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초등 예비교사들의 다문화 과학교육에 대한 교수효능감과 인식
김동렬 글로벌교육연구학회 2017 글로벌교육연구 Vol.9 No.1
본 연구는 초등 예비교사들의 다문화 과학교육의 경험 유무에 따른 다문화 과학교육에 대한 교수효능감과 인식을 분석하데 목적이 있다. 본 연구 결과를 바탕으로 결론을 내리면 다음과 같다. 첫째, 다문화 학생을 대상으로 과학교과를 지도해본 경험이나 다문화 관련 과학수업을 수강한 경험 둘 중 하나라도 있는 예비교사는 조사 대상 120명중 43명이었으며 그 중 둘 다 경험을 한 예비교사는 8명으로 낮은 빈도를 보였다. 둘째, 초등 예비교사들의 다문화 과학교육 경험 유무에 따라 교수효능감을 비교 분석한 결과, 경험이 있는 예비교사들이 경험이 없는 예비교사들 보다 ‘다문화 과학지식’, ‘교수방법및 교육소재 활용’, ‘상호관계’, ‘가족관점’ 4가지 측면 모두에서 다문화 교수효능감 수준이 높게 나타났다. 셋째, 다문화 과학교육에 대한 경험이 있는 초등 예비교사들의 다문화 교육 지도상의 어려움으로는, 과학 교과서에는 다양한 문화적 배경과 이미지자료가 부족하다는 점과 각기 다른 지식수준을 가진 아이들을 대상으로 어느 출발점에서부터 지도해야 하는지, 일반 학생과의 이해도 차이를 좁히거나 학습내용 난이도 조절에서 어려움이 있다고 보았다. 다문화 과학교육을 하기에 적합한 과학주제로는 날씨에 대해 알아보는 것이며, 세계 각지에서 발생하는 과학현상을 다룬 과학자료를 활용하여 모국 또는 부모의 나라에 대한 친밀도를 높여가며 다문화 과학수업을 진행해야 한다고 보았다.
Fe가 오염된 GaAs에서의 Photoluminescence
김동렬,유재인,배인호,박성배,신영남 大邱大學校附設 基礎科學硏究所 1998 基礎科學硏究 Vol.15 No.2
Photoluminescence(PL) has been applied to characterize the transition in contaminated n-GaAs with Iron. The PL spectrum of the bulk n-GaAs at 15 K showed two peaks, one is the DAP peak located at 1.477 eV and the other is the Ga vacancy peak around 1.4973 eV. The PL spectrum of the Fe contaminated n-GaAs showed peak located at 1.4795 eV with broade the full with half maximum that relate with Fe acceptors. From temperature dependent PL intensity, activation energy E_(u) is determined to be 35 meV.
Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs 다중 양자우물구조에서 Photolumunescence의 온도 의존성
김동렬,배인호,김대년,박성배,신영남 大邱大學校附設 基礎科學硏究所 1998 基礎科學硏究 Vol.15 No.1
Temperature dependent photoluminescence(PL) has been applied to characterize the subband transition in Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy. The PL signal at 295 K showed main peak located at 1.4795 eV with a shoulder around 1.4973 eV. They are associated with the E1 H1 and E1 L1. From temperature dependent PL intensity, activation energy is determined to be 22 meV. From temperature dependent PL linewidth, γ_(i) and γ_(c) are determined to be 5.26±0.2 meV, 136±52 meV, respectively. When the lattice temperature was decreased, the peak energy increased, following the temperature dependence of the bulk GaAs band gap, down to around 30 K, and then deviated to the lower energy side by about 3.5 meV at 12 K.
스토리텔링을 활용한 과학 수업이 중학생들의 인체 구조와 기능의 이해에 미치는 영향
김동렬 韓國生物敎育學會 2011 생물교육 Vol.39 No.1
This study intended to identify the effects of storytelling-based science class on the level at which middle-schoolers draw the structure of a human body and on their understanding of the functions of human organ systems. The research subjects were 162 third-grade middle school students, and the class proceeded in the course of fourteen times. The effects of storytelling were identified through the drawing of human organ systems and the open-ended questionnaires on the functions of each organ. The drawing of human organ systems resulted in the following: in the pretest, students hardly drew the urogenital organ and nervous systems; after the storytelling-based class, however, the higher percentage of them drew more than three organ systems accurately. The open-ended questionnaire survey to examine their understanding of the functions of human organs resulted in the following: in the pretest, students' misconceptions were found on almost all organs, and even when they drew the organs at the right positions, their understanding of the organic functions was deficient; the storytelling-based class, however, allowed students to comprehensively approach each organic system of a human body and to remember the contents of learning well through interesting stories, thus having positive influence on the correction of their misconceptions on the functions of human organs.
Electroreflectance 측정에 의한 Si이 첨가된 $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$에서의 $E_1$ 전이에 대한 연구
김동렬,손정식,김근형,이철욱,배인호 한국전기전자재료학회 1998 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.9
Silicon doped $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ were growth by molecular beam epitaxy. Electroreflectance(ER) spectra of the $E_1$ transition of Schottky barrier Au/n-$Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ have been measured at various modulation voltage($V_{ac}$) and dc bias voltage($V_{bias}$). from the $E_1$peak, band gap energy of the $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ is 1.883 eV which corresponds to an Al composition of 32%. As modulation voltage($V_{bias}$) is changed, a line shape at the $E_1$transition does not change, but its amplitude varies linearly. The amplitude of $E_1$signal decrease with increasing the forward dc bias voltage($V_{bias}$), but the line shape does not change. It suggests that the low field theory rather than Franz-Keldysh oscillation is Required to interpret spectra. Also, spectra at the $E_1$transition were broadened with increasing the reverse dc bias voltage($V_{bias}$) which suggests the presence of Field-induced broadening.
Chemical Beam Epitaxy로 성장한 InGaP의 Photoreflectance 특성 연구
김동렬,배인호,박성배,신영남 大邱大學校附設 基礎科學硏究所 1998 基礎科學硏究 Vol.14 No.2
In_(x)Ga(1-x)P/GaAs system were grown by chemical beam epitaxy(CBE). Pure phosphine(PH₃) gases were used as group Ⅴ sources. For the group Ⅲ sources, TEGa, TmIn were used. In_(x)Ga(1-x)P epilayer was grown on SI-GaAs substrate and has a 1- μm thick. We investigated characteristics of In_(x)Ga(1-x)P using photoreflectance(PR) spectroscopy. From PR measurement, the signal of In_(x)Ga(1-x)P shows third-derivative feature whose peaks provide energy gap. The energy gap of In_(x)Ga(1-x)P has deduced composition x. Chemical beam epitaxy(CBE)로 성장한 In_(x)Ga_(1-x)P에 대하여 photoreflectance(PR) 측정을 하였다. 측정결과, 시료의 띠 간격 에너지는 1.872 eV이었다. 이 에너지 값으로부터 In_(x)Ga_(1-x)P의 조성비 x값이 0.5임을 얻었다. 온도변화에 따른 PR 측정으로 온도계수 dE_(g)/dT=-3.773×10^(-4) eV/K 이었고, 또한 온도변화에 따른 ΔE_(8) 값으로부터 Varshni 상수 α와 β 값을 얻을 수 있었다. Bose-Einstein 온도 관계식을 이용하여 interaction의 크기 β_(B)는 19.4 meV이었고, 평균 포논 주파수와 관계되는 θ값은 101.4K 이었다.