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오대곤,지홍구,김영호,강만구,최병건,이일우,이병탁,김병운,홍태철,성단근,Oh, D.K.,Ji, H.G.,Kim, Y.H.,Kang, M.K,Choi, B.G,Lee, I.W.,Lee, B.T.,Kim, B.U.,Hong, T.C.,Sung, D.K. 한국전자통신연구원 2018 전자통신동향분석 Vol.33 No.4
On a global level, the energy problem is a very important policy topic, particularly at a time when the nation relies on imports for more than 95% of its energy demand. The starting point of an energy policy should be in line with the international community's concern and cooperation regarding climate warming, and the logic of the new policy on renewable energy expansion in Korea, the pre-developed energy sector, and policy of deserting coal all support this aspect. In particular, to accommodate the rapid urbanization of mankind, the key words of the 4th Industrial Revolution are linking energy to IoT, artificial intelligence, block chain, cloud, and big data.
오대곤,권오균,Oh, D.K.,Kwon, O.K. 한국전자통신연구원 2015 전자통신동향분석 Vol.30 No.6
초연결사회로의 전환에서 ICT기술의 진보는 끌어주고 또한 밀어주는 긴밀한 역학관계를 가지고 있다는 점을 주지하고, ICT기술의 중심축이 될 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅, 플랫폼, 스마트센서 디바이스 간의 시차적 활성화 필요성을 제기하고자 한다. 이러한 시차적 활성화의 우선순위 기준으로는 구체적인 서비스 시나리오가 우선적으로 검토되어야 하며 서비스 분야에 따라 기존의 것을 사용하는 부분, 개선이 필요한 부분, 새롭게 개발되어야 하는 부분들이 세밀하게 분석되고 그 기초하에 우선 순위를 결정할 필요가 있겠다. 특히, 향후 수없이 많은 사례들이 출현하게 될 서비스 시나리오에 기초하여 대표적 ICT 디바이스인 센서를 중점적으로 살펴보고자 하였다. 다가오는 초연결사회에서 lCT 디바이스의 진화 방향과 수요에 대응키 위해서는 미래사회의 비전과 사물의 지능화, 그리고 연결성, 개방성, 효율성에 기초한 각 분야의 표준화된 플랫폼의 향방을 예의 주시해야 할 것이다.
지홍구,오대곤,김도영,황대환,차재선,김정태,최윤호,Ji, H.K.,Oh, D.K.,Kim, D.Y.,Hwang, D.H.,Cha, J.S.,Kim, J.T.,Choi, Y.H. 한국전자통신연구원 2019 전자통신동향분석 Vol.34 No.2
Korea has pursued economic development based on ICT through R&D policy incorporating CDMA. However, the future society of the Fourth Industrial Revolution is expected to include a new type of industrial development that combines ICT with the non-ICT industry, making it impossible to secure national competitiveness without the source technology of the ICT industry. Therefore, in this thesis, we examine the ICT industry and ICT R&D policy from the point of view of the current ICT as a future source technology source of Korea, and identify strategies to determine ICT as a future technology source through a SWOT analysis.
P 변조도핑한 In(Ga)As/InGaAsP 양자점에 대한 운반자 동역학
장유동,박재규,이동한,홍성의,오대곤,Jang, Y.D.,Park, J.,Lee, D.,Hong, S.U.,Oh, D.K. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.3
P-modulation doping된 In(Ga)As/InGaAsP 양자점에서의 decay time 특성을 undoped 양자점 시료와의 비교를 통해 살펴보았다. 10 K 에서의 photoluminescence (PL) 세기는 doping 된 양자점이 doping되지 않은 양자점에 비해 약 10배 정도 약하게 나왔다. 또한 Time resolved PL (TR-PL) 실험을 통해 얻은 양자점 시료의 기저상태 PL peak 에서의 decay time은 doping된 양자점이 doping 되지 않은 양자점에 비해 매우 짧게 나왔다. 이러한 PL 세기와 decay time 특성을 통해서 본 연구에서 측정한 doping 된 양자점의 경우에는 doping에 의해 결함이 증가하게 되고, 그로 인해 운반자의 비발광 경로가 증가하게 되어 doping 된 양자점의 경우에 decay time이 짧게 나타나는 것으로 분석하였다. We have investigated optical properties of p-modulation doped In(Ga)As quantum dots (QDs) on InP substrate with a comparison with the undoped QDs. Photoluminscence (PL) intensity of doped QDs at 10 K was about 10 times weaker than that of undoped QD sample. The decay time of doped QD sample at its PL peak, obtained from the time-resolved PL (TR-PL) experiment at 10 K, was very fast compared to that of undoped sample. We interpret that this fast decay time of the doped QD sample comes from the addition of non-radiative recombination paths, which are originated from the doping-related defects.
유지범(J. B. Yoo),박찬용(C. Y. Park),박경현(K. H. Park),강승구(S. K. Kang),송민규(M. K. Song),오대곤(D. K. Oh),박종대(J. D. Park),김흥만(H. M. Kim),황인덕(I. D. Hwang),박형무(H. M. Park),윤태열(T. Y. Yoon),이창희(C. H. Lee),심창섭(C. S. Sh 한국광학회 1994 한국광학회지 Vol.5 No.2
2.5 Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication Avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과, Br: Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 APD는 10 ㎁ 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 APD를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5 Gbps 속도에서 2²³-1의 길이를 갖는 입력 광신호에 대해 10^(-10) Bit Error Rate에서 -31.0 dBm의 수신감도를 얻었다. We fabricated and characterized the InGaAs separate absorption, grading and multiplication (SAGM) Avalanche photodiode (APD) with a chrage plate layer. Channel was employed for the isolation of the active area of APD. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and liquid phase epitaxy (LPE) were used for the epitaxial growth. Channel was formed using wet etching technique. Photosensitive polyimide was used for the passivation and planarization of the device. APD shows very low leakage current smaller than 10 ㎁ and -38~39 V of breakdown voltage. Optical receiver consisting of APD and GaAs FET pre-amplifier shows the sensitivity of -31.0 dBm at 10^(-10) BER (Bit Error Rate) and 2.5 Gbps optical random signal of 2²³-1 in length.
InP/InGaAs/InP 분포귀환형 회절격자 위에 성장된 InAs/InAlGaAs 양자점의 구조적.광학적 특성
곽호상,김진수,이진홍,홍성의,최병석,오대곤,조용훈,Kwack, H.S.,Kim, J.S.,Lee, J.H.,Hong, S.U.,Choi, B.S.,Oh, D.K.,Cho, Y.H. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.3
금속유기화학증착기 (metal-organic chemical vapor deposition)를 이용하여 분포귀환형 (distributed feed back) InP/InGaAs/InP 회절격자 구조를 제작하고 원자력간현미경 (atomic force microscopy)과 주사전자현미경 (scanning electron microscopy) 실험을 통해 표면 및 단면을 분석하였다. 그 위에 분자선증착기(molecular beam epitaxy)법을 이용하여 자발형성 (self-assembled) InAs/InAlGaAs 양자점 (quantum dot)을 성장하고, 광학적 특성을 온도변화 광여기 발광 (photoluminescence)으로 회절격자 구조 없이 성장한 양자점 시료와 비교 분석하였다. 회절격자의 간격 대비 폭의 비가 약 30%인 InP/InGaAs/InP 회절격자가 제작되었으며, 그 위에 성장된 양자점의 경우 상온 파장이 1605 nm에서 PL이 관찰되었다. 이는 회절격자 없이 같은 조건에서 성장된 시료의 상온 파장인 1587 nm 보다 장파장에서 발광하였으며, 회절격자의 영향으로 양자점 크기가 변하였음을 조사하였다. We fabricated the distributed feedback (DFB) InP/InGaAs/InP grating structures on InP (100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition, and their structural properties were investigated by atomic force microscopy and scanning electron microscopy. Self-assembled InAs/InAlGaAs quantum dots (QDs) were grown on the InP/InGaAs/InP grating structures by molecular beam epitaxy, and their optical properties were compared with InAs/InAlGaAs QDs without grating structure. The duty of the grating structures was about 30%. The PL peak position of InAs/InAlGaAs QDs grown on the grating structure was 1605 nm, which was red-shifted by 18 nm from that of the InAs/InAlGaAs QDs without grating structure. This indicates that the formation of InAs/InAlGaAs QDs was affected by the existence of the DFB grating structures.