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- 저자 : 장문규(Jang, Mun-Gyu) (검색결과 19 건)
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장문규,Jang, Moongyu 한국진공학회 2014 진공 이야기 Vol.1 No.4
Thermolectric devices could convert temperature gradient into electricity (Seebeck effect) and electric power into temperature gradient across the themoelectric element (Peltier effect). $Bi_2Te_3$ has been widely used as thermoelectric material for more than 40 years, due to the superior thermoelctric characteristics. However, Bi and Te materials are predicted to face supply shortage, giving strong necessity for the development of new thermoelctric materials. Based on the theoretical prediction, nanostructure are expected to give dramatic enhnacement of thermoelectirc characteristics by controlling phonon propagation. Thus, silicon, which had been considered as improper material for thermoelectricity, is now being considered as strong cadidate material for thermoelectricity. This review will focus on the nanotechnology applied research activities in silicon as thermoelectric materials.
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장문규,Jang, M.G. 한국전자통신연구원 2012 전자통신동향분석 Vol.27 No.1
최근 들어 나노기술의 발전에 힘입어 청정 에너지를 구현할 수 있는 열전소자 분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 열전소자는 태양에너지를 이용한 발전뿐만 아니라, 체열, 폐열 및 지열 등을 이용한 발전 등 응용처가 매우 다양하며, 청정 에너지를 생산할 수 있는 미래 지향적인 특성을 가진 분야라 할 수 있다. 그러나 아직까지 나노기술을 기반으로 한 고효율의 열전소자는 기초 연구수준에서 그 가능성만 일부 선행 연구를 통하여 입증된 상태이다. 본고에서는 최근 들어 나노기술의 접목으로 새로이 주목 받고 있는 열전소자의 동작 원리에 대한 간략한 소개와 특히, 실리콘을 이용한 나노기술의 접목을 통한 열전소자의 최근 연구동향에 대하여 살펴보고자 한다.
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장문규,김약연,최철종,전명심,박병철,이성재,Jang, M.G.,Kim, Y.Y.,Choi, C.J.,Jun, M.S.,Park, B.C.,Lee, S.G. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.5
무어의 법칙을 근간으로 하는 전계효과 트랜지스터는 매 18개월마다 0.7배씩의 성공적인 소형화를 거듭하여 최근에는 50nm 크기로 구성된 약 1억 개의 트랜지스터가 집적된 칩을 생산하고 있다. 그러나 트랜지스터의 크기가 50nm 이하로 줄어들면서는 단순한 소형화 과정은 근본적인 물리적인 한계에 접근하게 되었다. 특히 게이트 절연막의최소 두께는 트랜지스터의 소형화에 가장 직접적인 중요한 요소이나, 실리콘 산화막의 두께가 2nm 이하가 되면서 게이트 절연막을 집적 터널링하는 전자에 의한 누설전류의 급격한 증가로 인하여 그 사용이 어려워지고 있는 추세이다. 따라서 본 논문에서는 트랜지스터의 소형화에 악영향을 미치는 물리적인 한계요소에 대하여 살펴보고, 이러한 소형화의 한계를 뛰어넘기 위한 노력의 일환으로 연구되고 있는 이중게이트 구조의 트랜지스터, 쇼트키 트랜지스터, 나노선을 이용한 트랜지스터 및 분자소자 등의 새로운 소자구도에 대하여 살펴보고자 한다.
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장문규,전명심,노태문,김종대,Jang, M.G.,Jun, M.S.,Roh, T.M.,Kim, J.D. 한국전자통신연구원 2008 전자통신동향분석 Vol.23 No.6
최근 들어 나노기술의 발전에 힘입어 청정에너지를 구현할 수 있는 열전소자분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 열전소자는 태양에너지를 이용한 발전뿐만 아니라 체열, 폐열 및 지열 등을 이용한 발전 등 응용처가 매우 다양하며, 청정에너지를 생산할 수 있는 미래 지향적인 특성을 가진 분야라 할 수 있다. 그러나 아직까지 나노기술을 기반으로한 고효율의 열전소자는 기초 연구수준에서 그 가능성만 일부 선행 연구를 통하여 입증된 상태이다. 따라서 저비용, 고효율의 열전소자를 성공적으로 개발하게 된다면, 기술의 원천성 확보 및 초기 시장 점유에 매우 유리한 입지를 점할 수 있으리라 예측된다. 본 논문에서는 최근 들어 나노기술의 접목으로 새로이 주목받고 있는 열전소자의 동작 원리에 대한 간략한 소개와 이 분야의 최근 연구 동향 및 특허 동향에 대하여 살펴보고자 한다.
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장문규,이진호,Jang, M.G.,Lee, J.H. 한국전자통신연구원 2013 전자통신동향분석 Vol.28 No.5
열전소자는 태양에너지를 이용한 발전뿐만 아니라, 체열, 차량 폐열 및 지열 등의 다양한 폐열을 이용한 발전 등으로 매우 다양하게 활용되고 있다. 하지만 상온부근에서 널리 사용되는 $Bi_2Te_3$의 재료 희귀성으로 인하여 산업화 기술로써의 활용에 어려운 측면이 있다. 이러한 이유로, 최근에는 $Bi_2Te_3$를 대체할 수 있는 새로운 열전재료를 전세계적으로 활발히 연구하고 있다. 본고에서는 최근 들어 나노기술 접목으로 새로이 주목받고 있는 열전소자의 동작 원리에 대한 간략한 소개와 특히, 실리콘을 이용한 나노기술의 접목을 통한 열전소자의 최근 연구 동향에 대하여 살펴보고자 한다.
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교류분석이론에 기초한 부모코칭 프로그램이 부모의 자아개념에 미치는 효과
장문규(Jang, Mun-Gyu),이완정(Lee, Wan-Jeong) 한국영유아보육학회 2013 한국영유아보육학 Vol.0 No.79
본 연구는 교류분석이론에 기반한 부모코칭프로그램이 부모의 자아개념에 미치는 효과를 분석하고자 하였다. 연구를 위해 교류분석이론을 토대로 부모코칭프로그램을 구성한 후 경기도 S시의 부모 22명을 대상으로 12주간 매회 100분씩 총 12회기의 프로그램을 실시하였다. 사전, 사후검사로 부모의 자아개념을 측정하여 유의한 차이를 보이는지 분석하였다. 연구결과 부모코칭프로그램에 참가한 부모의 총 자아개념이 유의하게 증가한 것으로 나타났다. 특히 부모의 자아개념 하위요인 중 자아존중감, 정서안정성, 문제해결력 및 대인신뢰감에서 유의한 차이가 나타났다. The purpose of this study is to analyze the effect of parents coaching program based on transactional analysis theory on parents" self-concept. For the research, after consisting of parents coaching program based on the transactional analysis theory, aimed at 22 parents at S-si, Gyeonggi-do, total 12 sections of program were conducted for 100 minutes every section for 12 weeks. By measuring parents" self-concept with prior and post inspection, it analyzed whether it showed significant difference. In the result of the study, total self-concepts of parents participating in parents coaching program showed increased significantly. Especially among sub-elements of parents" self concept, self-esteem, emotion stability, problem solving ability and interpersonal reliability showed significant difference.
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성건용,장문규,정문연,김승환,박수준,박선희,Sung, G.Y.,Jang, M.G.,Jung, M.Y.,Kim, S.H.,Park, S.J.,Park, S.H. 한국전자통신연구원 2007 전자통신동향분석 Vol.22 No.5
유비쿼터스 라이프케어 기술이란 정보통신망을 이용하여 언제 어디서나 모든 사람이 의료서비스를 제공 받을 수 있고 나아가서는 생활관리서비스를 구현하기 위한 일체의 기술을 의미한다. 본 고에서는 고도화된 정보통신 기술을 바탕으로 인간의 삶의 질 향상이나 인간 능력의 극대화를 위하여 바이오 기술, 나노 기술 등 첨단기술이 접목된 메가컨버전스 기술인 유비쿼터스 라이프케어에 관련된 최신 연구동향을 분석하고자 한다.
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전황수,장문규,Chun, H.W.,Jang, M.G. 한국전자통신연구원 2014 전자통신동향분석 Vol.29 No.1
열전소자는 열에너지를 전기에너지로, 전기에너지를 열에너지로 직접 변환하는데 사용되는 소자로 에너지 절감이라는 시대적 요구에 가장 잘 부응하는 소재이자 기술이다. 이것은 자동차, 우주 항공, 반도체, 바이오, 광학, 컴퓨터, 발전, 가전제품 등 산업전반에서 광범위하게 활용되고 있다. 선진국들은 연구소와 기업을 중심으로 연료효율을 증진시키기 위한 열전소재 연구를 진행하고 있고, 국내에서도 연구소와 대학을 중심으로 수행되고 있다.
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양일석,김종대,장문규,Yang, Y.S.,Kim, J.D.,Jang, M.G. 한국전자통신연구원 2009 전자통신동향분석 Vol.24 No.6
에너지를 절약하고 제품을 축소하기 위하여 전력공급 장치나 전력변환 장치에 사용되는 전력반도체는 전력용 파워스위칭 소자와 제어 IC로 구성되어 전력을 시스템에 맞게 배분하는 제어와 변환기능을 가진 반도체로 단순히 전력을 조절하고 전달하는 역할에서 에너지효율 제고 및 시스템 안정성과 신뢰성을 좌우하는 역할로 확장되어 가고 있고, 교토의정서 등의 지구 온난화 방지노력과 글로벌 환경규제의 확대로 친환경 절전형 부품/시스템 개발이 절실히 요구되는 실정이다. 이에 따라, 본 고에서는 스마트환경, 그린에너지, 예방진단 등 미래 인간생활 대응을 통해 신기술 및 신시장을 창출하는 신성장 동력 분야인 저전력, 고효율, 저발열, 저소음 등 환경 친화적으로 동작하여 에너지 효율 및 $CO_2$ 배출에 직접적인 영향을 미치는 친환경 절전형 전력반도체 기술 동향에 대해 논의하고자 한다.
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어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에서 쇼트키 장벽 높이 변화
이솔,전승호,고창훈,한문섭,장문규,이성재,박경완,Lee, Sol,Jeon, Seung-Ho,Ko, Chang-Hun,Han, Moon-Sup,Jang, Moon-Gyu,Lee, Seong-Jae,Park, Kyoung-Wan 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.3
Ultra thin Er-silicide layers formed by Er deposition on the clean p-silicon and in situ post annealing technique were investigated with respect to change of the Schottky barrier height. The formation of Er silicides was confirmed by XPS results. UPS measurements revealed that the workfunction of the silicide decreased and was saturated as the deposited Er thickness increased up to $10{\AA}$. We found that the silicides were mainly composed of Er5Si3 phase through the XRD experiments. After Schottky diodes were fabricated with the Er silicide/p-Si junctions, the Schottky barrier heights were calculated $0.44{\sim}0.78eV$ from the I-V measurements of the Schottky diodes. There was large discrepancy in the Schottky barrier heights deduced from the UPS with the ideal junction condition and the real I-V measurements, so that we attributed the discrepancy to the $Er_5Si_3$ phase in the Er-silicides and the large interfacial density of trap state of it. p-형 실리콘 기판 위에 수 ${\AA}$ 두께의 어븀 금속을 증착하고, 후열처리 과정을 통하여 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합을 형성하였다. 초고진공 자외선 광전자 분광 실험을 통하여 증착한 어븀의 두께에 따라 어븀-실리사이드의 일함수가 4.1 eV까지 급하게 감소하는 것을 관찰하였으며, X-ray 회절 실험에 의하여 형성된 어븀 실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$상으로 구성되어 있음을 밝혔다. 또한, 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에 알루미늄 전극을 부착하여 쇼트키 다이오드를 제작하고, 전류전압 곡선을 측정하여 쇼트키 장벽의 높이를 산출하였다. 산출된 쇼트키 장벽의 높이는 $0.44{\sim}0.78eV$이었으며 어븀 두께 변화에 따른 상관 관계를 찾기 어려웠다. 그리고 이상적인 쇼트키 접합을 가정하고 이미 측정한 일함수로부터 산출한 쇼트키 장벽의 높이는 전류-전압 곡선으로부터 산출한 값에 크게 벗어났으며, 이는 어븀-실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$ 상으로 구성되어 있고, $Er_5Si_3/p-$형 실리콘 계면에 존재하는 고밀도의 계면 상태에 기인한 것으로 사료된다.
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