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신상훈,장동식,Sin, Sang-Hun,Jang, Dong-Sik 한국정보디스플레이학회 2003 인포메이션 디스플레이 Vol.4 No.5
지금까지 CL 및 PL을 이용한 디스플레이용 형광체에 대해 살펴보았다. 디스플레이는 우리와 함께 호흡하는 공기와도 같이 삶에 일부로 존재하며, 또한 끊임없는 발전과 변화를 꾀하고 있다. 현재 연구 혹은 개발이 진행 중인 디스플레이 디바이스는 CL 및 PL 방식이외에도 다양한 방식과 매력적인 모습으로 우리를 기다리고 있다.
신상훈,송재훈,박성주,Sin, Sang-Hun,Song, Jae-Hun,Park, Seong-Ju 한국정보과학회 2001 정보과학회논문지 : 시스템 및 이론 Vol.28 No.5
칩의 집적도에 비례하여 설계검증 및 칩 제작 후의 결함점검은 갈수록 어려워지며 이러한 테스트 문제의 원초적 해결을 위하여 다양한 테스트설계 기술이 널리 개발되고 있다. 상위 수준의 테스트설계에서는 회로의 기능에 대해서는 알 수 있으나 구조에 대해서는 알 수 없고, 하위 수준의 테스트설계에서는 회로의 구조를 알 수 있으나 기능은 알 수 없다. 따라서 테스트 설계는 기능을 기술하는 상위 수준에서부터 고려되어 하위 게이트수준에서 스캔플립플롭을 선택하여야 최적화된 성능을 얻을 수 있다. 본 논문에서는 테스트용이도를 증진시키기 위해, 상위수준의 기능정보에 대해서는 테스트점을 삽입하여 제어흐름(control flow)을 변경하고, 상위 수준의 합성 후에 하위 수준에서 스캔플립플롭을 선택하여 다시 합성하는 상위.하위 수준에서 통합된 테스트 합성 기술을 제안한다. 실험결과 통합된 테스트 합성 기술이 대부분의 벤치마크 회로에서 높은 고장검출율을 보여주고 있다.
국방과학기술플러스 - 스텔스 기술 및 연구동향(비행체 중심)
신상훈,박태학,Sin, Sang-Hun,Park, Tae-Hak 한국방위산업진흥회 2010 國防과 技術 Vol.2010 No.1
현대전이 고성능의 센서에 기반을 둔 전자전으로 나아가는 추세에서 무기체계의 생존성을 높여서 부여된 임무 수행을 할 수 있게 하는 스텔스 기술은 오늘날 그 기술적 효용성과 중요성이 갈수록 부각되고 있다. 세계 각 국에서는 수중무기부터 항공무기체계에 이르기까지 무기체계의 생존성 향상을 위해 스텔스 기술 연구를 진행하고 있으며, 스텔스 기술을 주요 핵심기술로 분류, 적극적으로 보호하고 있다. 이 글에서는 스텔스 기술 분류, 신호 감소 기술 및 적용사례와 국내외 연구동향에 대하여 비행체를 중심으로 고찰하였다.
RUO$_2$/GaN 쇼트키 다이오드 형 자외선 수광소자
신상훈,정병권,배성범,이용현,이정희,함성호,Sin, Sang-Hun,Jeong, Byeong-Gwon,Bae, Seong-Beom,Lee, Yong-Hyeon,Lee, Jeong-Hui,Ham, Seong-Ho 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.10
사파이어 기판 위에 성장된 GaN위에 RUO₂/GaN 쇼트키형 자외선 수광소자를 설계, 제작하였다. 자외선 빛의 흡수율을 높이기 위해, MOCVD 다층구조는 undoped GaN(0.5 ㎛)in ̄-GaN(0.1 ㎛)/n+-GaN(1.5 ㎛)로 성장하였다. 성장층은 3.8×10/sup 18/ cm ̄³의 캐리어 농도와 283 ㎠/V· s의 이동도를 가진다. 500 ㎛내외의 직경을 가지는 메사구조를 형성하기 위해 ECR 식각한 후, n+-GaN층위에 Al으로 저항성 접촉을 하였다. 저항성 및 쇼트키 접촉 사이에 Si₃/N₄ 박막으로 절연한 이후 undoped GaN 층위에 RuO₂ 쇼트키 접촉을 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 1.15×10/sup -5/ [Ω-㎠]의 접촉비저항을 가졌다. 제작된 다이오드는 역전압인 -5V에서 305pA의 낮은 누설전류를 확인하였는데, 이 값은 RuO₂ 쇼트키 금속증착에 의해 현저히 향상된 것이다. 광측정에서는 10/sup 5/의 자외선대가시광선 제거비와 365nm 파장에서 0.23A/W로 높은 응답도를 보인다. A RuO$_2$ Schottky photo-detector was designed and fabricated with GaN layers on the sapphire substrate. For good absorption of UV light, an epitaxial structure with undoped GaN(0.5 ${\mu}{\textrm}{m}$)/n ̄-GaN(0.1${\mu}{\textrm}{m}$)/n+-GaN(1.5${\mu}{\textrm}{m}$) was grown by MOCVD. The structure had the carrier concentrations of 3.8$\times$10$^{18}$ cm ̄$^3$, the mobility of 283$\textrm{cm}^2$/V.s. After ECR etching process for mesa structure with the diameter of about 500${\mu}{\textrm}{m}$, Al ohmic contact was formed on GaN layer. After proper passivation between the contacts with Si$_3$/N$_4$, was formed on undoped GaN layer. The fabricated Schottky diode had a specific contact resistance of 1.15$\times$10$^{-5}$ [$\Omega$.$\textrm{cm}^2$]. It has a low leakage current of 305 pA at -5 V, which was attributed by stable characteristics of RuO$_2$ Schottky contact. In optical measurement, it showed the high UV to visible extinction ratio of 10$^{5}$ and very high responsivity of 0.23 A/W at the wavelength of 365nm.