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- 저자 : 황석희(Seok-Hee Hwang) (검색결과 5 건)
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롤러 전압 콘크리트 포장을 위한 수정다짐시험의 반복재현성 고찰
황석희,홍성재,이승우,Hwang, Seok Hee,Rith, Makara,Hong, Seong Jae,Lee, Seung Woo 대한토목학회 2015 대한토목학회논문집 Vol.35 No.4
롤러전압콘크리트(Roller Compacted Concrete Pavement, RCCP) 공법은 적은 단위수량이 포함된 콘크리트 혼합물을 아스팔트 피니셔와 다짐 롤러를 이용하여 시공하는 공법이다. RCCP는 다짐 수준에 따라 강도 및 내구성에 많은 영향을 받게 된다. 또한 품질관리는 건조밀도를 기준으로 다짐도 관리를 시행하고 있다. 현장에서 최적의 건조단위중량을 모사하기 위해 수정다짐시험을 실시한다. 그러나 RCCP를 위한 수정다짐시험의 다짐곡선 분석에 명확한 기준이 제시되어 있지 않다. 본 연구에서는 함수비당 세 개의 샘플에 의한 수정다짐곡선의 기준을 설정하고 설정된 다짐곡선과 비교하여 더 적은실험횟수와의 신뢰성을 분석하기 위해 반복재현성을 고찰하였다. 이로 인해 세 번의 실험에 의한 수정다짐시험과 비교하여 두 번의 수정다짐시험은 0.5% 오차가 발생되며 신뢰도는 99.5% 이다. Roller Compacted Concrete Pavement (RCCP), is a type of pavement using compaction roller and asphalt finisher on concrete mixture that contains low amount of water. RCCP strength and durability are greatly affected by compaction level. Quality control is performed by ensuring the degree of compaction at site based on dry density. In the field, Modified Proctor Test is used in order to obtain optimum dry density. However, there is no clear compaction curve analysis criteria of Modified Proctor Test for RCCP. In this study, compaction curve built by three samples of Modified Proctor Test was produced and it was used to compare with compaction curve contented lower number of samples (one and two samples) in order to analyze their reliability. Thus, a conclusion was drawn from the results; by comparing to the result from Modified Proctor Test of three samples, the use of two samples represented result with only 0.5% of error which means the reliability is 99.5%.
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무선통신소자제작을 위한 45GHz $f_{T}$ 및 50GHZz $f_{max}$ SiGe BiCMOS 개발
황석희,조대형,박강욱,이상돈,김남주,Hwang Seok-Hee,Cho Dae-Hyung,Park Kang-Wook,Yi Sang-Don,Kim Nam-Ju 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.9
최근 Mobile용 RF ICs 적용을 위한 RF CMOS 기술과 함께 핵심 기술로 SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 소자 개발의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문은 현재 5GHz 동작 수준의 RF제품에서 주로 사용되는 기술인 $0.35\{mu}m$ 설계 Rule을 적용하여 $f_{max}$ 50GHz에서 동작하는 SiGe BiCMOS 기술 개발에 대한 내용을 논의한다. 본 SiGe HBT에 사용하는 에피막 성장 기술은 Trapezoidal Ge base profile 및 non-selective 방식이고, 에미터 RTA 조건 및 SiGe HBT base에 대한 Vertical Profile 최적화를 수행하였다. hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ 수준으로 우수한 특성 및 기술 경쟁력을 갖는 SiGe BiCMOS 공정 개발 및 양산 기술을 확보하였다. 또한, 기존의 0.35um설계 Rule공정 target떼 부합되는 CMOS소자를 포함시켰으며, RF용 Passive소자로 높은 Q값을 갖는 MIM capacitor(1pF, Q>80), Inductor(2nH $Q\~$l2.5)를 제공하였다 A $0.35\mu$m SiGe BiCMOS fabrication process has been timely developed, which is aiming at wireless RF ICs development and fast growing SiGe RF market. With non-selective SiGe epilayer, SiGe HBTs in this process used trapezoidal Ge base profile for the enhanced AC performance via Ge induced bandgap niuoin. The characteristics of hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;F_{max}\;50GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ have been obtained by optimizing not only SiGe base profile but also RTA condition after emitter polysilicon deposition, which enables the SiGe technology competition against the worldwide cutting edge SiGe BiCMOS technology. In addition, the process incorporates the CMOS logic, which is fully compatible with $0.35\mu$m pure logic technology. High Q passive elements are also provided for high precision analog circuit designs, and their quality factors of W(1pF) and inductor(2nH) are 80, 12.5, respectively.
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황석희 ( Seok Hee Hwang ),( Rith Makara ),이승우 ( Seung Woo Lee ) 조선대학교 공학기술연구원 2016 공학기술논문지 Vol.9 No.1
Due to the growth of the import-export amount of the products among countries since the 1970s, international ports plays an important role in Korean economy. Port and highway pavement designs have different considerations in terms of structural performance. Highway pavements mainly withstand the mixed traffics of light-weight vehicles, which are not heavy transportation facilities such as handling vehicles or plants in the ports or container terminals. This study focuses on the design case of Main Road 1-1 in Cai Mep International Terminal located in Vung Tau province, Vietnam. The design follows the highway pavement design specifications, AASHTO 86, and is compared with the original design based on the Heavy Duty Pavements design guides. As results, in case of fixing the surface layer thickness to 100mm, structural cross-section of the whole pavement was decreased. Comparing to the heavy duty pavement design results, base layer and subbase layer thickness calculated by the AASHTO are reduced to 75mm and 45mm, respectively. In heavy duty pavement design guides, the structural performance of pavement depends on the base layer while surface layer acts as the wearing course. However, for the design following the AASHTO 86, overall cross-section performs as the pavement structure to support the full load of traffic.
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초고진공 전자 사이클로트론 화학 기상 증착 장치에 의한 저온 실리콘 에피 성장에 기판 DC 바이어스가 미치는 영향
태흥식(Heung-Sik Tae),황석희(Seok-Hee Hwang),박상준(Sang-June Park),윤의준(Euijoon Joon),황기웅(Ki-Woong Whang),송세안(Se Ahn Song) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
Langmuir probe를 사용하여 UHV-ECRCVD 장치에서 기판에 가해진 DC 바이어스에 따른 플라즈마내의 공간적 전위 분포를 측정하였다. 양의 바이어스를 기판에 가하는 경우 플라즈마내의 공간적 전위 분포는 B-field를 따라 cavity로부터 기판으로 down-stream되는 이온의 flux 및 에너지를 감소시키는 오르막의 전위 분포를 갖게 되며 음의 바이어스를 가하는 경우는 down-stream되는 이온의 flux 및 에너지를 증가시키는 내리막의 전위 분포를 갖게 된다. DC 바이어스가 저온 실리콘 에피탁시(560℃ 이하)에 미치는 영향을 in situ reflection high energy electron diffraction(RHEED), cross-section transmission electron microscopy(XTEM), plan-view TEM 및 high resolution TEM(HRTEM)으로 고찰하였다. 음의 바이어스를 가한 기판에는 다결정 실리콘이 성장되고 양의 바이어스를 가한 기판에는 단결정 실리콘이 성장되며 다결정 실리콘의 성장 속도보다 단결정 실리콘의 성장속도가 낮은 것으로 관찰되었다. 플라즈마 증착 중 DC 바이어스에 의한 이온 에너지의 조절은 UHV-ECRCVD에 의한 저온 실리콘 에피탁시에 있어서 중요한 역할을 한다. The spatial potential distribution of electron cyclotron resonance plasma is measured as a function of the substrate DC bias by Langmuir probe method. It is observed that the substrate DC bias changes the slope of the plasma potential near the substrate, resulting in changes in flux and energy of the impinging ions across plasma/substrate boundary along the magnetic field. The effect of the substrate DC bias on the low-temperature silicon homoepitaxy (below 560℃) is examined by in situ reflection high energy electron diffraction (RHEED), cross-section transmission electron microscopy (XTEM), plan-view TEM and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). While the polycrystalline silicon layers are grown with negative substrate biases, the single crystalline silicon layers are grown with positive subatrate biases. As the substrate bias changes from negative to positive values, the growth rate decreases. It is concluded that the control of the ion energy during plasma deposition is very important in silicon epitaxy at low temperatures below 560℃ by UHV-ECRCVD.
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