을 논의한다. 본 SiGe HBT에 사용하는 에피막 성장 기술은 Trapezoidal Ge base profile 및 non-selective 방식이고, 에미터 RTA 조건 및 SiGe HBT base에 대한 Vertical Profile 최적화를 수행하였다. hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ 수준으로 우수한 특성 및 기술 경쟁력을 갖는 SiGe BiCMOS 공정 개발 및 양산 기술을 확보하였다. 또한, 기존의 0.35um설계 Rule공정 target떼 부합되는 CMOS소자를 포함시켰으며, RF용 Passive소자로 높은 Q값을 갖는 MIM capacitor(1pF, Q>80), Inductor(2nH $Q\~$l2.5)를 제공하였다 A $0.35\mu$m SiGe BiCMOS fabrication process has been timely developed, which is aiming at wireless RF ICs development and fast growing SiGe RF market. With non-selective SiGe epilayer, SiGe HBTs in this process used trapezoidal Ge base profile for the enhanced AC performance via Ge induced bandgap niuoin. The characteristics of hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;F_{max}\;50GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ have been obtained by optimizing not only SiGe base profile but also RTA condition after emitter polysilicon deposition, which enables the SiGe technology competition against the worldwide cutting edge SiGe BiCMOS technology. In addition, the process incorporates the CMOS logic, which is fully compatible with $0.35\mu$m pure logic technology. High Q passive elements are also provided for high precision analog circuit designs, and their quality factors of W(1pF) and inductor(2nH) are 80, 12.5, respectively.