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이재기 ( Jae Ki Lee ) 청람어문교육학회 2007 청람어문교육 Vol.36 No.-
This article aims to examine the important characteristics of 2007 revised Korean curriculum, and to suggest the specific method for realizing the intention of this curriculum. There have been much criticism on Korean curriculum. The problems of Korean curriculum are as followings; 1)pursuing of objective knowledge and skill, 2)disregarding for various contexts, 3)emphasizing knowledge and skill separated from subject, 4)separating knowledge and skill from text, 5)the inadequacy of the validity, relation and propriety. The important characteristics of 2007 revised Korean curriculum are as these; 1)adopting the level-driven curriculum in school, 2)based on text production and reception, 3)intensifying the connection between text and context, 4)improving the validity, relation and propriety, 5)increasing the ``media``-related contents. The concrete methods to realize the main characteristics of 2007 revised Korean curriculum are as these; 1)textbook and classroom activity should focus on text production and reception. 2)knowledge, skill and context should be integrated in producing and receiving text. 3)There should be much integration among the domains, among the standard, among the elements of contents. 4)Teacher should interpret actively ``the level and scope of the text`` and ``the examples of the elements of content``. 5)communication and interaction should be emphasize in classroom activity.
대형 시스템 개발을 위한 시험능력을 고려한 소프트웨어 신뢰도 성장 모델
이재기,이재정,남상식,Lee Jae-ki,Lee Jae-jeong,Nam Sang-sik 한국통신학회 2005 韓國通信學會論文誌 Vol.30 No.11A
기존에 제안된 소프트웨어 신뢰도 성장모델(SRGM)들은 결함이 발견됨과 동시에 해결되는 것을 전제로 한 완전디버깅(PD: perfect debugging)을 추구한다. 그러나 실제 프로젝트 수행시 검출된 결함(에러)들은 일정한 시간이 지난 후 해결(제거)되거나 새로운 결함이 소프트웨어 내에 삽입되는 불완전디버정(ID: imperfect debugging) 상태에 놓이게 된다. 이러한 문제점들을 보완하기 위한 방안으로 본 논문에서는 소프트웨어의 고장을 발견 해결하는데 투입된 시험능력(test-effort)을 고려하여 이를 정형화된 모델로 발전시켜 실제 상황에 가까운 소프트웨어의 신뢰도를 평가하였다. Most of the proposed SRGMs are required to perfect debugging based on removal of defect as soon as the detection of defects in system tests. But the detected defects are corrected after few days as a fixed time or induced new fault in software under the imperfect debugging environments. Solving these problems, we discussed that the formal software reliability model considered testing-effort for the fault detection and correction of software defects, and then using this model we have estimated of the software reliability closed to practical conditions.
SOI DTMOS 트랜지스터의 온도에 따른 hot carrier 열화현상에 관한 연구
이재기(Jae-Ki Lee),장성준(Sung-Jun Jang),홍성희(Sung-Hee Hong) 한국통신학회 2008 韓國通信學會論文誌 Vol.33 No.6
본 논문은 SOI DTMOS 소자의 온도에 따라 hot carrier에 의해 유발되는 소자열화 현상에 대한 연구를 수행한 것으로서, 낮은 스트레스 게이트 전압과 높은 스트레스 게이트 전압 두 가지를 인가하였다. 낮은 gate전압에서 고온으로 stress된 소자의 열화현상은 보다 높은 gate전압에서 낮은 온도로 stress된 소자의 열화보다 큼을 알 수 있었다. 그리고 DTMOS 소자와 PD MOS 소자의 온도에 따른 hot carrier영향을 비교·분석하였으며, PD MOS소자와 비교하여 DTMOS 소자의 열화가 적은 것은 gate와 body사이의 연결에 의한 문턱전압의 감소를 초래하는 lateral electric field의 감소에 의한 것임을 알 수 있었다. In this thesis, we reports the experimental results on the temperature dependence of hot carrier degradation of DTMOS devices. Both low and high stress gate voltages are used. The degradation of devices stressed at high temperature with a low gate voltage can be larger than that in devices stressed at a higher gate voltage but at a lower temperature. The temperature dependence of the hot carrier effects in DTMOS devices is compared with those in SOI PD MOSFETs. The possible mechanism explaining the less device degradation of the DTMOS, when compared to a PD MOSFET is the reduction of maximum lateral electric field resulting from the reduction of threshold voltage due to the connection between the gate and the body.
Study on Impact of Temperate on SOI DTMOS and PD-SOI MOSFET
Jae-Ki Lee(이재기),Sung-Hee Hong(홍성희) 한국통신학회 2007 韓國通信學會論文誌 Vol.32 No.12D
본 논문은 다양한 온도에 따라 SOI DTMOS 소자와 PD-SOI MOSFET소자의 특성을 실험적으로 측정하여 분석하였다. DTMOS 소자의 온도에 따른 drive current 및 transconductance 증가에 대한 물리적 메카니즘을 측정된 결과로부터 제안하였다. 또한 온도에 따른 문턱전압, 단채널 현상 및 subthreshold 특성 변화를 측정 결과를 통하여 분석한 결과, 온도가 증가함에 따라 PD-SOI MOSFET 소자에 비하여 DTMOS 소자의 drive current 및 transconductance가 더 크며, 단채널 현상은 줄어들고, subthreshold 특성이 더 좋음을 알 수 있었다. This paper reports that the characteristics of SOI Dynamic-Threshold MOS(DTMOS) transistors are experimentally investigated at various temperatures and compared with those of partially depleted(PD) SOI MOSFET. A possible physical mechanism explaining the enhanced drive current and transconductance of DTMOS devices is suggested from the measured results. The temperature dependence of threshold voltage, short channel effects, and subthreshold characteristics are investigated experimentally. From the comparison with partially depleted SOI MOSFET, it is observed that DTMOS devices operating at elevated temperature have higher drive current and transconductance, less short channel effect, and better subthreshold characteristics than partially depleted SOI MOSFETs.