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조동일,류성열,Cho, Dongil-Il,Rhew, Sung-Yul 한국정보처리학회 2008 정보처리학회논문지D Vol.15 No.4
기업의 웹 기반 인트라넷 시스템은 객체지향 언어로 개발되고, 데이터의 관리는 RDBMS를 이용하여 구축된다. 두 시스템은 이질적 패러다임에 기인하여 모델의 불일치성을 발생시킨다. 이 문제를 해결하고자 사용되는 ORM 프레임워크는 RDB의 테이블과 객체지향 언어의 객체를 매핑하는 구조로 응용프로그램의 개발이 복잡하고, 변경에 유연하지 못하여 기업형 인트라넷 시스템의 개발 및 유지보수에 어려움을 준다. 본 연구에서는 기존 ORM 프레임워크의 복잡성을 해소하고, 변경에 유연하여 기업의 인트라넷 시스템에 적합한 퍼시스턴스 프레임워크를 제안한다. 제안한 퍼시스턴스 프레임워크는 테이블의 엔티티와 객체를 매핑하는 매핑 메타정보가 불필요하고, 소스코드를 자동 생성하여 개발 및 유지보수의 편의성을 제공하고, 변경에 유연하다. 제안 프레임워크는 Hibernate, iBATIS와의 테스트 결과 iBATIS와는 처리속도가 비슷했으나 iBATIS는 대용량 데이터 처리시 문제를 나타냈으며, Hibernate보다 약 3배 빠른 속도를 보였다. Web-based Enterprise Intranet System is developed Object-oriented programming language and data management is constructed using RDBMS. Between Object-oriented programming language and RDBMS bring about "Object-Relational Impedance Mismatch" due to heterogeneous paradigm. To solve this kinds of problems commonly use the ORM Framework that it is converting data between incompatible type systems in databases and object-oriented programming languages, uses complex mapping metadata. It causes difficult to develop and maintain because of inflexible in changes. This paper proposed persistence framework that solve the existing complexity of ORM framework and has more flexible in evolution of database table. This persistence framework is unnecessary meta information that connecting with entity of database table and the objects, it offers users convenience of maintenance and it allows far more flexible and affordable systems to be built because of automatically code generation. The result of testing based on the proposed persistence framework with Hibernate, iBATIS, It is similar response time with iBATIS and it has more about three times faster than Hibernate. But iBATIS has problems of mass data processing.
MEMS 공정을 위한 여러 종류의 산화막의 잔류응력 제거 공정
李相佑,김성운,李尙禹,김종팔,박상준,이상철,조동일 경북대학교 센서기술연구소 1998 센서技術學術大會論文集 Vol.9 No.1
Various oxide films are commonly used as a sacrificial layer or etch mask in the fabrication of microelectromechanical systems (MEMS). Large residual strain of these oxide films cause the wafer to bow, which can have detrimental effects on photolithography and other ensuing processes. This paper investigates the residual strain of tetraethoxysilane (TEOS), low temperature oxide (LTO), 7wt% and lOwt% phosphosilicate glass (PSG). Euler beams and a bent-beam strain sensor are used to measure residual strain. A polysilicon layer is used as a sacrificial layer, which is selectively etched away by XeF_(2). First, the residual strain of as-deposited films is measured, which is quite large. These films are annealed at 500℃, 600℃, 700℃ and 800℃ for 1 hour and residual strain is measured. Then, the residual strain after annealing at the conditions for depositing a 2μm thick polysilicon at 585℃ and 625℃ are also measured. Our results show that the 7wt% PSG is best suited as the sacrificial layer for 2μm thick polysilicon processes.