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실리콘 웨이퍼 직접 접합에서 기포형 접합 결합에 관한 연구
문도민,홍진균,유학도,정해도,Mun, Do-Min,Hong, Jin-Gyun,Yu, Hak-Do,Jeong, Hae-Do 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.3
실리콘 웨이퍼 직접 접합을 성공하기 위해서는 양호한 접합면을 구성하여야 하며, 이를 위해 접합면에서 발생하는 주요 결함 중 하나인 기포형 접합 결함을 억제하여야 한다. 본 연구에서는 접합면에서 발생하는 기포형 결함의 상온 접합 및 열처리 과정에서의 거동을 관찰하여 내부의 압력이 증가함을 직접 관찰할 수 있었다. 또한, 대기압 하의 열처리에서 결함이 발생하지 않는 $SiO_2$-$SiO_2$ 접합 웨이퍼가 진공에서의 열처리에서 결함이 발생하는 현상을 통해 기포형 결함의 내부 압력과 성장과의 관계를 실험을 통하여 증명할 수 있었다. The success of SDB (silicon wafer direct bonding) technology can be estabilished by bonding on the bonded interface with no defects and Preventing temperature dependent bubbles. In this research, we observed the behavior of the intrinsic bubbles by transmitting the infrared light and the increase of the bubble pressure was found. And, the $SiO_2$-$SiO_2$ bonded wafer was achieved, which generates no intrinsic bubbles in the annealing under the atmospheric pressure. The intrinsic bubbles in the $SiO_2$-$SiO_2$ bonded wafer were generated in the annealing in the ultra high vacuum. This experimental result shows the relation between the bubble growth and the pressure.
정해도,문도민,강성건,류근걸 釜山大學校生産技術硏究所 1997 生産技術硏究所論文集 Vol.52 No.-
SOI(Silicon On Insulator)기술은 MOS(Metal-Oxide Semiconductor), CMOS(Complementary MOS)등의 전자집적회로 제조시 소자의 고속화, 고집적화, 저전력화, 발열 특성의 향상 등의 효과를 기대할 수 있다. 간략하게 Bonded SOI웨이퍼의 제조를 설명하면 SiO₂를 성장시킨 웨이퍼와 경면 가공한 다른 웨이퍼를 접합하여 열처리 등 후공정을 행한 후 한쪽 웨이퍼를 원하는 두께만큼 박막으로 가공한다. 본 연구에서는 기본적인 Bonded SOI 웨이퍼의 제조 공정 기술을 획득하고, 이를 통해 두께 3㎛ 이하, 표면거칠기 5Å이하의 상부 실리콘 박막을 가공하였다. SOI(Silicon On Insulator) technology is many advantages in the fabrication of MOS(Metal-Oxide Semiconductor) and CMOS(Complementary MOS) structures. These include high speed, lower dynamic power consumption, greater packing density, increased radiation tolearence et al. In the smiplest form of bonded SOI wafer manufacturing, creating, a bonded SOI structure involves oxidizing at least one of the mirror polished silicon surfaces, cleaning the oxidized surface and the surface of the layer to which it will be bonded, bringing the two cleanded surfaces together in close physical proximity, allowing the subsequent room temperature bonding to proceed to completion, and then following this room temperature joining with some form of heat treatment step, and device wafer is thinned to the target thickness. In this paper, The process of Bonded SOI wafer manufacturing is described briefly, and we made an attempt to manufacture the Bonded SOI safer that Si layer thickness is below 3㎛ and average roughness is below 5Å.