http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
양전자 소멸 측정법으로 양성자 조사에너지 변화에 대한 n, p형 실리콘 구조 특성
이종용,Lee, Chong Yong 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6
The n-type and p-type silicon samples were exposed by 40.0, 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$. Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy (CDBPAS) were applied to study of defect characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the gamma spectrum and the total counts of whole gamma spectrum. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam that indicated the defects generate more, rather than the energy intensity. 40 MeV irradiated proton beam in the n-type silicon at $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$ was larger defects than 3.98 MeV irradiated proton beam. It was analysis between the proton irradiation beams and the proton intensities of the irradiation. Because of the Bragg peak, SRIM results shows mainly in a certain depth of the sample to form the defect by the proton irradiation, rather than the defects to appear for the entire sample. 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 n형과 p형 실리콘 시료에 40.0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 시료 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지에 의한 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수는 시료에 조사된 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 그리고 40 MeV 양성자 빔의 세기는 n형 실리콘에서 빔의 조사량 $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$에서 3.98 MeV 보다 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다. 그 결과 조사에 너지와 조사량의 상관관계를 비교 분석하였다. SRIM 시뮬레이션의 결과는, 양성자의 Bragg 피크 특성 때문에 시료 전체에 대한 결함으로 나타나기 보다는 양성자가 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하는 것을 보여 준다.
양전자 소멸 수명 측정에 의한 양성자 조사된 BaSrFBr : Eu 박막 특성
임유석,이종용,Im, Yu-Suk,Lee, Chong-Yong 한국재료학회 2010 한국재료학회지 Vol.20 No.6
Positron annihilation lifetime spectroscopy is applied to BaSrFBr : Eu film which is used for the phosphore layer, and afterwards the reliability and self-consistency of source corrections in the positron lifetime spectroscopy is investigated using a $^{22}Na$ positron emitter covered by thin foils. The positron lifetime showed no significant change through the various proton irradiation energies. It is unusual that the measurements of the defects indicate that most of the defects were likely to have been generated by X-ray radiation. This may have resulted from the Bragg peaks of the proton characteristics. The Bragg peak does not affect the defect signals enough to distinguish the lifetimes and intensities in a material that is includes multi-grains. The lifetime ($\tau_1$) associated with positron annihilations in the Ba, Br, and Eu of the sample was about 250 ps, and due to the annihilations at F-centers or defects from the irradiated protons in sample, the lifetime ($\tau_2$) was about 500 ps.
X선 조사에 의해 (Ba, Sr) FBr : Eu 형광 물질에 생성되는 결함 특성
신중기,이종용,배석환,김재홍,권준현,Shin, Jung-Ki,Lee, Chong-Yong,Bae, Seok-Hwan,Kim, Jae-Hong,Kwon, Jun-Hyun 한국재료학회 2008 한국재료학회지 Vol.18 No.8
The mechanical property of a phosphore layer was investigated by measuring the resolution (LP/mm) and by positron annihilation spectroscopy and SEM. Image plate samples containing the phosphore layer were irradiated by X-rays in a hospital numerous times over a course of several years. The LP/mm values of a (Ba,Sr)FBr : Eu image plate irradiated by X-rays varied between 2.2 and 2.0 over a period of four years. Coincidence Doppler Broadening (CDB) positron annihilation spectroscopy was used to analyze defect structures. The S parameters of the samples from hospital use varied from 0.6219 to 0.6232. There was a positive relationship between the time of exposure to the X-rays and the S parameters. Most of the defects were found to have been generated by X-rays.
이권희,배석환,이종용,Lee, Kwon Hee,Bae, Suk Hwan,Lee, Chong Yong 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.5
양전자 소멸 분광법으로 발광 박막 시료에 3.0 MeV 에너지를 가진 양성자 빔을 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$의 조사에 의해 생성된 결함을 측정하여 박막구조 특성에 대하여 실험하였다. 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸법 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하고, 양전자 수명 측정 방법에 의한 양전자 수명 ${\tau}_1$과 ${\tau}_2$, 이에 따른 세기 $I_1$과 $I_2$를 사용하여, 박막구조에 대한 결함 특성 변화를 측정하였다. 측정된 S-변수는 박막에 조사된 양성자의 빔 조사량에 따라 양성자가 빈자리에 포획되어 감소하는 값을 보였다. 양전자 수명 ${\tau}_1$은 증가하고, ${\tau}_2$은 일정한 값을 나타내었으나, 반면에 세기 $I_1$과 $I_2$는 큰 변화가 없었다. 그 이유는 양성자 조사 빔의 변화에 따라서 단일 빈자리의 크기는 증가하고, 다 결정체 알갱이 빈자리 때문에 양성자에 의한 다수의 빈자리 결함의 양은 큰 차이가 없기 때문이다. 그리고 Bragg 피크로 인하여 박막 시료의 특정 깊이에 결함을 형성하여 박막 전체의 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다. It is described that the proton beam induces micro-size defects and electronic deep levels in luminescence Thin Film. Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy (CDBPAS) and Positron lifetime Spectroscopy were applied to study of characteristics of a poly crystal samples. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S-parameter value. The samples were exposed by 3.0 MeV proton beams with the intensities ranging between 0 to ${\sim}10^{14}$ particles. The S-parameter values decreased as increased the proton beam, that indicates the protons trapped in vacancies. Lifetime ${\tau}_1$ shows that positrons are trapped in mono vacancies. Lifetime ${\tau}_2$ is not changed according to proton irradiation that indicate the cluster vacancies of the grain structure.
이일수(Ilsu Rhee),추교진(Gyojin Chu),이의완(Eui-Wan Lee),이상윤(Sang-Yun Lee),이종용(Chong-Yong Lee),김양수(Yaung-Soo Kim),김동락(Dong-Lak Kim),이형철(H. C. Ri) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.3
가돌리늄 박막의 큐리온도를 자기화의 온도에 따른 변화를 측정함으로써 결정하였다. 박막의 큐리온도는 bulk계의 큐리온도보다 낮아지며 이 박막에서의 큐리온도의 이동은 두께가 얇아질수록 커진다는 것이 관측되었다. 이 실험결과를 유한축적 이론의 관점에서 분석한 결과 전이온도의 이동에 관련된 지수 λ는 0.82±0.13로서 이론적인 값의 1.48과 상치한다는 사실이 발견되었다. 이러한 유한계의 실험치와 유한축척이론과 차이는 여러 유한계에서 관측되었다. We determine the Curie temperature of thin gadolinium films by the measurement of magnetizations as a function of temperature. From this measurement, we observe the systematic shift of Curie temperatures for films, that is, the larger the shift is, the thinner the film is. By analyzing the data in light of finite-size scaling theory, we determine the exponent λ to be 0.82±0.13, not equal to the theoretical prediction of 1.48, which is already seen in other experimental works.
LPE법으로 작성한 산화물초전도체 Bi₂Sr₂-Ca₁+Cu₂ 막(films) 의 초전도특성
신재수,황선아,이종용,이권재 대전대학교 기초과학연구소 1997 自然科學 Vol.8 No.2
LPE(Liquid press epitaxy)법을 이용하여, Sr과 Ca가 서로 상호 치환된 산화물초전도체 Bi₂Sr₂??Ca₁+x??Cu₂O??(x?=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6) 막(film)을 작성하여 상호치환 상태와 초전도특성과의 관계를 알아보았다. 작성한 막(film)의 조성비은 융액조성비(x?)와 막(film)속의 조성비(x?)가 비례함을 알 수 있었고, c-축으로 강하게 배향된전형적인 Bi2212상의 단일상(singe-phase)을 보였다. 치환량 x?의 증가에 따라, 임계온도 T??, c-축의 길이, carrier농도 등은 단조로이 감소하고 있음을 알 수 있었다. We investigated the superconductivity of Bi₂Sr₂_Ca₁+x?Cu₂O?+?x?=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6) films by liquid phase epitaxial method. X-ray diffraction measurements revealed that films were predominantly oriented with the c-axis perpendicular to the substrate surfaces. The zero-resistance temperature and the lattice parameter c linearly decreased with the increase of x?, corresponding to the decrease of the carrier concentration.