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- 저자 : 심성엽 (검색결과 4 건)
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Schottdy Barrier Height의 온도의존성에 관한 연구
심성엽,이동건,김동렬,김인수,김말문,배인호,한병국,이상윤,Sim, Seong-Yeop,Lee, Dong-Geon,Kim, Dong-Ryeol,Kim, In-Su,Kim, Mal-Mun,Bae, In-Ho,Han, Byeong-Guk,Lee, Sang-Yun 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.8
Au/Si(100) Schotty diode를 l00k~300k 온도범위에서 current voltage(I-V), capacitance-voltage(C-V)측정을 하였다. 얻어진 Schottky barrier height(SBH)갑은 실온에서 두측정값 모두 (0.79$\pm$0.02)eV 이다. 그러나 온도가 감소할수록 I-V측정에서 SBH는 선형적으로 감소하고 C-V측정에서 SBH는 온도에 따른 변화가 관찰되지 않았다. 이것은 낮은 온도에서 열이온 방출 이론을 따르지 않는다는 것을 나타낸다. 이것으로 재결합 전류를 고려하여 계산해 본 결과 I-V에서도 SBH의 변화가 관찰되지 않으므로 C-V측정과 일치됨을 보았다. 이런 상반된 결과를 가져오는 이유는 전류수송현상이 온도에 따라 변화하므로 생긴 것임을 알 수 있었다. The Schottky barrier hieght(SBH) of Au/n-Si(100) were investigated by current-voltage(I-V) and capacitance voltage(C-V) measurement within a temperature range of l00K∼300K. The values of SBH at room temperature obtained from these two measurements were (0.79${\pm}$0.02)eV. The SBH obtained from the C-V measurement was temperature independent, while that obtained from the I-V measurement decreased linearly with decreasing temperature. This indicates that the Schottky diode has deviated from the thermionic emission theory at low-temperature, Thus, other current transport processes were considered and the contribution of recombination current was dominant at low temperature. We found that it leads to a lower SBH value. Thus, the conflicating results between C-V and I-V measurement were explained, C-V measurement is believed to yield mare reliable SBH values in present study since it is not affected by the current transport uncertainties.
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z-방향으로 비등방적인 원통형 결함을 가진 YBCO 단결정의 자속운동
심성엽,황태종,김동호 嶺南大學校 基礎科學 硏究所 1998 基礎科學硏究 Vol.18 No.-
We have made a comparison of the magnetic properties between columnar defect introduced YBCO single crystal(S#1) and partially introduced crystal(S#2).Magnetization vs. applied field curves of S#1 had larger width than S#2 by SQUID magnetometer measurement. But if we considered the volume of partially introduce columnar defect in S#2, the curves of magntization of S#1 and S#2 showed nearly same magnitude. Moreover, S#1 and S#2 showed same normalized relaxation rate thus we may concluded that only the part of columnar defect contrubute the flux pinning in S#2. Irreversibility line(IRL)was obtained from AC susceptibility measurement. IRL of S#2 showed downward shift relative to the case of S31. Below the Bcr, exponent αwas 1.85 and 1.68 in the S#2, respectively. Bose-glass phase was even showed in the case of S#2 defect structure.
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光電 方法에 의한 MOS구조의 산화층내의 電荷分布 연구
심성엽,金末文,이동건,문영희 嶺南大學校 基礎科學硏究所 1993 基礎科學硏究 Vol.13 No.-
Charge trapping in the insulator of a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure strongly influences photocurrents resulting from electron photoinjection from gate into this insulator. These electric characteristics are investigated by Przewlocki method for determination of trapped charge distribution in the dielectric of a MOS structure. Silicon dioxide films were grown thermally in a dry oxygen ambient at 1000℃ to a thickness of 2000Å on (100) 6-9Ωcm p-type Si Wafers. As a result, it is found that the negative charge distribution is an exponential profile of decay lengthλ=9.907×10??cm and trapped charge density N。=3.912×10??cm-₃in the dielectric of this MOS structure.
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이온 주입된 Si에서 도우펀트의 확산거동 및 결정성 회복
문영희(Y. H. Mun),이동건(D. K. Lee),심성엽(S. Y. Sim),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),하동한(D. H. Ha),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.3
As^+와 P^+ 이온들이 주입된 실리콘에서, 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리(thermal annealing)가 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양이였다. 이온 주입 시 실리콘 내부에 생성된 손상(damage)들을 제거하기 위해, 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산(transient enhanced diffusion)에 의해서 접합 깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타났다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들의 손상(damage)들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ simulation에 의해서 확인할 수가 있었다'. As^+, P^+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다. We have studied on the effect of thermal annealing on the dopant diffusion and the recrystallization in the As^+ or P^+ implanted amorphous silicon layer. The specimen was annealed in conventional furnace annealing in order to eliminate the damage induced by ion implantation. The junction depth is considered to be shifted to deeper site due to the transient enhanced diffusion of dopants during the process of thermal annealing. The diffusion of dopants during the furnace annealing was measured using SIMS and SUPREM Ⅳ simulation. The recrystallization of amorphous silicon layer, formed by ion implantation was studied by Raman experiment.
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