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AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
백호선,이정욱,김하진,유지범,Baek, Ho-Seon,Lee, Jeong-Uk,Kim, Ha-Jin,Yu, Ji-Beom 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.6
AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. Si과 GaN의 격자부정합도와 열팽창계수의 차이를 줄이기 위해 AIN과 저온 GaN를 완충충으로 사용하였다. AIN은 RF sputter를 이용하여 중착온도와 증착시간 및 RF power에 따른 표면 거칠기를 AFM으로 조사하여 최척조건을 확립하여 사용하였다. 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다. 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. 후막 GaN의 표연특성 및 막의 두께는 SEM과 $\alpha-step$을 이용하여 측정하였으며 결정성은 X-ray Diffractometer를 이용하여 조사하였다. We have investigated the growth characteristics of thick GaN on Sim substrate with AlN and low temperature GaN buffer layer. The vertical hydride vapor phase epitaxy system with $GaCl_3$ precursor was used for growth of GaN. AlN and GaN buffer layer were deposited on Si substrate to reduce the lattice mismatch and the thermal expansion coefficient mismatch between si and GaN. Optimization of deposition condition for AlN and low temperature GaN buffer layers were carried out. We studied the effects of growth temperature, V/III ratio on the properties of thick GaN. Surface morphology, growth rate and crystallinity of thick GaN were measured using Atomic Force Microscopy (AFM), $\alpha-step$-, Scanning Electron Microscopy (SEM) and X-Ray Diffractometer(XRD).
$\textrm{GaCI}_{3}$를 이용한 수직형 HAPE에서 GaN의 성장특성
백호선,이정욱,김태일,이상학,Baek, Ho-Seon,Lee, Jeong-Uk,Kim, Tae-Il,Lee, Sang-Hak 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.5
후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 $GaCI_{3}$를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 $GaCI_{3}$의 유량에 비례하였으나, $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$로 온도를 증가조건하에서 최대 28$\mu\textrm{m}$/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.
Low-Power Switching Scheme with Quarter Reference Voltage Sources for SAR ADCs
이현엽,이진섭,노창현,강호진,김성태,백호선,김영진,조춘식 한국전자파학회 2022 Journal of Electromagnetic Engineering and Science Vol.22 No.2
In this paper, an energy-efficient switching scheme with additional quarter-reference voltage sources in a successive approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) is proposed for a low power and small area device for frequency modulated continuous wave (FMCW) radar transceivers. Recently, state-of-the-art ADCs have adopted a configuration that also uses Vref/2 as the reference voltage of the ADCs to improve the switching energy of capacitive digital-to-analog converter (CDAC). The proposed switching configuration additionally uses Vref/4 and 3Vref/4 reference voltages as the reference voltage of CDAC. Compared to state-of-the-art configurations that use the additional reference voltage of Vref /2, the average switching energy, and the total capacitance of CDAC in the proposed configuration are reduced by about 87.5% and 50%, respectively. In this switching scheme, the CDAC output voltage gradually converges to Vref/2, like with conventional SAR ADCs, which minimizes the dynamic offset that deteriorates the linearity of the SAR ADC.