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- 저자 : 박선희(Park, Sunheui) (검색결과 803 건)
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문장음성인식을 위한 VCCV 기반의 언어모델과 Smoothing 기법 평가
박선희,노용완,홍광석,Park, Seon-Hee,Roh, Yong-Wan,Hong, Kwang-Seok 한국정보처리학회 2004 정보처리학회논문지B Vol.11 No.2
본 논문에서는 언어모델의 언어처리 단위로 VCCV(vowel consonant consonant vowel) 단위를 제안하구 기존의 언어처리 단위인 어적 형태소 단위와 비교한다. 어절과 형태소는 어휘수가 많고 높은 복잡도를 가진다. 그러나 VCCV 단위는 작은 사전과 제한된 어휘를 가지므로 복잡도가 적다. 언어모델 구성에 smoothing은 반드시 필요하다. smoothing 기법은 정확한 확률 예측이 불확실한 데이터가 있을 때 더 나은 확률 예측을 위해 사용된다. 본 논문에서는 형태소, 어절, VCCV 단위에 대해 언어모델을 구성하여 복잡도를 계산하였다. 그 결과 VCCV 단위의 복잡도가 형태소나 어절보다 적게 나오는 것을 볼 수 있었다. 복잡도가 적게 나온 VCCV를 기반으로 N-gram을 구성하고 Katz. Witten-Bell, absolute, modified Kneser-Ney smoothing 등의 방법을 이용한 언어 모델에 대해 평가하였다. 그 결과 VCCV 단위의 언어모델에 적합한 smoothing 기법은 modified Kneser-Ney 방법으로 평가되었다. In this paper, we propose VCCV units as a processing unit of language model and compare them with clauses and morphemes of existing processing units. Clauses and morphemes have many vocabulary and high perplexity. But VCCV units have low perplexity because of the small lexicon and the limited vocabulary. The construction of language models needs an issue of the smoothing. The smoothing technique used to better estimate probabilities when there is an insufficient data to estimate probabilities accurately. This paper made a language model of morphemes, clauses and VCCV units and calculated their perplexity. The perplexity of VCCV units is lower than morphemes and clauses units. We constructed the N-grams of VCCV units with low perplexity and tested the language model using Katz, absolute, modified Kneser-Ney smoothing and so on. In the experiment results, the modified Kneser-Ney smoothing is tested proper smoothing technique for VCCV units.
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박선희,오태성,Park, Sun-Hee,Oh, Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.3
전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. $19.1\sim95.2$ MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu머쉬룸 범프 접속부는 $15m\Omega$/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 $1{\sim}w4{\mu}m$ 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나 캡 표면의 Sn코팅층을 리플로우 처리한 Cu머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다. Cu mushroom bumps were formed by electrodeposition and flip-chip bonded to Sn substrate pads. Contact resistances of the Cu-mushroom-bump joints were measured and compared with those of the Sn-planar-bump joints. The Cu-mushroom-bump joints, processed at bonding stresses ranging from 19.1 to 95.2 MPa, exhibited contact resistances near $15m\Omega$/bump. Superior contact-resistance characteristics to those of the Sn-planar-bump joints were obtained with the Cu-mushroom-bump joints. Contact resistance of the Cu-mushroom-bump joints was not dependent upon the thickness of the as-elecroplated Sn-capcoating layer ranging from $1{\mu}m$ to $4{\mu}m$. When the Sn-cap-coating layer was reflowed, however, the contact resistance was greatly affected by the thickness and the reflow time of the Sn-cap-coating layer.
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유네스코 무형문화유산 시맨틱 디지털 아카이브 구축: 이용자 중심 관계형 패싯 네비게이션을 중심으로
박선희,Park, Sun-hee 한국기록관리학회 2019 한국기록관리학회지 Vol.19 No.4
UNESCO clearly has a good user interface compared to other sites. However, it does not have a structure in which user-centric knowledge curating is employed by users. As such, the knowledge structure should be expressed differently in advance for users to enjoy such benefits. At present, almost all current information systems are lacking with semantic and contextual information. Moreover, these systems are deemed insufficient of interlinking various kinds of thoughts in our minds. Thus, it is necessary to model in advance what users are likely to think and provide an interface that they can easily utilize based on that modeling. Furthermore, there is a need for a new structural theory based on semantic technology that can make that possible. Therefore, in this proposal, theoretical and practical insights were presented for user interface implementation to which relational facet navigation based on the structural theory is applied. Moreover, this proposal intends to suggest a "thinking expansion platform" that allows users' ideation of different concepts, including those unfamiliar to them. 기존의 사이트와 달리 유네스코는 상대적으로 이미 좋은 이용자 인터페이스를 가지고 있음은 분명하다. 그러나 이용자가 기록물을 활용하면서 지혜롭게 선택 활용하는 이용자 중심형 지식 큐레이팅을 할 수 있는 구조로는 되어 있지 않다. 이용자 개개인이 이러한 혜택을 누릴수 있게 하려면 미리 시스템 측면에서 구조를 달리 표현해야만 가능하다. 현재의 거의 모든 정보시스템은 의미정보, 맥락정보와 함께 우리 마음속에서 만들어지는 생각의 다양한 연결고리를 무시한 채 만들어져 있다. 이용자가 생각함직한 것을 미리 모델링하고 그 모델링을 바탕으로 이용자들이 쉽게 활용할 수 있는 이용자 중심형 인터페이스가 필요하다. 이를 위해서는 시맨틱 기술 기반의 새로운 구조론이 요구된다. 따라서 본 연구에서는 이러한 구조론에 기반한 관계형 패싯 네비게이션이 적용되는 이용자 인터페이스 구현을 위해 이론적이고 실용적인 모델 제안에 이어 프로토타입 수준의 실제 아카이브를 구축해 보았다.
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Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 Interconnection 공정
박선희,오태성,엄용성,문종태,Park, S.H.,Oh, T.S.,Eum, Y.S.,Moon, J.T. 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.4
Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 $20mA/cm^2$와 $30mA/cm^2$의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 $200{\mu}m$, 깊이 $350{\mu}m$인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다. We investigated interconnection processes using Cu vias for MEMS sensor packages. Ag paste layer was formed on a glass substrate and used as a seed layer for electrodeposition of Cu vias after bonding a Si substrate with through-via holes. With applying electrodeposition current densities of $20mA/cm^2\;and\;30mA/cm^2$ at direct current mode to the Ag paste seed-layer, Cu vias of $200{\mu}m$ diameter and $350{\mu}m$ depth were formed successfully without electrodeposition defects. Interconnection processes for MEMS sensor packages could be accomplished with Ti/Cu/Ti line formation, Au pad electrodeposition, Sn solder electrodeposition and reflow process on the Si substrate where Cu vias were formed by Cu electrodeposition into through-via holes.
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Under Bump Metallurgy의 종류와 리플로우 시간에 따른 Sn 솔더 계면반응
박선희,오태성,Park, Sun-Hee,Oh, Tae-Sung,Englemann, G. 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.3
웨이퍼 레벨 솔더범핑시 under bump metallurgy (UBM)의 종류와 리플로우 시간에 따른 Sn 솔더범프의 평균 금속간화합물 층의 두께와 UBM의 소모속도를 분석하였다. Cu UBM의 경우에는 리플로우 이전에 $0.6\;{\mu}m$ 두께의 금속간화합물 층이 형성되어 있었으며, $250^{\circ}C$에서 450초 동안 리플로우함에 따라 금속간화합물 층의 두께가 $4\;{\mu}m$으로 급격히 증가하였다. 이에 반해 Ni UBM에서는 리플로우 이전에 $0.2\;{\mu}m$ 두께의 금속간화합물 층이 형성되었으며, 450초 리플로우에 의해 금속간화합물의 두께가 $1.7\;{\mu}m$으로 증가하였다. Cu UBM의 소모속도는 15초 리플로우시에는 100 nm/sec, 450초 리플로우시에는 4.5 nm/sec이었으나, Ni UBM에서는 소모속도가 15초 리플로우시에는 28.7 nm/sec, 450초 리플로우시에는 1.82 nm/sec로 감소하였다. Thickness of intermetallic compounds and consumption rates of under bump metallurgies (UBMs) were investigated in wafer-level solder bumping with variations of UBM materials and reflow times. In the case of Cu UBM, $0.6\;{\mu}m-thick$ intermetallic compound layer was formed before reflow of Sn solder, and the average thickness of the intermetallic compound layer increased to $4\;{\mu}m$ by reflowing at $250^{\circ}C$ for 450 sec. On the contrary, the intermetallic layer had a thickness of $0.2\;{\mu}m$ on Ni UBM before reflow and it grew to $1.7\;{\mu}m$ thickness with reflowing for 450 sec. While the consumption rates of Cu UBM were 100nm/sec fur 15-sec reflow and 4.50-sec for 450-sec reflow, those of Ni UBM decreased to 28.7 nm/sec for 15-sec reflow and 1.82 nm/sec for 450-sec reflow.
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박선희,Park, Sun-Hee 한국건축역사학회 1994 건축역사연구 Vol.3 No.2
The major characteristics of warrior houses in Edo period were as follows: (1)The disposition, size, and facilities of warrior houses was to be settled strictly according to the social position. (2)The spatial characteristics of warrior houses has conceptual o-rganization of dual structure, such as entertainment/daily life, high/low, outside/inside.
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