소수력 발전용 30kW급 매입영구자석형 동기발전기의 역기전력 개선

정학균(Hak-Hyun Jeong),소지영(Ji-Young So),정동화(Dong-Hwa Chung),조종현(Chong-Hyoun Cho),김대경(Dae-Kyong Kim) 대한전기학회 2013 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2013 No.10

풍력발전산업의 기술분석 및 기술로드맵 수립

정학남,이운식 대한산업공학회 2013 대한산업공학회 춘계학술대회논문집 Vol.2013 No.5

도핑분포함수의 형태에 따른 DGMOSFET의 문턱전압이하특성

정학기,Jung, Hak-Kee 한국정보통신학회 2012 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.6

본 연구에서는 가우스분포함수의 형태에 따라 DGMOSFET에 스켈링이론을 적용하였을 때 문턱전압이하특성의 변화를 분석하고자 한다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구할 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석할 것이다. 스켈링이론은 소자파라미터의 변화에 대하여 출력특성을 변함없이 유지하기 위하여 적용하는 이론이다. DGMOSFET에 스켈링이론을 적용한 결과, 가우스함수의 형태에 따라 문턱전압이하 특성이 매우 크게 변화하였으며 특히 문턱전압의 변화는 상대적으로 매우 크게 나타난다는 것을 관찰하였다. This paper have presented the change for subthreshold characteristics for double gate(DG) MOSFET based on scaling theory and the shape of Gaussian function. To obtain the analytical solution of Poisson's equation, Gaussian function been used as carrier distribution and consequently potential distributions have been analyzed closely for experimental results, and the subthreshold characteristics have been analyzed for the shape parameters of Gaussian function such as projected range and standard projected deviation. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the subthreshold chatacteristics. The scaling theory is to sustain constant outputs for the change of device parameters. As a result to apply the scaling theory for DGMOSFET, we know the subthreshold characteristics have been greatly changed, and the change of threshold voltage is bigger relatively.

作業測定技法에 의한 標準時間의 全體的인 變化에 대한 分析

鄭鶴基 大田工業大學 1989 한밭대학교 논문집 Vol.6 No.1

In the establishment of standard time, the accuracy of work measurement techniques depends upon many factors which vary randomly. By using of a particular measurement technique, as it is affected by the random variation, one can assess the influence on accuracy of the major factors and appraise the value of remedial measures.

위험하의 시설과채농가 재배면적변화 분석 -남부지방 오이사례를 중심으로-

정학균 ( Hak Kyun Jeong ),이태호 ( Tae Ho Lee ),김관수 ( Kwan Soo Kim ) 한국농업경제학회 2009 農業經濟硏究 Vol.50 No.3

Full 밴드 몬테칼로 시뮬레이션을 이용한 GaAs 임팩트이온화에 관한 연구

정학기 대한전자공학회 1996 전자공학회논문지-A Vol.33 No.11

Impact ionization model in GaAs has been presented by modified keldysh formula with two sets of power exponent of 7.8 and 5.6 in study. Impact ionization rate is derived from fermil's golden rule and ful lenergy band stucture based on empirical pseudopotential method. Impact ionization rates show anisotropic property in low energy region (<3eV), but isotropic in high energy region (3>eV). Full band monte calo simulator is coded for investigating the validity of the GaAs impact ionization model, and validity is checked by comparing impact ionization coefficients with experimental values and ones in anisotropic model. Valley transitions to energy alteration are explained by investigating electron motion in brillouin zone for full band model to electric field variation.

농축산식품분야 온실가스 감축사업 및 제도 현황

정학균,임영아,성재훈,이현정,이길재 한국농촌경제연구원 2019 한국농촌경제연구원 기본연구보고서 Vol.- No.-

문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단채널효과의 관계

정학기,Jung, Hak-Kee 한국정보통신학회 2012 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.7

본 연구에서는 문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론이 단채널효과에 미치는 영향을 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 출력특성을 일정하게 유지하기 위하여 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭 주파수를 해석하였다. 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하기 위하여 문턱전압, 드레인유기장벽감소 및 문턱전압이하 스윙 등을 스켈링 인자에 따라 관찰하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였다. 분석결과 단채널효과 중 문턱전압이 스켈링 인자에 가장 큰 영향을 받는다는 것을 관찰하였다. 특히 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명하였다. This paper has presented the influence of scaling theory on short channel effects of double gate(DG) MOSFET in subthreshold region. In the case of conventional MOSFET, to preserve constantly output characteristics,current and switching frequency have been analyzed based on scaling theory. To analyze the results of application of scaling theory for short channel effects of DGMOSFET, the changes of threshold voltage, drain induced barrier height and subthreshold swing have been observed according to scaling factor. The analytical potential distribution of Poisson equation already verified has been used. As a result, it has been observed that threshold voltage among short channel effects is grealty changed according to scaling factor. The best scaling theory for DGMOSFET has been explained as using modified scaling theory, applying weighting factor reflected the influence of two gates when scaling theory has been applied for channel length.

Analysis of Subthreshold Swing of Junctionless Cylindrical Surrounding Gate MOSFET Using Stacked High-k Gate Oxide

정학기 한국전기전자재료학회 2022 Transactions on Electrical and Electronic Material Vol.23 No.2

An analytical subthreshold swing model of a junctionless cylindrical surrounding (JLCSG) MOSFET is presented using the potential distribution obtained by the Poisson equation and the definition of the SS. The SS is analyzed when the stacked high-k dielectrics changes to SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2 /ZrO2, La2O3, and TiO2 , using this analytical SS model. As a result, the higher the dielectric constant of the stacked high-k dielectric, the smaller the SS. Also the larger the silicon radius and the thickness of the stacked dielectric, and the smaller the work function of the gate metal, the greater the degree of reduction of the SS. When the stacked high-k dielectric is replaced from SiO2 to TiO2 , it could be reduced up to 95 mV/dec under the channel length of 20 nm, the silicon radius of 10 nm, and the work function of gate metal of 4.5 eV.

<만복사저포기>와 <이생규장전>의 작품 세계와 전기 미학에 대한 재성찰

정학성 ( Hak Sung Chung ) 한국고전문학회 2013 古典文學硏究 Vol.44 No.-

본고에서는 『금오신화』중 <만복사저포기>와 <이생규장전> 두 작품에 대해 환상과 현실, 낭만성과 비극성이 교직된 그미학적 특징들과 함께 작품의 의미와 구조 등을 재검토하면서 이를 전기의 양식적 전통과 작가 의식 및 세계관의 문제와 연관하여 논의해 보았다. 두 작품에서 전란은 유약한 인간에게 가해지는 현실의 폭력적이고 억압적인 본질을 간명하게 드러내 주고 있으며, 이를 계기로 한 비극적 서사를 통해서 작품은 당대인의 인간적 고뇌와 염원, 작가의 도덕적 이상이나 윤리관을 선명하게 각인시킬 수 있는 미적 효과를 거두고 있다. 중의성을 지닌 환상 및 낭만성과 결합된 비극미를 통해 두 작품은 인간 존재와 삶의 덧없음을 조명하는 한편, 억압적인 당대 사회와 도덕규범에 대해 문제를 제기하고, 인간성의 해방에 대한 신념을 구현하고 있으며, 여기에는 작가의 진보적 윤리사상과 함께 동시대의 불행한 희생자들에 대한 애도의 정신이 투영되어 있다. 이 같은 비극성은 『금오신화』의 여타 작품과는 준별되 는 것으로서 환상과 교직되어 있으나 현실주의적 세계관에 기초해 있으며, 초월적 세계관의 개입은 비극적 분투를 매개하는 보조적인 서사 장치나 예술적 방편으로 기능하며 구원과 위무를 위해 비극성을 잠정적으로 해소·완화시키기도 한다. 이러한 두 작품의 주제의식이나 전기 미학은 전대 전기소설의 미학과 소설적 성취를 적극 계승·발전시켜 創新한 것이며 소설 수법에서도 점철성금의 경지를 이루고 있다. This paper reviews the aesthetic of Manboksajoepoki[萬福寺樗蒲記] and Leesaengkyujangjeon[李生窺墻傳] which has been aroused through intertwining of the fantasy and the reality, the romance and the tragedy. It also explores the stories’ meaning and structure that are closely related to genre tradition of jeonki[傳奇] and the writer`s worldview. In these works the war drives the narrative into tragedy, thus, it has an aesthetical effects of focusing on the human desire and ethical belief to fight against the violent reality. The reality is mixed with the fantasy while tragic aesthetic overlaps the romance, these stories lead the reader to think of resistance to the medieval society and criteria that stifles the humanity. Moreover, as the female characters express their suppressed desire in the works, the writer brings women`s desire and human emancipation into questions. At the very point, the author reflects his spirit of resistance, progressive ethical idea and sentiment of condolence for victims who had to sacrifice their desire for the medieval ideology. Although the tragedy combines with the fantasy, it is based on the realism because -even though the intervention of transcendental world relieves and resolves the tragedy ‘temporally’- the fantasy mainly functions as no more than a narrative device to mediate tragic struggles. The jeonki aesthetic of two works is completed as they actively succeed and develop the former jeonki tradition. The techniques of the fiction[小說] also reaches a higher standard here ever before.