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수정된 수평 전개 모델을 이용한 SC-PMOSFET의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델
양광선,박종태,김봉렬 대한전자공학회 1994 전자공학회논문지-A Vol.31 No.1
In this paper, we present the analytical models for substrate current and gate current of stressed SC-PMOSFET using the change of the lateral electric field distribution due to the trapped electron. Calculated Isub and Ig of stressed SC-PMOSFET agree with experimental data. Our model can be very useful explaining the logarithmic time dependence of Isub and Ig. and also the trapped electron distribution.
SC PMOSFET의 수평 전개 모델과 노쇠화 메카니즘
양광선,박종태,김봉렬 대한전자공학회 1994 전자공학회논문지-A Vol.31 No.1
In this paper, we present the analytical models for the change of the lateral electric field distribution and the velocity saturation region length with the electron trapping of stressed SC-PMOSFET in the saturation region. To derive the hot-electron-induced lateral electric field of stressed SC-PMOSFET. Ko's pseudo two dimensional box model in the saturation region which illustrates the analysis of the velocity saturation region is modified under the condition of electron trapping in the oxide near the drain region. From the results, we have the following lateral electric field in the y-direction, that is, E(y) ES1satT.cosh(y/l) qNS1tT.sinh(y/l)/lCox. It is shown that the trapped electrons influence the field in the drain region. decreasing the lateral electric field. Calculated velocity saturaion length increases with the trapped electrons. increasing the drain current of stressed SCPMOSFET. This results well explain the HEIP phenomenon of PMOSFET's.
급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상
양광선,손문회,박훈수,김봉열 한국전기전자재료학회 1991 電氣電子材料學會誌 Vol.4 No.2
급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.