$Si_3N_4$ 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성

배성찬,박병남,손승현,이종현,최시영,Bae, Seong-Chan,Park, Byung-Nam,Son, Seung-Hyun,Lee, Jong-Hyun,Choi, Sie-Young 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.7

PECVD 법을 이용하여 Tungsten Nitride($WN_x$) 박막을 $WSi_3N_4$ 기판위에 형성하였다. $WN_x$ 박막은 기관온도, 가스의 유량, rf power 등의 공정변수를 변화시키면서 형성되었고, 서로 다른 질소원으로 $NH_3$와 $N_2$를 각각 사용하여 박막의 특성을 조사하였다. $WN_x$ 막 내의 질소함량은 $NH_3$와 $N_2$의 유량에 따라 0~45% 정도로 변화하였으며, $NH_3$를 사용하였을 때, 최고 160nm/min의 높은 성장률을 나타내었다. $WSi_3N_4$ 기판 위에서는 TiN이나 Si 위에서보다 높은 성장률을 나타내었다. $WN_x$ 박막의 순도를 AES로 측정해 본 결과 $NH_3$를 사용했을 때 고순도의 박막을 얻을 수 있었다. XRD 분석으로 순수한 다결정의 W가 비정질의 $WN_x$로 변화되는 것을 알 수 있었으며, 이것은 $WN_x$가 식각 공정시 미세 패턴 형성이 W보다 유리할 것이라는 것을 보여준다. TiN, NiCr, Al 등의 다양한 기판 위에 형성해 본 결과 Al 위에서 최대 $1.6 {\mu}m$의 두꺼운 막이 형성되었다. Tungsten nitride($WN_x$) films were deposited by PECVD method on silicon nitride($WSi_3N_4$) substrate. The characteristics of $WN_x$ film were investigated with changing various processing parameters ; substrate temperature, gas flow rate, rf power, and different nitrogen sources. The nitrogen composition in $WN_x$ film varied from 0 to 45% according to the $NH_3$ and $N_2$ flow rate. The highest deposition rate of 160 nm/min was obtained for the $NH_3$ gas and relatively low deposition rate of $WN_x$ films were formed by $N_2$ gas. $WN_x$ films deposited on $WSi_3N_4$ substrate had higher deposition rate than that of TiN and Si substrates. The purity of $WN_x$ film were analyzed by AES and higher purity $WN_x$ films were deposited using $NH_3$ gas. The XRD analysis indicates a phase transition from polycrystalline tungsten(W) to amorphous tungsten nitride($WN_x$), showing improved etching profile of $WN_x$ films Thick $WN_x$ films were deposited on various substrates such as Tin, NiCr and Al and maximum thickness of $1.6 {\mu}m$ was obtained on the Al adhesion layer.

Si₃N₄ 기판 위에 PECVD법으로 형성한 tungsten nitride 박막의 특성

배성찬,이종현,최시영 한국진공학회 1998 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.- No.-

Li 도핑에 따른 CuO 광전극의 광전기화학적 특성 개선 연구

배성찬,이성혁,류혁현,이원재 대한금속·재료학회 2022 대한금속·재료학회지 Vol.60 No.8

We fabricated a Li doped CuO photoelectrode by doping CuO with Li to improve the photoelectrochemical properties of the CuO photoelectrode. The fabricated Li doped CuO photoelectrode was optimized by experimentally investigating Li doping concentration, annealing temperature, and spin coating deposition cycle. It was confirmed that Li doped CuO had increased light absorption, decreased energy band gap, and improved crystallinity. The Li-doped CuO photoelectrode had a porous surface, unlike the bare CuO photoelectrode, and had a low charge transfer resistance as well as a high flat band potential. The Li doping concentration experiment demonstrated that the 2 at% Li doped CuO photoelectrode had a superior photocurrent density value compared with a bare CuO photoelectrode. In the annealing temperature optimization experiment with a 2 at% Li doped CuO photoelectrode, it was found to have the best photocurrent density value at 500 oC. In experiments with various spin coating deposition cycles of the Li-doped CuO photoelectrode, the light absorption, energy bandgap, crystallinity, and electrical properties were affected by changes in the film thickness of the photoelectrode. In particular, we confirmed that a sample deposited with 4 spin coating cycles had the lowest interfacial resistance between the photoelectrode and the electrolyte, and the highest flat-band potential value. Consequently, we were able to obtain an improved photocurrent density of -1.68 mA/cm2 compared to the bare CuO photoelectrode using the Li-doped CuO photoelectrode under the optimized conditions of Li 2 at%, an annealing temperature of 500 oC, and 4 cycles of spin coating depositions.

Flexible 디스플레이로의 응용을 위한 플라스틱 기판 위의 박막트랜지스터의 제조

배성찬,오순택,최시영 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.40 No.7

Amorphous silicon (a-Si:H) based TFT process has been studied at the maximum temperature of 15$0^{\circ}C$ with 25${\mu}{\textrm}{m}$ thick flexible and adhesive tape type polyimide foil substrate, which has benefit on handling a rugged, flexible plastic substrate trough sticking simply it to glass. This paper summarize the process procedure of the TFT on the plastic substrate and shows its electrical characteristics in comparison with glass substrate using primarily the ON/OFF current ratio and the field effect mobility as the quality criterion. The a-SiN:H coating layer played an important role in decreasing surface roughness of plastic substrate, so leakage current of TFT was decreased and mobility was increased. The results show that high quality a-Si:H TFTs can be fabricated on the plastic substrates through coating a rough plastic surface with a-SiN:H. 25㎛ 두께의 폴리이미드 박핀 기판을 glass 기판에 부착하여 최대 온도 150℃에서 비정질 실리콘 TFT를 제작하였다. 본 논문은 plastic 기판 위에 TFT가 제작되는 공정 절차를 요약하고 glass 위에 제작된 TFT와 ON/OFF 전달특성과 전계효과 이동도를 서로 비교해 보았다. a-SiN:H 코팅층은 plastic 기판의 표면 거칠기를 감소시키는 중요한 역할을 하여 TFT의 누설전류를 감소시키고 전계효과 이동도를 증가시켰다. 따라서 a-SiN:H 코팅층을 이용하여 plastic 기판에 양철의 TFT를 제작하였다.

다문화자녀 교육·복지 서비스 관리를 위한 통합관리 시스템개발에 관한 연구

배성찬,편성진 한국자치행정학회 2013 한국자치행정학보 Vol.27 No.1

오늘날 다문화가정에 대한 교육은 정부의 지원을 받으며 다양한 기관들에 의해서 실시되 고 있으나, 체계적이지 못한 행정체계로 인하여 대상자들이 관계 기관으로부터의 교육에 대 한 사전정보를 숙지하지 못하거나 중복교육 또는 중복투자가 발생하는 등 다문화가정에 대 한 지역별로 관리가 원활하게 이루어진다고 할 수 없는 실정이다. 특히 다문화 자녀의 교육 실정에 관한 여러 문헌 조사 결과를 살펴보면 다문화 자녀 교육이 미래지향적인 바람직한 방향이 아닌 체계적이지 못한 관리행정으로 인하여 향 후 대한민국의 소중한 국민으로서 성장하게 될 다문화가정의 자녀들이 글로벌 시대에 맞는 인재로 나아가는데 상당한 어려움 에 봉착할 가능성이 매우 높은 것으로 조사되고 있다. 따라서 본 연구에서는 다문화가정 구 성원들에 대한 교육 및 행정이 효율적으로 운영이 될 수 있도록, 다문화가정 교육을 경험한 학생들의 자료를 데이터베이스화하여 다문화자녀 교육 이수자에 대한 지속적인 지도 및 관 리, 그리고 다문화가정 교육 주체 간의 지속적인 상호작용이 이루어질 수 있는 시스템을 개 발하고자 하였다. 이를 위해 기존의 선행연구, 시스템개발 전문가, 설문조사 등을 통하여 다 문화자녀 교육·복지 서비스 통합관리 시스템을 제시하고자 한다.

실시간 3차원 그래픽 프로그램 개발에 관한 연구

배성찬(Seong-Chan Bae),권승탁(Seung Tag Kwon),양연식 대한전자공학회 2001 대한전자공학회 학술대회 Vol.2001 No.6

Buffered Oxide Etch 세정에 의한 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 개선

남영묵,배성찬,최시영 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.8

본 논문에서는 UV 처리와 BOE 세정을 이용하여 레이저 어닐링 전의 실리콘 표면에 자연 산화막을 제거하여 다결정 실리콘 TFT의 신뢰성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 전처리 공정이 다결정 실리콘의 표면 거칠기에 미치는 영향을 AFM으로 측정하였으며, 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성인 스위칭 특성과 항복특성을 대형 유리기판의 위치와 전처리의 유무에 대해서 조사하였다. we developed a technique to manufacture more reliable polycrystalline silicon TFT-LCDs using UV cleaning and buffered oxide etch(BOE) cleaning which remove the native oxide of the silicon surface before laser annealing. To investigate the effects of pre-treatments on the surface roughness of polycrystalline silicon, we measured atomic force microscopy(AFM). Also the electrical characteristics of polysilicon TFTs, breakdown characteristic and switching Performance, were tested for various pre-treatment conditions and several locations in large glass substrate.

Improved photostability of CuO by using WO3/CuO and BiVO4/WO3/CuO heterojunction photoelectrodes with various thermal annealing processes

전승환,배성찬,류혁현 한국공업화학회 2023 Journal of Industrial and Engineering Chemistry Vol.118 No.-

In this study, WO3/CuO and BiVO4/WO3/CuO heterojunction photoelectrodes were fabricated to improvethe photoelectrochemical properties of CuO photoelectrodes. Regarding the WO3/CuO photoelectrodes,we investigated the effects of thermal annealing after CuO growth and annealing temperature afterdepositing WO3 on CuO. The sample annealed at 400 C after WO3 deposition and without annealing afterCuO growth had a higher photocurrent density than the CuO photoelectrode; however, it still had a lowphotostability of 37 %. Regarding the BiVO4/WO3/CuO photoelectrodes, we investigated the effects ofannealing on WO3/CuO and the annealing temperature and duration after BiVO4 deposition. Accordingly, we found that the light absorbance, full width at half maximum of the CuO XRD (020) peak,flat-band potential, acceptor density, and charge transfer resistance were highly dependent on theannealing duration of BiVO4. Moreover, a large improvement in photoelectrochemical properties wasobtained by fabricating BiVO4/WO3/CuO heterojunction photoelectrodes via a proper annealing process. As a result, a very high photostability of 78 % was obtained from the BiVO4/WO3/CuO photoelectrode thatwas annealed at 400 C for 20 minutes only after BiVO4 deposition without annealing after CuO and WO3depositions, which was much higher than the 21 % photostability of the CuO photoelectrode.

전기화학적 산화 공정을 이용한 산화된 다공질 폴리실리콘의 전계방출 특성

권순일,배성찬,남문호,최시영 한국진공학회 2005 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.- No.-

가정폭력을 경험한 아동의 자아존중감 향상을 위한 통합예술치료의 효과성 연구

류선숙,배성찬 국제문화기술진흥원 2019 The Journal of the Convergence on Culture Technolo Vol.5 No.2

본 연구에서는 통합예술치료가 가정폭력을 경험한 아동의 자아존중감에 미치는 영향의 효과성을 검증해 보는 것이며, 효과성이 있는지를 알아보기 위해 양적연구로는 비모수 통계를 사용하여 자아존중감(Self-esteem)의 차이검증을 하였다. 질적연구로는 동적가족화, 문장완성검사, 프로그램 보고서, 피드백 일지, 연구자와 보조치료사의 관찰일지를 이용하여 내면을 이해하도록 하였다. 본 연구는 전라북도내 I시에 소재한 I초등학생 49명을 대상으로 실시하였으며, 프로그램 실시 후 총체적 자아존중감· 사회적 자아존중감·가정적 자아존중감·학교적 자아존중감이 유의하게 높아진 것으로 나타났다. 또한 통합예술치료는자신에 대한 일반적인 인식, 구체적 인식을 증진시켜 총체적 자아존중감, 사회적 자아존중감, 가정적 자아존중감, 학교적 자아존중감 향상에 영향을 미친 것으로 나타났다. 따라서, 가정폭력을 경험한 아동의 자아존중감을 향상시키고, 또래관계와 대인 관계 개선을 위해 통합예술치료를 향후 학교나 기관에서 실시한다면 사회적 비용절감과 거리감을좁혀 나갈 수 있을 것이다. The purpose of this study is to examine the effects of integrated art therapy on the self-esteem of children who experienced domestic violence. In order to find out whether there is an effect, we used the nonparametric statistic as a quantitative study to verify the difference of self-esteem. In qualitative research, I used the dynamic familyization, sentence completion test, program report, feedback journal, and observation log from researcher and assistant therapist so as to get the deep understanding of their inner world. This study conducted a trauma test for 49 children in grades 4-6 from one elementary school in a city of Jeollabukdo Province. As a result, there was a significant increase in total self–esteem including their social life. family life, and school life after the program was implemented. Also, integrated art therapy promoted general perception and specific perception of self, which affected total self - esteem, social self - esteem, family self - esteem, and school self–esteem. So, it improves the self-esteem of children who have experienced domestic violence, In order to improve peer relations and interpersonal relations, if integrated art therapy is carried out in schools or institutions in the future, it will be possible to reduce social cost and distance.