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As 이온이 주입된 단결정 실리콘(100)의 전기적 활성화 연구
이동건(D. K. Lee),문영희(Y. H. Mun),손정식(J. S. Son),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.1
Hall 효과 측정을 이용하여 As^+이 주입된 단결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 800℃ (30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다. We studied activation process of As^+ implanted Si(l00) according to annealing conditions by using Hall effect measurement. Depth profiles were measured by SIMS(secondary ion mass spectroscopy) and SUPREM Ⅳ computer simulation. It was found that sheet carrier concentration become different clearly in proportion to the increasing of annealing temperature, and that the annealing temperature has to vary according to dose for activation of implanted layer by measuring temperature dependence of Hall mobility. And, decreasing of junction leakage current was shown clearly above 800℃ (30 min).
이온 주입된 Si에서 도우펀트의 확산거동 및 결정성 회복
문영희(Y. H. Mun),이동건(D. K. Lee),심성엽(S. Y. Sim),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),하동한(D. H. Ha),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.3
As^+와 P^+ 이온들이 주입된 실리콘에서, 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리(thermal annealing)가 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양이였다. 이온 주입 시 실리콘 내부에 생성된 손상(damage)들을 제거하기 위해, 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산(transient enhanced diffusion)에 의해서 접합 깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타났다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들의 손상(damage)들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ simulation에 의해서 확인할 수가 있었다'. As^+, P^+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다. We have studied on the effect of thermal annealing on the dopant diffusion and the recrystallization in the As^+ or P^+ implanted amorphous silicon layer. The specimen was annealed in conventional furnace annealing in order to eliminate the damage induced by ion implantation. The junction depth is considered to be shifted to deeper site due to the transient enhanced diffusion of dopants during the process of thermal annealing. The diffusion of dopants during the furnace annealing was measured using SIMS and SUPREM Ⅳ simulation. The recrystallization of amorphous silicon layer, formed by ion implantation was studied by Raman experiment.