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Al / TiO₂ - SiO₂ / Mo 구조를 가진 Antifuse의 전기적 특성 분석
홍성훈(Sunghun Hong),노용한(Yonghan Roh),배근학(Geunhag Bae),정동근(Donggeun Jung) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
본 논문에서는 낮은 구동 전압에서 동작하고 안정된 on/off 상태를 갖는 Al/TiO₂-SiO₂/Mo 형태의 안티퓨즈를 제작하였다. 하부전극으로 사용된 Mo 금속은 표면상태가 부드럽고 녹는점이 높은 매우 안정된 금속으로, 표면 위에 제조된 SiO₂의 특성을 매우 안정되게 유지시켰다 또한 TiO₂ 절연막을 SiO₂ 절연막 위에 복층 구조로 증착하여, Ti 금속의 침투로 인한 SiO₂ 절연막의 약화로 동일 두께(100 Å)의 SiO₂ 단일막에 비하여 향상된 절연파괴 전압을 얻을 수 있었다. TiO₂-SiO₂ 이중 절연막을 사용하여 적정 철연파괴전압 및 ON-저항을 구현하였으며, 두께가 두꺼워짐으로 인해 바닥금속의 거칠기의 영향을 최소화시킬 수 있었다. 이중 절연막의 두께는 250 Å이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고 약 65Ω의 on 저항을 얻을 수 있었다. This paper is focused on the fabrication of reliable Al/TiO₂-SiO₂/Mo antifuse, which could operate at low voltage along with the improvement in on/off state properties. Mo metal as the bottom electrode had smooth surface and high melting point, and was being kept as-deposited SiO₂ film stable. The breakdown voltage of TiO₂-SiO₂ stacked antifuse was better than that of same-thickness (100 Å) SiO₂ antifuse because of Ti diffusion in SiO₂. The improving breakdown-voltage and on-resistance can be obtained as well as the influence of hillock in the bottom metal is reduced by using double insulator. Low on-resistance (65 Ω) and low programming voltage (9.0V) can be obtained in these antifuses with 250 Å double insulator.
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Rapid Thermal Annealing에 의한 TiO_2 박막의 누설전류특성 향상
배근학,송영일,정동근,노용한 성균관대학교 기초과학연구소 1999 論文集 Vol.50 No.-
The CeO₂ intermediate layer was inserted by rf-sputter system between the TiO_2 layer and the Si substrate. TiO₂films were deposited by metal-organic chemical-vapor-deposition (MOCVD) on Si substrates. The thickness of TiO₂ was 20 nm), and that of CeO₂ was in the 3-65 nm regime. The insertion of the CeO₂ intermediate layer reduced the leakage current significantly after rapid thermal annealing (RTA) in O₂ ambient for 3 min. After HTA, the TiO₂/CeO₂/Si structure showed a significantly lower leakage current than the TiO₂/Si structure. The CeO₂ thickness of the TiO₂/CeO₂/Si structure did not affect leakage current reduction. The formation of the intermixed structure of TiO₂ and CeO₂ at the TiO₂/CeO₂ interface by RTA was thought to contribute to the reduction of the leakage current.
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