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나노급 CMOSFET을 위한 SOI기판에 도핑된 B1l을 이용한 니켈-실리사이드의 열안정성 개선
정순연,오순영,이원재,장잉잉,종준,이세광,김영철,이가원,왕진석,이희덕,Jung, Soon-Yen,Oh, Soon-Young,Lee, Won-Jae,Zhang, Ying-Ying,Zhong, Zhun,Li, Shi-Guang,Kim, Yeong-Cheol,Lee, Ga-Won,Wang, Jin-Suk,Lee, Hi-Deok 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.11
In this paper, thermal stability of Ni-silicide formed on the SOI substrate with $B_{11}$ has been characterized. The sheet resistance of Ni-silicide on un-doped SOI and $B_{11}$ implanted bulk substrate was increased after the post-silicidation annealing at $700^{\circ}C$ for 30 min. However, in case of $B_{11}$ implanted SOI substrate, the sheet resistance showed stable characteristics after the post-silicidation annealing up to $700^{\circ}C$ for 30 min. The main reason of the excellent property of $B_{11}$ sample is believed to be the retardation of Ni diffusion by the boron and bottom oxide layer of SOI. Therefore, retardation of Ni diffusion is highly desirable lot high performance Ni silicide technology.
3상 불평형 전원 조건하의 능동전력필터를 위한 새로운 평균전력 알고리즘
정광식(Kwang-Sik Jung),정영국(Young-Gook Jung),김영철(Young-Cheol Kim),임영철(Young-Cheol Lim) 전력전자학회 2001 전력전자학술대회 논문집 Vol.2001 No.7
본 연구에서는 3상이 불평형된 전원 조건하에서 비선형 부하전류를 유효성분, 기본파 무효성분 그리고 왜형성분으로 분해한 후, 능동전력필터를 제어할 수 있는 새로운 평균전력 알고리즘을 제시하였다. 제안된 방법의 타당성을 입증하기 위해, 15% 불평형된 3상 전원 전압하에서 실험을 수행하였으며, 종전의 평균전력 알고리즘에 비하여 새로운 평균전력 알고리즘의 유용성을 입증할 수 있었다.