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Forming process of unipolar resistance switching in Ta2O5-x thin films
Shin Buhm Lee,Hyang Keun Yoo,Bo Soo Kang 한국물리학회 2013 Current Applied Physics Vol.13 No.7
We investigated the film-thickness and ambient oxygen-pressure dependence of the electric field, EF,required to initiate unipolar resistance switching (URS) in Ta2O5-x thin films. We measured the dependence of EF by applying a triangular-waveform voltage signal to the film over a wide sweep-rate range (v = 20 mV s-1 to 5 MV s-1). Our results showed that the URS-EF was not influenced by the Ta2O5-x film thickness nor ambient oxygen-pressure. This suggested that the URS-forming process in Ta2O5x thin films should be governed by thermally assisted dielectric breakdown in our measurement range.
Random Circuit Breaker Network Model for Unipolar Resistance Switching
Chae, Seung Chul,Lee, Jae Sung,Kim, Sejin,Lee, Shin Buhm,Chang, Seo Hyoung,Liu, Chunli,Kahng, Byungnam,Shin, Hyunjung,Kim, Dong-Wook,Jung, Chang Uk,Seo, Sunae,Lee, Myoung-Jae,Noh, Tae Won WILEY-VCH Verlag 2008 ADVANCED MATERIALS Vol.20 No.6
<B>Graphic Abstract</B> <P>The random circuit breaker network model is proposed for unipolar resistance switching behavior. This model describes reversible dynamic processes involving two quasi-metastable states. The formation and rupture of conducting channels (see figure) in the polycrystalline TiO<SUB>2</SUB> thin films may be analyzed by the self organized avalanche process in the random circuit breaker network model. <img src='wiley_img/09359648-2008-20-6-ADMA200702024-content.gif' alt='wiley_img/09359648-2008-20-6-ADMA200702024-content'> </P>
경련이 흰쥐 뇌의 칼슘결합단백질과 NADPH-Diaphorase 신경세포에 미치는 영향
신선영(Sun-Young Shin),허영범(Young-Buhm Huh),강경란(Kyoung-Lan Kang),박찬(Chan Park),강민정(Min-Jeong Kang),이재룡(Jae-Ryong Lee),김정혜(Jung-Hye Kim),유진화(Jin-Hwa Yoo),안희경(Hee-Kyung Ahn) 대한체질인류학회 2001 해부·생물인류학 (Anat Biol Anthropol) Vol.14 No.1
간추림 흰쥐에게 Kainate (KA)를 투여하여 경련을 유발한 후 대뇌겉질에 분포하는 NADPH-d 와 calbindin D28k 및 parvalbumin 양성 신경세포의 변화에 대하여 알아보고자 NADPH-d 조직화학과 calbindin D28k 및 parvalbumin 면역조직화학을 시행하였다. 염색된 신경세포에 대해서는 microdensitometry 로 염색성을 측정하였다. NADPH-d 양성 신경세포의 염색성은 경련 후 6시간군과 3일문에서는 많이 증가된 양상을 보이다. 5영문과 10일군에서는 다시 대조군과 비슷하게 감소하는 경향을 보였다. 해마에서는 경련 후 5 일군에서 가장 증가된 염색성을 보였다. 칼슘결합단백질인 calbindin D28k 와 parvalbumin 양성 신경세포는 대뇌겉질과 해마, 꼬리조가비핵에서 증가되는 시기가 다양하게 나타났다. 이와 같은 결과는 경련 후에 calbindin D28k 나 parvalbumin 같은 칼슘결합단백질의 양은 뇌의 영역별로 시간경과에 따라 변화하지만 그에 따른 CaH 변화가 nNOS 의 효소활성 작용에는 크게 영향을 미치지 못하는 것을 나타낸다. 따라서 경련 후의 nNOS 의 효소활성을 나타내는 NADPH-d 의 염색성 변화는 칼슘결합단백질에 의해 조정되지 않고 다른 활성화 기전이 있을 것으로 생각되었다.
Oxide Double‐Layer Nanocrossbar for Ultrahigh‐Density Bipolar Resistive Memory
Chang, Seo Hyoung,Lee, Shin Buhm,Jeon, Dae Young,Park, So Jung,Kim, Gyu Tae,Yang, Sang Mo,Chae, Seung Chul,Yoo, Hyang Keun,Kang, Bo Soo,Lee, Myoung‐,Jae,Noh, Tae Won WILEY‐VCH Verlag 2011 Advanced Materials Vol.23 No.35
<P><B>A TiO<SUB>2</SUB>/VO<SUB>2</SUB> oxide double‐layer nanocrossbar</B> to overcome the sneak path problem in bipolar resistive memory is proposed. TiO<SUB>2</SUB> and VO<SUB>2</SUB> thin films function as a bipolar resistive memory and a bidirectional switch, respectively. The new structure suggests that ultrahigh densities can be achieved with a 2D nanocrossbar array layout. By stacking into a 3D structure, the density can be even higher.</P>