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김득영,신동호 대한전자공학회 1994 전자공학회지 Vol.21 No.8
본 논문에서는 차세대 유망산업으로 떠오르고 있는 광전산업 중 정보통신용 광전부품의 소개 및 시장전망, 그리고 주요 부품들의 기술개발 동향에 관하여 개괄 하였다. 광전산업이라는 용어가 다소 생소하기는 하지만 해외 기술선진국에서는 이미 이 분야에 막대한 기술력을 투입 상당한 수준의 기술을 확보하여 후발국을 상대로한 기술위협을 가하고 있다. 우리나라에서도 수년 전 부터 정보통신, 정보처리산업이 크게 일어나기 시작하면서 이 분야 핵심요소기술이라 할 수 있는 광전자 기술의 중요성이 부각, 부분적으로는 상당한 기술이 확보되어 있으나 아직도 해결해야 할 요소 기술들이 산적해 있다. 광전부품의 종류와 그 응용범위는 매우 다양하지만 본고에서는 정보통신용 광전부품에 국한하여 주요 부품들을 소개하고자 한다.
Fabry-Perot형 TiO_2/SiO_2 다층 박막구조의 제작 및 광학적 특성
김득영 東國大學校 1997 東國論叢 Vol.36 No.-
The single and multiple dielectric thin films of SiO_2 and TiO_2 have been coated by the RF magnetron sputter method, and its optical properties were evaluated with a view to investigate application as the Fabry-Perot filter for optical communication. From the measurement of reflectance and transmittance of single-TiO_2 thin film coated an glass substrate. the refractive index of TiO_2 film is evaluated with 2.170 at 1550 nm. The distributions of thic kness of TiO_2 and SiO_2 films coated on 2inch-diameter Si water were very uniform with values of 170 nm∼176 nm and 262nm∼268nm. respectively. Reflectances of SiO_2/TiO_2 alternative multiple layer coated on glass substrate or endface of optical fiber were increased as increasing of numer of layer. Reflectances from the 23-layered SiO_2/TiO_2 alternative multiple thin film coated on glass and optical fiber is near 100% and this agree well with theoretical value.
AlGaAs/GaAs HBT의 DC 파라미터에 미치는 온도영향의 해석
김득영,박재홍,송정근 대한전자공학회 1996 전자공학회논문지-A Vol.33 No.12
In AlGaAs/GaAs HBT the temperature dependence of DC parameters was investigated over the temperature range between 95K and 580K. The temperature dependence of DC parameters depends on the relative contribution of each of the current components suc as emitter-injection-current, base-injection-current, bulk recombination current, interface recombination curretn, thermal generation ecurrent and avalanche current due to impact ionization within the collector space charge layer in a specific temperature. In this paper we investigated the temperature effects on DC parameters such as V$_{BE,ON}$ current gain, input and output characteristics, V$_{CE, OFF}$, R$_{E}$, R$_{C}$ and analyzed the origins, and extracted the qualitativ econditions for a stable HBTs against the temperature variation. Finally, in order to keep HBTs stable with respect to the variation of temperature, the valance-band-energy-discontinuity at emitter-base heterojunction should be large enough to enhance the effect of carrier suppression at a relatively high temperature. In addition the recombination centers, especially around collector junction, should be removed and the area of emitter and collector junction should be identical as well.
AlGaAs/GaAs계 VSIS 레이저 다이오드의 종방향 특성해석을 위한 Simulation
김득영 동국대학교 산업기술연구원 1997 산업기술논문집 Vol.9 No.-
GaAs계 정보처리용 고출력 반도체 레이저 다이오드의 소자설계를 위한 시뮬레이션을 수행하였다. 본 연구에 이용된 레이저 다이오드의 구조는 굴절률 도파형의 V-grooved substrate inner stripe 구조이며, 광출력, 활성층의 두께 및 광도파층의 두께 등을 변수로 설정하였다. 시뮬레이션은 이들 변수에 의한 유효굴절률, 소광계수, 이득분포 및 필드패턴 등의 특성을 레이저 다이오드 구조에서의 종방향 거리에 따라 분석하는 방법으로 수행하였다. 도파층과 활성층의 두께가 일정할 때 광출력이 높아질수록 중심에서의 유효굴절률은 높아지고 소광계수는 낮아짐을 알 수 있었다. 근시야상의 세기는 광출력, 활성층의 두께 및 도파층의 두께 변화에 따라 중심에서의 값이 다르게 나타났으나 원시야상의 세기는 이들 조건에 무관하게 중심에서는 일정한 값으로 나타났다. In this work, the index guided type of AlGaAs/GaAs laser diode was simulated for device modeling. The V-grooved substrate inner stripe structure was used as a modeling structure. The output power, thickness of active layer, and thickness of guided layer were varied as a simulation parameters. The equivalent refractive index, extinction coefficient and field patterns are simulated as a function of lateral distance using these simulation parameters. Under constant thickness of active layer and guided layer, equivalent index is increase and extinction coefficient is decrease for high output power. The intensities of near field pattern are different at center with variation of parameters, howerver the intensities of far field pattern are same having a no connection with simulation parameters.