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      • Tandem구조를 이용한 V-band용 CPW 3-dB 방향성 결합기

        문성운,한민,백태종,김삼동,이진구,Moon Sung-Woon,Han Min,Baek Tae-Jong,Kim Sam-Dong,Rhee Jin-Koo 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.42 No.7

        본 연구에서는 60 GHz 대역의 무선 LAN(Wireless Local Area Network) 시스템에서 Balanced 구조를 갖는 증폭기나 믹서에 응용이 가능한 CPW(Coplanar Waveguide)구조의 Tandem 형 3-dB 방향성 결합기를 설계하고 제작하였다. 이는 기존의 edge-coupled 선로를 이용한 3 dB 결합기가 가지는 제작의 어려움과 방향성의 문제를 개선하기 위해 단일 결합선로를 다단으로 평행하게 연결한 구조이다. 우리는 소자의 크기와 제작의 용이함을 고려해, 결합계수가 -8.34 dB를 갖는 단일 결합선로를 2단으로 평행하게 연결한 구조를 채택하였다. 그리고 기존의 Tandem 결합기 제작에서 사용되어왔던 다층 기판 구조나 본딩 구조가 아닌 에어브리지 구조를 이용하여 단일 평면으로 쉽게 구현할 수 있도록 하였고, V-band(50 $\~$75 GHz)내에서 동작할 수 있도록 기생성분을 줄이고 소자 특성을 유지시켰다. 측정결과 V-band에서 완만한 3.5 $\~$4 dB의 결합도와 87.5$^{\circ}{\pm}1^{\circ}$ 의 위상차를, 60 GHz 에서는 30 dB 이상의 방향성을 확인하였다. We design and fabricate 3-dB tandem directional coupler using the coplanar waveguide structure which is applicable to balanced amplifiers and mixers for 60 GHz wireless local area network system. The coupler comprises the multiple-sectional parallel-coupled lines to facilitate the fabrication process, and enable smaller device size and higher directivity than those of the conventional 3-dB coupler employing the edge-coupled line. In this study, we adopt the structure of two-sectional parallel-coupled lines of which each single-coupled line has a coupling coefficient of -8.34 dB and airbridge structure to monolithically materialize the uniplanar coupler structure instead of using the conventional multilayer or bonded structure. The airbridge structure also supports to minimize the parasitic components and maintain desirable device performance in V-band (50$\~$75 GHz). The measured results from the fabricated couplers show couplings of 3.S$\~$4 dB and phase differences of 87.5$^{\circ}{\pm}1^{\circ}$ in V-band range and show directivities higher than 30 dB at a frequency of 60 GHz.

      • KCI등재

        시간영역과 스펙트럼영역 빛간섭단층촬영기의 황반두께 측정치 및 반복성의 비교

        문성운,김영균,유승영,곽형우,김응석 대한안과학회 2009 대한안과학회지 Vol.50 No.7

        Purpose: To compare macular thickness measurements obtained from time domain optical coherence tomography (TD-OCT) and 2 spectral domain (SD) OCTs and to evaluate their repeatability and agreement in normal subjects and diabetic macular edema patients. Methods: Fifty-four healthy, normal subjects and 26 diabetic macular edema patients were participated in this study. In a randomly selected eye from each subject, two serial macular measurements were obtained from TD-OCT (Stratus OCT) and SD-OCTs (Cirrus HD-OCT, Spectralis HRA+OCT) by an experienced technician in random order. Nine areas of macular thickness map and repeatabilities obtained by the 3 OCTs were compared. Results: In relative repeatability, SD-OCT showed better results overall compared to TD-OCT. Macular thickness was greatest in the Spectralis HRA+OCT in both normal subjects and diabetic macular edema patients, followed by Cirrus HD-OCT and Stratus OCT. In normal subjects, regardless of the type of comparison between the machines there was a statistically significant difference in all 9 areas. Conclusions: While the TD-OCT and the 2 SD-OCTs are reliable for macular thickness measurement, SD-OCT has better measurement repeatability compared with TD-OCT. Because macular measurements obtained from the 3 OCT systems cannot be interchanged, an effort should be made to standardize the measurement of each system. 목적: 정상인과 당뇨황반부종(DME)환자에서 시간영역 빛간섭단층촬영기(TD-OCT)와 스펙트럼영역 빛간섭단층촬영기(SD-OCT) 2종을 이용 하여 황반두께를 측정하고 각 기종별 두께 측정치의 차이와 반복성을 알아보았다. 대상과 방법: 정상인 54안과 DME환자 26안을 대상으로 Stratus OCT, Cirrus HD-OCT, Spectralis HRA+OCT를 이용하여 황반두께를 2회 순차적으로 측정한 후 9개의 영역으로 나누어 기기 3종의 측정치를 비교하고 반복성 값을 구하였다. 결과: 반복성은 TD-OCT보다 SD-OCT에서 더 좋았다. 황반두께 측정치는 정상인과 DME환자에서 모두 Spectralis HRA+OCT, Cirrus HD-OCT, Stratus OCT 순으로 높게 측정되었으며, 정상인에서는 기기별로 어떤 조합으로 비교하더라도 9개 영역 모두에서 의미있는 차이가 있었다. 결론: SD-OCT와 TD-OCT 모두 반복성이 뛰어났으나 SD-OCT의 반복성이 더 뛰어난 것으로 나타났다. 기종간의 측정부위가 다르며 측정치가 조금씩 다르므로 검사 결과를 해석할 때에 이를 염두에 두어야 할 것으로 생각된다.

      • KCI등재

        Small-signal modeling approach to 0.1-μm metamorphic HEMTs for W-band coplanar MMIC amplifier design

        문성운,전병철,정성호,박덕수,이진구,김삼동 한국물리학회 2012 Current Applied Physics Vol.12 No.1

        We present an accurate and reliable modeling method for designing the W-band (75e110 GHz) smallsignal millimeter-wave monolithic integrated circuit (MMIC) amplifiers with the GaAs-based 0.1-mm metamorphic high electron-mobility transistors (MHEMTs). For this, we propose an improved process control monitoring (PCM) pattern layout for the MHEMT modeling and a small-signal equivalent circuit model of 17 elements accounting for the feedback capacitance (Cpgd) and output conductance time delay (sds). The modeling technique adopts a gradient optimizer with the initial values of the extrinsic parameter set determined from the cold-FET measurement avoiding the forward gate-biasing in a frequency range of 0.5e65 GHz and the intrinsic parameter set obtained at an operating hot-FET condition in our W-band design frequency range. On the basis of the proposed small-signal equivalent circuit model, we design and fabricate 1- and 2-stage W-band MMIC amplifiers using the MHEMTs (30-mm gate width, 2 gate fingers) and a coplanar waveguide-based MMIC process. The measurements of the fabricated MMIC amplifiers show an excellent agreement with simulation data in the design frequency range.

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