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Rapid Thermal Annealing에 의한 TiO_2 박막의 누설전류특성 향상
배근학,송영일,정동근,노용한 성균관대학교 기초과학연구소 1999 論文集 Vol.50 No.-
The CeO₂ intermediate layer was inserted by rf-sputter system between the TiO_2 layer and the Si substrate. TiO₂films were deposited by metal-organic chemical-vapor-deposition (MOCVD) on Si substrates. The thickness of TiO₂ was 20 nm), and that of CeO₂ was in the 3-65 nm regime. The insertion of the CeO₂ intermediate layer reduced the leakage current significantly after rapid thermal annealing (RTA) in O₂ ambient for 3 min. After HTA, the TiO₂/CeO₂/Si structure showed a significantly lower leakage current than the TiO₂/Si structure. The CeO₂ thickness of the TiO₂/CeO₂/Si structure did not affect leakage current reduction. The formation of the intermixed structure of TiO₂ and CeO₂ at the TiO₂/CeO₂ interface by RTA was thought to contribute to the reduction of the leakage current.
배근학,김호식 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
MAHA PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 설비는 반도체 소자업체의 200mm와 300mm 생산 라인에서 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 증착하고 있는 (주)아토의 주력 반도체 전공정 설비이다. MAHA PECVD 설비는 2002년 소자업체에서 TEOS 산화막 공정에 대한 양산검증을 확보한 이후 현재까지 64 시스템이 제작되어 소자업체의 생산 라인에서 가동 중에 있다.
배근학,김경수,노형욱,박소연,김호식 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
3,3-Dimethyl-1-butene (C6H12) monomer를 이용하여 RF power 압력에 따라 막을 증착하였다. 증착된 비정질 탄소막은 power/pressure (W/Torr)가 증가할수록 Raman 스펙트럼에서 D peak가 증가하였고, ring 구조의 막을 형성하였다. 또한 ring 구조의 막이 형성됨으로써 hardness와 modulus는 각각 12 GPa과 85 GPa로 선형적으로 증가하는 것으로 나타났다.
조윤성,김성지,백수빈,김영채,배근학,조은별,유지수,홍영훈 한국항행학회 2022 韓國航行學會論文誌 Vol.26 No.3
차세대 이동 수단의 방법으로 도심항공 모빌리티(UAM)에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 도심항공 모빌리티에 사용할 비행체인 eVTOL(Electric Vertcial Take-Off and Landing)은 추진방식에 따라 복합형, 틸트 로터형, 틸트 날개형, 틸트 덕티드 팬형, 멀티콥터형으로 분류된다. 본 연구에서는 새로운 틸트 로터형의 차세대 eVTOL을 기존의 설계 요구 조건에 맞게 개념설계를 수행하였다. 공력해석 프로그램인 Open VSP와 XFLR5를 사용하여 공력해석을 진행하였다. 각 임무 구간별 소요되는 동력을 계산하였고, 그에 맞는 배터리와 모터를 선정하였으며, 구성품별 중량을 추정하여 최대이륙중량을 예측하였다.