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함성호,송경,고건일,김재백,손동환,Ham, Seong-Ho,Song, Kyung,Ko, Gun-Il,Kim, Jae-Baek,Sohn, Dong-Hwan 한국약제학회 1994 Journal of Pharmaceutical Investigation Vol.24 No.3
Drug delivery system by the use of red blood cells was established to sustain the release of drugs in the circulatory system by the intravenous injection. The entrapment method by the preswelling technique was re-examined and evaluated for searching the new entrapping conditions without hemolysis. The addition of 4 volume of $0.6{\times}\;hank's$ balanced salt solution (HBSS) into 1 volume of 50% red blood cells suspension did not induce the hemolysis and change the hematocrit level in this experimental condition (within 15 min). Most of daunorubicin could be entrapped into red blood cells within 15 min. While the intracellular adenosine triphosphate (ATP) level followed by the entrapment was reduced to 86% of normal ATP level, the membrane fluidity and the shape factor of red blood cells were not altered. The release rate of daunorubicin from red blood cells was affected by the hemolysis under this condition. To maintain the intracellular ATP in red blood cells, the new reaction buffer was made With the addition of ATP and sodium pyruvate during the entrapment procedure because the hemolysis during the release test would reflect the loss of intracellular ATP that might result in the decrease of the viability in vivo. The addition of ATP raised the intracellular ATP level, which protect the hemolysis during the release test.
Alkyl/Vinyl-표면개질된 Nanosilicas의 LSR-나노콤포지트 HVDC 전기적 및 기계적 특성
함성호(Seong Ho Ham),송창훈(Chang Hun Song),최승민(Seung Min Choi),장희수(Hee Soo Jang),유재우(Jae Woo Yoo),윤영빈(Young Been Yoon),이병훈(Byung Hun Lee),김찬성(Chan Seong Kim),조승민(Seung Min Jo),이지희(Ji Hee Lee),박재준,김영선(Young 대한전기학회 2020 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2020 No.7
나노 실리카의 친수성 표면은 다양한 비율의 알킬실란 및 비닐 실란 커플 링 제로 변형시킴으로써 소수성 특성으로 변화된다. 실리콘 고무 나노 복합체에서 고전압 직류(HVDC) 항복 전압 및 인장 특성에 대한 개질 된 나노 실리카의 효과를 중전기 장비에 적용하기 위해 연구 하였다. 표면 개질은 푸리에-변형 적외선 분광법 (FT-IR) 분석에 의해 확인되고 알킬 / 비닐 커플 링제의 중량은 열 중량 분석 (TGA)에 의해 측정된다. 실리콘 고무 나노 복합물은 액체 실리콘 고무(LSR)와 개질 된 나노 실리카를 혼합함으로써 제조된다. LSR대 나노 실리카의 혼합비는 20 중량 %로 고정된다. LSR 매트릭스에서 나노 실리카 입자의 균일 한 분산을 관찰하기 위해, 투과 전자 현미경 (TEM)이 사용되고 표면-개질 된 나노 실리카는 20 내지 100 nm 크기의 나노 클러스터 형태로 잘 분산되어있는 것으로 밝혀졌다. 알킬 실란 : 비닐 실란의 표면 개질 비가 50 일 때 전기적 특성 (± HVDC 파괴 강도 및 유전 특성)및 기계적 특성 (인장 강도 및 파단 신율)이 추정되며 ± HVDC 파괴 강도 및 인장 강도가 최대 : 50 중량 %.
RUO$_2$/GaN 쇼트키 다이오드 형 자외선 수광소자
신상훈,정병권,배성범,이용현,이정희,함성호,Sin, Sang-Hun,Jeong, Byeong-Gwon,Bae, Seong-Beom,Lee, Yong-Hyeon,Lee, Jeong-Hui,Ham, Seong-Ho 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.10
사파이어 기판 위에 성장된 GaN위에 RUO₂/GaN 쇼트키형 자외선 수광소자를 설계, 제작하였다. 자외선 빛의 흡수율을 높이기 위해, MOCVD 다층구조는 undoped GaN(0.5 ㎛)in ̄-GaN(0.1 ㎛)/n+-GaN(1.5 ㎛)로 성장하였다. 성장층은 3.8×10/sup 18/ cm ̄³의 캐리어 농도와 283 ㎠/V· s의 이동도를 가진다. 500 ㎛내외의 직경을 가지는 메사구조를 형성하기 위해 ECR 식각한 후, n+-GaN층위에 Al으로 저항성 접촉을 하였다. 저항성 및 쇼트키 접촉 사이에 Si₃/N₄ 박막으로 절연한 이후 undoped GaN 층위에 RuO₂ 쇼트키 접촉을 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 1.15×10/sup -5/ [Ω-㎠]의 접촉비저항을 가졌다. 제작된 다이오드는 역전압인 -5V에서 305pA의 낮은 누설전류를 확인하였는데, 이 값은 RuO₂ 쇼트키 금속증착에 의해 현저히 향상된 것이다. 광측정에서는 10/sup 5/의 자외선대가시광선 제거비와 365nm 파장에서 0.23A/W로 높은 응답도를 보인다. A RuO$_2$ Schottky photo-detector was designed and fabricated with GaN layers on the sapphire substrate. For good absorption of UV light, an epitaxial structure with undoped GaN(0.5 ${\mu}{\textrm}{m}$)/n ̄-GaN(0.1${\mu}{\textrm}{m}$)/n+-GaN(1.5${\mu}{\textrm}{m}$) was grown by MOCVD. The structure had the carrier concentrations of 3.8$\times$10$^{18}$ cm ̄$^3$, the mobility of 283$\textrm{cm}^2$/V.s. After ECR etching process for mesa structure with the diameter of about 500${\mu}{\textrm}{m}$, Al ohmic contact was formed on GaN layer. After proper passivation between the contacts with Si$_3$/N$_4$, was formed on undoped GaN layer. The fabricated Schottky diode had a specific contact resistance of 1.15$\times$10$^{-5}$ [$\Omega$.$\textrm{cm}^2$]. It has a low leakage current of 305 pA at -5 V, which was attributed by stable characteristics of RuO$_2$ Schottky contact. In optical measurement, it showed the high UV to visible extinction ratio of 10$^{5}$ and very high responsivity of 0.23 A/W at the wavelength of 365nm.