http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 심성엽(S. Y. Sim) (검색결과 1 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
이온 주입된 Si에서 도우펀트의 확산거동 및 결정성 회복
문영희(Y. H. Mun),이동건(D. K. Lee),심성엽(S. Y. Sim),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),하동한(D. H. Ha),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.3
As^+와 P^+ 이온들이 주입된 실리콘에서, 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리(thermal annealing)가 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양이였다. 이온 주입 시 실리콘 내부에 생성된 손상(damage)들을 제거하기 위해, 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산(transient enhanced diffusion)에 의해서 접합 깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타났다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들의 손상(damage)들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ simulation에 의해서 확인할 수가 있었다'. As^+, P^+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다. We have studied on the effect of thermal annealing on the dopant diffusion and the recrystallization in the As^+ or P^+ implanted amorphous silicon layer. The specimen was annealed in conventional furnace annealing in order to eliminate the damage induced by ion implantation. The junction depth is considered to be shifted to deeper site due to the transient enhanced diffusion of dopants during the process of thermal annealing. The diffusion of dopants during the furnace annealing was measured using SIMS and SUPREM Ⅳ simulation. The recrystallization of amorphous silicon layer, formed by ion implantation was studied by Raman experiment.
DBpia
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
