http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
SiO<sub>2</sub>/P+ 컬렉터 구조를 가지는 1700 V급 고전압용 IGBT의 설계 및 해석에 관한 연구
이한신,김요한,강이구,성만영,Lee Han-Sin,Kim Yo-Han,Kang Ey-Goo,Sung Man-Young 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.10
In this paper, we propose a new structure that improves the on-state voltage drop and switching speed in Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs), which can be widely used in high voltage semiconductors. The proposed structure is unique in that the collector area is divided by $SiO_2$, whereas the conventional IGBT has a planar P+ collector structure. The process and device simulation results show remarkably improved on-state and switching characteristics. Also, the current and electric field distribution indicate that the segmented collector structure has increased electric field near the $SiO_2$ corner, which leads to an increase of electron current. This results in a decrease of on-state resistance and voltage drop to $30%{\sim}40%$. Also, since the area of the P+ region is decreased compared to existing structures, the hole injection decreases and leads to an increase of switching speed to 30 %. In spite of some complexity in process procedures, this structure can be manufactured with remarkably improved characteristics.
600V급 트렌치 게이트 LDMOSFET의 전기적 특성에 대한 연구
이한신(Han Sin Lee),강이구(Ey Goo Kang),신아람(Aram Shin),신호현(Ho Hyun Shin),성만영(Man Young Sung) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
본 논문에서는 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET을 구조적으로 개선하여, 600V 이상의 순방향 항복 전압을 갖는 파워 MOSFET을 설계 하였다. 본 논문에서 제안한 구조로 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET에 비하여 더욱 높은 순방향 항복 전압을 얻었다. 또한, 기존의 LDMOS 구조로 500V 이상의 항복 전압을 얻기 위해서 100㎛ 이상의 크기를 필요로 했던 반면에, 본 논문에서 제안한 소자의 크기 (vertical 크기)는 50㎛로서, 소자의 소형화 및 고효율화 측연에서 더욱 우수한 특성을 얻었다. 본 논문은 2-D 공정시뮬레이터 및 소자 시뮬레이터를 바탕으로, 트렌치 옥사이드의 두께 및 폭, 에피층의 두께 변화 등의 설계변수와 이온주입 도즈 및 열처리 시간에 따른 공정변수에 대한 시뮬레이션을 수행하여, 본 논문에서 제안한 구조가 타당함을 입증하였다.
트렌치 게이트 IGBT 에서의 공정 및 설계 파라미터에 따른 항복 전압 특성에 관한 연구
신호현,이한신,성만영,Shin, Ho-Hyun,Lee, Han-Sin,Sung, Man-Young 한국전기전자재료학회 2007 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.5
In this paper, effects of the trench angle($\theta$) on the breakdown voltage according to the process parameters of p-base region and doping concentrations of n-drift region in a Trench Gate IGBT (TIGBT) device were analyzed by computer simulation. Processes parameters used by variables are diffusion temperature, implant dose of p-base region and doping concentration of n-drift region, and aspects of breakdown voltage change with change of each parameter were examined. As diffusion temperature of the p-base region increases, depth of the p-base region increases and effect of the diffusion temperature on the breakdown voltage is very low in the case of small trench angle($45\;^{\circ}$) but that is increases 134.8 % in the case of high trench angle($90\;^{\circ}$). Moreover, as implant dose of the p-base region increases, doping concentration of the p-base region increases and effect of the implant dose on the breakdown voltage is very low in the case of small trench angle($45\;^{\circ}$) but that is increases 232.1 % in the case of high trench angle($90\;^{\circ}$). These phenomenons is why electric field concentrated in the trench is distributed to the p-base region as the diffusion temperature and implant dose of the p-base increase. However, effect of the doping concentration variation in the n-drift region on the breakdown voltage varies just 9.3 % as trench angle increases from $45\;^{\circ}$ to $90\;^{\circ}$. This is why magnitude of electric field concentrated in the trench changes, but direction of that doesn't change. In this paper, respective reasons were analyzed through the electric field concentration analysis by computer simulation.
16 V 급 NMOSFET 소자의 낮은 게이트 전압 영역에서 출력저항 개선에 대한 연구
김영목,이한신,성만영,Kim, Young-Mok,Lee, Han-Sin,Sung, Man-Young 한국전기전자재료학회 2008 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.2
In this paper we proposed a new source-drain structure for N-type MOSFET which can suppress the output resistance reduction of a device in saturation region due to soft break down leakage at high drain voltage when the gate is biased around relatively low voltage. When a device is generally used as a switch at high gate bias the current level is very important for the operation. but in electronic circuit like an amplifier we should mainly consider the output resistance for the stable voltage gain and the operation at low gate bias. Hence with T-SUPREM simulator we designed devices that operate at low gate bias and high gate bias respectively without a extra photo mask layer and ion-implantation steps. As a result the soft break down leakage due to impact ionization is reduced remarkably and the output resistance increases about 3 times in the device that operates at the low gate bias. Also it is expected that electronic circuit designers can easily design a circuit using the offered N-type MOSFET device with the better output resistance.
윤경섭(Kyung-Seob Yoon),이현재(Hyeon-Jae Lee),김락현(Rack-Hyeon Kim),이한신(Han-Sin Lee) 한국컴퓨터정보학회 2015 한국컴퓨터정보학회 학술발표논문집 Vol.23 No.1
모바일 게임 시장이 날이 갈수록 발전하고 성장하는 가운데 Unity 게임 엔진은 하나의 코드로 여러 플랫폼에서 동작하도록 하여 게임 개발이 전문가들만이 개발할 수 있는 영역이 아닌 누구나 쉽게 개발할 수 있도록 해주는 환경으로 인기를 받고 있다. 이에 따라 Unity 엔진을 이용하여 퍼즐 게임과 타워 디펜스 장르를 합친 퍼즐디펜스로 복합장르를 적용한 게임을 개발하였다.