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Jonghwa Kim,Sungju Choi,Jaeman Jang,Jun Tae Jang,Jungmok Kim,Sung-Jin Choi,Dong Myong Kim,Dae Hwan Kim 대한전자공학회 2015 Journal of semiconductor technology and science Vol.15 No.5
We quantitatively investigated instability mechanisms under simultaneous positive gate and drain bias stress (SPGDBS) in self-aligned top-gate amorphous indium-zinc-oxide thin-film transistors. After SPGDBS (VGS=13 V and VDS=13 V), the parallel shift of the transfer curve into a negative VGS direction and the increase of on current were observed. In order to quantitatively analyze mechanisms of the SPGDBS-induced negative shift of threshold voltage (ΔVT), we experimentally extracted the density-of-state, and then analyzed by comparing and combining measurement data and TCAD simulation. As results, 19% and 81% of ΔVT were taken to the donor-state creation and the hole trapping, respectively. This donor-state seems to be doubly ionized oxygen vacancy (V<SUP>o2+</SUP>). In addition, it was also confirmed that the wider channel width corresponds with more negative DVT. It means that both the donor-state creation and hole trapping can be enhanced due to the increase in self-heating as the width becomes wider. Lastly, all analyzed results were verified by reproducing transfer curves through TCAD simulation.
Anomalous Rapid Defect Annihilation in Self-Assembled Nanopatterns by Defect Melting
Kim, Bong Hoon,Park, So Jung,Jin, Hyeong Min,Kim, Ju Young,Son, Seung-Woo,Kim, Myung-Hyun,Koo, Chong Min,Shin, Jonghwa,Kim, Jaeup U.,Kim, Sang Ouk American Chemical Society 2015 NANO LETTERS Vol.15 No.2
<P>Molecular self-assembly commonly suffers from dense structural defect formation. Spontaneous defect annihilation in block copolymer (BCP) self-assembly is particularly retarded due to significant energy barrier for polymer chain diffusion and structural reorganization. Here we present localized defect melting induced by blending short neutral random copolymer chain as an unusual method to promote the defect annihilation in BCP self-assembled nanopatterns. Chemically neutral short random copolymer chains blended with BCPs are specifically localized and induce local disordered states at structural defect sites in the self-assembled nanopatterns. Such localized “defect melting” relieves the energy penalty for polymer diffusion and morphology reorganization such that spontaneous defect annihilation by mutual coupling is anomalously accelerated upon thermal annealing. Interestingly, neutral random copolymer chain blending also causes morphology-healing self-assembly behavior that can generate large-area highly ordered 10 nm scale nanopattern even upon poorly defined defective prepatterns. Underlying mechanisms of the unusual experimental findings are thoroughly investigated by three-dimensional self-consistent field theory calculation.</P><P><B>Graphic Abstract</B> <IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/nalefd/2015/nalefd.2015.15.issue-2/nl5042935/production/images/medium/nl-2014-042935_0006.gif'></P><P><A href='http://pubs.acs.org/doi/suppl/10.1021/nl5042935'>ACS Electronic Supporting Info</A></P>
Kim, Jonghwa,Choi, Sungju,Jang, Jaeman,Jang, Jun Tae,Kim, Jungmok,Choi, Sung-Jin,Kim, Dong Myong,Kim, Dae Hwan The Institute of Electronics and Information Engin 2015 Journal of semiconductor technology and science Vol.15 No.5
We quantitatively investigated instability mechanisms under simultaneous positive gate and drain bias stress (SPGDBS) in self-aligned top-gate amorphous indium-zinc-oxide thin-film transistors. After SPGDBS ($V_{GS}=13V$and $V_{DS}=13V$), the parallel shift of the transfer curve into a negative $V_{GS}$ direction and the increase of on current were observed. In order to quantitatively analyze mechanisms of the SPGDBS-induced negative shift of threshold voltage (${\Delta}V_T$), we experimentally extracted the density-of-state, and then analyzed by comparing and combining measurement data and TCAD simulation. As results, 19% and 81% of ${\Delta}V_T$ were taken to the donor-state creation and the hole trapping, respectively. This donor-state seems to be doubly ionized oxygen vacancy ($V{_O}^{2+}$). In addition, it was also confirmed that the wider channel width corresponds with more negative ${\Delta}V_T$. It means that both the donor-state creation and hole trapping can be enhanced due to the increase in self-heating as the width becomes wider. Lastly, all analyzed results were verified by reproducing transfer curves through TCAD simulation.
국내 과일·채소음료시장의 소비활성화를 위한 시장분석 및 마케팅 전략
김정래 ( Kim Jeongrae ),김범수 ( Beom-su Kim ),김성진 ( Seong-jin Kim ),박지훈 ( Ji-hoon Park ),김종화 ( Jonghwa Kim ) 한국식품유통학회 2022 한국식품유통학회 학술대회 Vol.- No.하계
최근 국내 과채류음료 시장의 성장이 크게 둔화되고 있다. 그동안 과채류음료는 국내 가공용 과일, 채소의 대량 수요처로서 그 중요성이 강조되어 왔으나, 탄산음료, 액상커피 등의 대체품이 등장하면서 과채음료 시장이 급속히 위축되고 있다. 이에 본 연구에서는 소비자의 과채류음료에 대한 선택속성(원료, 가격, 첨가물, 포장용기)을 살펴보고, 그에 따른 마케팅전략을 제시하였다. 이를 위하여 마케팅 분야에서 널리 사용되는 컨조인트 분석의 부분가치 함수모형을 이용하였으며, 시장세분화를 위한 군집분석을 실시하였다. 그 결과, 국내 과채류시장은 ‘맛선호그룹’, 원료선호그룹’,‘편의선호그룹’으로 세분될 수 있으며, 그에 따른 그룹별 마케팅전략을 제시하였다.
터치폰 인터랙션의 플릭(Flick)기능을 위한 터치거리와 시간에 대한 연구
김지혜(JiHye Kim),황민철(Mincheol Whang),김종화(Jonghwa Kim),우진철(Jincheol Woo),김치중(ChiJong Kim),김용우(YoungWoo Kim) 한국HCI학회 2010 한국HCI학회 학술대회 Vol.2010 No.1
본 연구는 모바일 터치 인터랙션 유형 중 사진을 넘기거나 리스트를 올리고 내리는 인터랙션인 플리킹(Flicking)에서 20 대가 선호하는 터치 시작점과 끝점 사이의 거리와 터치 인식 시간을 알아보는 것이 목적이다. 본 연구에서는 디스플레이 사이즈 480cmX800cm Rapid 프로토타입으로 시각 능력에 장애가 없고 터치폰 사용에 불편이 없는 20 대 대학생 남, 여 28 명을 대상으로 실험을 실시하였다. 실험은 가로 방향의 플리킹과 세로 방향의 플리킹으로 총 2 세트로 진행되었으며, 실험 순서는 다음과 같다. 첫 째 터치 시작점과 끝점 사이의 거리를 10 단계로 나누어 화살표로 제시하여 플리킹을 하도록 하였다. 둘 째로 거리 정보를 주지 않고 자유롭게 플리킹을 5 회 실시하도록 하였다. 실험 결과는 20 대 남,여의 플리킹 시 인터랙션하는 거리와, 시간 정보를 각각 평균으로 분석하였다. 또한 가로 플리킹 실험과 세로 플리킹 실험의 두 집단간의 평균 비교를 하기 위해 T-test 를 실시하였다. 본 연구를 통해 20 대 남,여의 평균적인 플리킹 터치 거리와 시간을 알 수 있었으며, 가로 플리킹과 세로 플리킹 모두 남자가 여자보다 터치 시간의 평균이 짧다는 것을 알 수 있었다.