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메모리 분석을 통한 효율적인 가상 머신 실시간 이주 기법
오명훈 ( Myunghoon Oh ),최종무 ( Jongmoo Choi ) 한국정보처리학회 2014 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.21 No.1
가상화 환경에서 물리 서버 자원의 효율적인 사용을 위하여 부하가 많은 물리 서버로부터 부하가 적은 물리 서버로 가상 머신을 옮기는 실시간 이주 기법은 많은 네트워크 대역폭을 사용하게 된다. 이로 인해 물리 서버의 가용 네트워크 대역폭이 감소하여 다른 가상 머신들의 네트워크 성능 저하를 불러 일으킨다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하고자 전송되는 페이지들의 값들을 비교하며, 특정 값으로만 이루어진 페이지들을 전송하지 않는 가상 머신 이주 기법을 제안한다.
Characterization of MBE-Grown ZnSe Thin Films by Using Photocurrent Spectroscopy
Myunghoon Jung,Jiho Chang,Dongcheol Oh,고항주,Hongseung Kim,Junsuk Song,Kwanghee Kim,Seunghwan Park,Takafumi Yao 한국물리학회 2006 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.49 No.3
High-quality ZnSe thin films were grown on GaAs substrates by using molecular beam epitaxy (MBE). Low-temperature and temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements revealed the high crystal quality of the sample. However, photocurrent spectroscopy showed the existence of defects originating from the interface. Insertion of a buffer layer at a low growth temperature is suggested for improving the crystallinity further.
Seungyeol Oh,Taeho Kim,Myunghoon Kwak,Jeonghwan Song,Jiyong Woo,Sanghun Jeon,In Kyeong Yoo,Hyunsang Hwang IEEE 2017 IEEE electron device letters Vol.38 No.6
<P>We propose a HfZrOx (HZO)-based ferroelectric synapse device with multi-levels states of remnant polarization that is equivalent to multi-levels conductance states. By optimizing the pulse condition, we obtained 32 levels of remnant polarization states for both potentiation and depression. Furthermore, a ferroelectricfield-effect transistor is simulated using the obtained multiple remnant polarization states. The simulation results show that linear and symmetric conductance states can be obtained by applying optimum potentiation and depression pulse conditions. A neural network was simulated using the proposed devices for pattern recognition. Using synapse parameters of the HZO-based ferroelectric device and a neural network simulator, we have confirmed that the pattern recognition accuracy of the MNIST data set is 84%. It shows that the HZO-based synapse device has potential for future high-density neuromorphic systems.</P>