반응성 화학기상증착법에 의해 다결정실리콘 위에 직접성장된 $CoSi_2$ 층의 열적안정성의 개선

이희승,이화성,안병태,Lee, Hui-Seung,Lee, Hwa-Seong,An, Byeong-Tae 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.8

$650^{\circ}C$에서 Co(η$^{5}$ $V_{5}$ $H_{5}$ ) (CO)$_2$의 반웅성.화학기상증착법에 의해 도핑되지 않은 다결정실리콘 위에 $CoSi_2$충이 직접 (in-situ) 성장되었고 이 $CoSi_2$층들의 열적안정성을 $800~1000^{\circ}C$의 온도구간에서 조사하였다. 직접 성장 방법에 의해 성장된 $CoSi_2$충은 표면에 평행한 (111) 면의 면적이 큰 결정립들을 가지는 반면에, $CoSi_2$가 먼저 형성되고 $CoSi_2$로 상변태되는 기존의 두단계 성장 방법에 의해 성장된 CoSi$_2$충은 표면에 평행한 (111) 면을 가지는 결정립들이 거의 없었다. 직접 성장 방법에 의해 성장된 $CoSi_2$층의 열적 안정성은 기존의 두 단계 성장 방법에 의해 성장된 $CoSi_2$층의 열적안정성보다 개선되어 열화 온도가 $100^{\circ}C$정도 더 높았다. 큰 결정립의 다결정실리론 기판 위에서 직접 성장된 $CoSi_2$충은 $950^{\circ}C$에서 열처리한 후에도 안정했다. 직접 성장에 의한 열적 안정성의 개선 효과는 다결정실리콘 기판의 결정립의 크기가 작을 때 두드러졌다. 직접 성장된 $CoSi_2$층의 열적 안정성 개선의 주된 원인은 다결정실리콘의 각 결정립들 위에 유사에피 성장을 하면서 자라난 $CoSi_2$ 결정립들이 균일한 $CoSi_2$층을 형성하여 이것이 계의 계면에너지를 낮추기 때문이라고 사료된다. The $CoSi_2$ layers have been in-situ grown on undoped poly-Si by the reactive chemical vapor deposition of $Co({\Eta}^5-C_5H_5)(CO)_2$ at $650^{\circ}C$ and their thermal stabilities have been investigated in the temperature range of 800 to $1000^{\circ}C$. The $CoSi_2$ layer grown by the in-situ method had grains with large area of (111) plane, while grains with little area of (111) plane appeared on the $CoSi_2$ layer grown by the conventional two-step method where $CoSi_2$ formed first and transformed to $CoSi_2$. The thermal stability of the $CoSi_2$ layer grown by the in- situ process was improved by more than $100^{\circ}C$ higher than that of the $CoSi_2$ layer grown by the conventional two-step process. The $CoSi_2$ layer grown in situ on a large-grained Poly-Si was stable up to $950^{\circ}C$. The effect of stability improvement by the in situ growth was more pronounced when the grain sizes of the poly-Si substrate were small. The improved thermal stability of the in-situ grown $CoSi_2$ layer could be mainly due to the formation of a uniform $CoSi_2$ layer with the $CoSi_2$ grains, which are in the form of epitaxial-like growth on the each poly-Si grains, causing a reduction of the interfacial energy of the system.

수자원 개발의 변천

이희승,Lee, Hui-Seung 한국수자원학회 2016 물과 미래(한국수자원학회지) Vol.49 No.3

행운이 만들어준 기술인생

이희승,Lee, Hui-Seung 한국하천협회 2007 하천과 문화 Vol.3 No.4

분포형 모델을 이용한 유역내 이동강우의 유출해석(II)-모델의 적용-

최계운,이희승,안상진,Choe, Gye-Un,Lee, Hui-Seung,An, Sang-Jin Korea Water Resources Association 1993 물과 미래(한국수자원학회지) Vol.26 No.1

본 논문에서, 실제 유역에서의 이동강우에 의한 유출현상을 분포형 모델을 이용하여 모의하였다. 실제유역으로 미국 Idaho주의 Macks Creek 실험유역이 선정되었으며, 사용된 이동강우로 1965년 8월23일 15시 30분에서 17시 30분까지 약 2시간에 걸쳐 진행되었던 강우를 채택하였다. 이 강우는 강우 지속 기간동안 강우강도의 값이 상당히 변화하며, 또한 강우 자체가 지역내 한지점으로부터 다른 지점으로 점차적으로 이동되어가는 전형적인 이동강우의 특성을 갖추었다. 또한 이 유역내 지표면을 이루고 있는 토양의 특성, 식물의 피복정도, 지표면의 경사, 하상경사등의 유출 지배 인자들은 각 지점마다 그 값이 다른 전형적 공간분포 형태를 갖추고 있다. 분포형 모델로는 본 논문의 전편에서 개발된 모델을 사용하였는데, 이 모델은 유역내 유출현상을 지표면 흐름과 하천망 흐름으로 나누어 모의한다. 즉, 2차우너의 유한요소 모델을 이용하여 지표면 유출을 모의한후 모의된 지표면의 유출량을 1차원의 유한차분 모델의 입력자료로하여 하천망의 유출을 모의한다. 분포형 모델을 적용하여 유역의 하류지점에서 모의된 유출량과 관측된 유출량은 상당히 일치하고 있고 또한 하천망내 각각의 합류점에서도 상.하류간에 질량의 관계가 잘 보존되고 있었으며, 제안된 분포형 모델을 이요하여 유역내 이동강우가 성공적으로 모의되어다. In this paper, a moving storm in the real watershed was simulated using a distributed model. Macks Creek Experimental Watershed in Idaho, USA was selected as a target watershed and the moving storm of August 23, 1965, which continued from 3:30 P.M. to 5:30 P.M., was utilized. The rainfall intensity of the moving storm in the watershed was temporally varied and the storm was continuously moved from one place to the other place in a watershed. Furthermore, runoff parameters, which are soil types, vegetative cover percentages, overland plane slopes, channel bed slopes and so on, are spatially varied. The model developed in the previous paper was utilized as a distributed model for simulating the moving storm. In the model, runoff in a watershed was simulated as two parts which are overland flow and channel flow parts. The good agreement was obtained between a simulated hydrograph using a distributed model and an observed hydrograph. Also, the conservations of mass are well indicated between upstream and downstream at channel junctions.

반응성 화학기상증착법을 이용한 에피택셜 $CoSi_2$ 박막의 형성 및 성장에 관한 연구

이화성,이희승,안병태,Lee, Hwa-Seong,Lee, Hui-Seung,An, Byeong-Tae 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.11

사이클로펜타디에닐 디카보닐 코발트 (Co(η(sup)5-C(sub)5H(sub)5) ($CO_2$)의 반응성 화학 기상 증착법에 의해 $600^{\circ}C$ 근처의기판온도에서 (100)Si 기판 위에 균일한 에피택셜 CoSi2 층이 후열처리를 거치지 않고 직접 성장되었다. (100) Si 기판 위에서 에피택셜 CoSi(sub)2 층의 성장 속도론을 $575^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$의 온도 구간에서 조사하였다. 증착 초기 단계에서 판(plate)모양의 CoSi(sub)2 스차이크가 쌍정의 구조를 가지고 (100) Si 기판에서 <111> 방향을 따라서 불연속적으로 핵생성되었다. {111}과 (100)면을 가진 불연속의 CoSi(sub)2 판은 (100) Si 위에서 평평한 계면으로 이루어진 에피택셜 층으로 성장했다. (100) Si 위에서 에피택셜 CoSi(sub)2 층을 통한 Co의 확산에 의해 제어되는 것으로 나타났다. Univorm epitaxial $CoSi_2$layers have been grown in situ on a (100) Si substrate at temperatures near$ 600^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, (Co(η(sup)5-C(sub)5H(sub)5) ($CO_2$). The growth kinetics of an epitaxial $CoSi_2$layer on al Si(100) substrate was investigated at temperatures ranging from 575 to $650^{\circ}C$. In initial deposition stage, plate-like discrete $CoSi_2$spikes were nucleated along the <111> directions in (100) Si substrate with a twinned structure. The discrete $CoSi_2$plates with both {111} and (100) planes grew into an epitaxial layer with a flat interface on (100) Si. For epitaxial $CoSi_2$growth on (100) Si, the activation energy of the parabolic growth was found to be 2.82 eV. The growth rate seems to be controlled by the diffusion of Co through the $CoSi_2$layer.

Interactive G$^1$ Splines with Tangent Specification Method

주우석,박경희,이희승,Ju, U-Seok,Park, Gyeong-Hui,Lee, Hui-Seung 한국정보처리학회 1994 정보처리논문지 Vol.1 No.4

스플라인 함수는 결과적으로 생성되는 커프모양에 의해 캐드 상에서 물체의 외형 을 설계할 수 있게 하는 가장 기본적인 도구이고, 따라서 새롭게 효율적인 커프 모양 의 개발은 산업 설계 분야 전반에 직접적인야 영향을 줄 수 있다. 본 논문은 더욱 다 양하고 자유로운 커브 모양을 만들기 위하여 시각적으로 연속인 부류의 스플라인 함 수를 그리기 위한 도구를 설계하고 구현한다. 이 부류의 스플라인은 기존 스플라인에 비해 자유자재의 다양한 모양을 생성함과 동시에 일반적인 카디날 스플라인이 갖는 보간성을 아울러 갖고 있다는 점이다. 본 논문의 가장 큰 중요성은 매개변수의 스칼라 수치값을 제시하던 기존 G$^1$ 커브 구현방식에서 벗어나, 사용자가 시각적인 벡터를 사 용하여 접선의 모양을 지정케하고 그 결과를 커브 생성을 위한 매개변수로 변형시킬 수 있는 공식을 유도하고 구현한 점이다. 생성된 결과 커브자체가 원래 지정된 접선 에 충실하게 되므로, 캐드 사용자의 입장에서는 설계하고자하는 커브의 개형을 시각화 시킨 접선의 모양에만 치중할 수 있는, 단순한 인터페이스가 가능하게 된다. 따라서, 설계자의 입장에서는 본 논문에 구현된 스플라인 도구를 사용한다면 마우스와 같은 간 단한 입력장비만으로도 다양하고 효과적인 커브 모양을 생산할 수 있다. Spline curve scheme is the most valuable tool for the CAD of industrial products. Hence, the development of a new, effective curve scheme can have immediate impact on the current design industries. This paper develops and implements a new methodology for the implementation of the visually continuous class of splines which can produce a more flexible and diverse curve shapes. This class of splines has advantaged over existing splines in that it can accommodate wider range of shapes while maintaining the interpolators property of the ordinary cardinal splines. Most importantly, we avoid using the previous method of implementing G$^1$ curves, where users must specify scalar values for the control of curve shapes. We derive and implement an easy-to -use transformation between the user-specified graphical tangent vectors and the actual parameters for the resulting curve. Since the resulting curve shape reflects original tangential direction faithfully, CAD users can simply represent approximate curve shapes with proper tangents. Consequently, a simple user interface device such as a mouse can effectively produce a various spline curves using the proposed spline tool.

SPS 소결에 의한 SiC-ZrB₂ 도전성 세라믹 복합체 특성

주진영(Jin-Young Ju),이희승(Hui-Seung Lee),조성만(Sung-Man Jo),이정훈(Jung-Hoon Lee),김철호(Cheol-Ho Kim),박진형(Jin-Hyoung Park),신용덕(Yong-Deok Shin) 대한전기학회 2009 전기학회논문지 Vol.58 No.9

The composites were fabricated by adding 0, 15, 20, 25[vol.%] Zirconium Diboride(hereafter, ZrB₂) powders as a second phase to Silicon Carbide(hereafter, SiC) matrix. The physical, mechanical and electrical properties of electroconductive SiC ceramic composites by Spark Plasma Sintering(hereafter, SPS) were examined. Reactions between β-SiC and ZrB₂ were not observed in the XRD analysis. The relative density of mono SiC, SiC+15[vol.%]ZrB₂, SiC+20[vol.%]ZrB₂ and SiC+25[vol.%]ZrB₂ composites are 90.93[%], 74.62[%], 74.99[%] and 72.61[%], respectively. The XRD phase analysis of the electroconductive SiC ceramic composites reveals high of SiC and ZrB₂ and low of ZrO₂ phase. The lowest flexural strength, 108.79[㎫], shown in SiC+15[vol.%] ZrB₂ composite and the highest - 220.15[㎫] - in SiC+20[vol.%] ZrB₂ composite at room temperature. The trend of the mechanical properties of the electroconductive SiC ceramic composites moves in accord with that of the relative density. The electrical resistivities of mono SiC, SiC+15[vol.%]ZrB₂, SiC+20[vol.%]ZrB₂ and SiC+25[vol.%]ZrB₂ composites are 4.57×10?¹, 2.13×10?¹, 1.53×10?¹ and 6.37×10?²[Ωㆍ㎝] at room temperature, respectively. The electrical resistivity of mono SiC, SiC+15[vol.%]ZrB₂, SiC+20[vol.%]ZrB₂ and SiC+25[vol.%]ZrB₂ are Negative Temperature Coefficient Resistance(hereafter, NTCR) in temperature ranges from 25[℃] to 100[℃]. The declination of V-I characteristics of SiC+20[vol.%]ZrB₂ composite is 3.72×10?¹. It is convinced that SiC+20[vol.%]ZrB₂ composite by SPS can be applied for heater or electrode above 1000[℃]

Push-lock 스위치를 이용한 무선 브레드 보드

박동현(Dng-Hyun Park),신정엽(Jung-Yeob Shin),이수민(Su-Min Lee),이희승(Hui-Seung Lee),이용환(Yong-Hwan Lee) 한국정보기술학회 2019 Proceedings of KIIT Conference Vol.2019 No.6