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초에너지 이온주입에 의한 초저접합 형성시 발생하는 Deactivation 현상에 관한 연구
盧在相,柳漢權 弘益大學校 科學基術硏究所 1999 科學技術硏究論文集 Vol.10 No.2
Semiconductor proces sing technologies have progressed toward ULSI(Ultra Large Scale Integration) regime to enhance packing density and operating speed and reduce power consumption. For these reasons, not only horizontal dimensions but also vertical dimensions will continue to be decreased to minimize short-channel effect such as punchthrough. Since an As ion has a rather high mass and low diffusivity during annealing, the formation of n??/p shallow junction is relatively easy. However, the formation of p??/n junction is difficult because a B ion is light and shows significant diffusion during annealing. Ultra shallow p??/n junction is formed by ULE(ultra low energy) implanter and RTA(Rapid Thermal Annealing). In this study deactivation phenomena was investigated according to various post-annealing condition after the formation of ultra shallow p??/n junction.
Display 소재용 Sputtering Type FCCL의 기술 동향
이만형,류한권,김영태 한국표면공학회 2015 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2015 No.11
오늘날 연성회로기판(FCCL : Flexible Copper Clad Laminate)은 디스플레이, 스마트폰, 자동차, 항공, 의료 기기, 산업용 컨트롤 기기 등 거의 모든 고급 전자 제품들에 사용되고 있다. 특히 디스플레이 분야에서는 뛰어난 연성과 내구성을 바탕으로 경박단소화에 유리할 뿐만 아니라 구동부에 적용이 가능한 장점 등으로 그 적용처가 점점 늘어나고 있는 추세이다. 이 가운데서도 LCD와 OLED의 구동소자(Display Driver IC)를 장착하는 COF(Chip on Film)는 대표적인 연성회로기판(FCCL) 적용 부품으로서, 최근 인기를 끌고 있는 디스플레이의 제로-베젤(Zero-bezel)을 가능케 하는 핵심 부품이다. COF용 연성회로기판(FCCL) 소재로는 우수한 평탄도, 파인피치(Fine-pitch)구현성, 내굴곡성, 광투과성 등을 보유하고 있는 Sputtering Type FCCL이 사용되고 있다. 특히 최근 Display 분야의 화두가 되고 있는 POLED(Plastic-OLED) 패널을 장착한 Flexible Mobile 디스플레이의 경우, 기존의 COG(Chip on Glass) 접합방식이 아닌 COF 접합방식을 채택하고 있으며, 기존의 단면 COF보다 3배의 고해상도 구현이 가능한 양면 COF를 채택하기에 이르렀다. 기존의 COF 제작공정과 달리 Semi Additive 공정으로 제작되는 양면 COF 시장의 태동으로 양면 연성회로기판(FCCL)의 수요 증가가 예상되는 등 최근 디스플레이 기술 발전은 소재 분야에도 큰 변화를 잉태하고 있다. 이러한 최근 디스플레이 업계의 고해상도, 고속 신호 전송, 슬림화, Flexible 추세에 대응 가능한 최적의 특성을 보유하고 있는 Sputtering Type FCCL을 중심으로 디스플레이의 발전에 대응하는 소재의 기술 개발 동향을 살펴보고자 한다.
G-PON용 높은 전광변환효율을 갖는 1.31 um 비냉각 DFB-LD
김정호,피중호,김덕현,박칠성,류한권,구본조,Kim, Jeong-Ho,Pi, Joong-Ho,Kim, Deok-Hyun,Park, Chil-Sung,Ryu, Han-Gwon,Koo, Bon-Jo 한국광학회 2007 한국광학회지 Vol.18 No.5
[ $-40^{\circ}C$ ]에서 $85^{\circ}C$의 온도에서 냉각장치 없이 동작하는 1.31 um 비냉각 DFB-LD가 유기 금속 화학 증착법에 의해 성장되었다. 높은 전광변환효율을 갖는 레이저의 제작은 스트레인이 인가된 다중양자우물 구조의 최적화를 통해 가능하며, 특히 스트레인의 양, 양자 우물의 두께, 전위장벽의 두께, 양자 우물의 수, 활성층의 폭에 주로 영향을 받는다. 본 연구에서 제작된 DFB-LD는 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 전광변환효율은 0.38[mW/mA]와 0.26[mW/mA], 발진개시전류는 각각 7.1[mA]와 19.8[mA]의 값을 가졌다. A Strained Layer Multiquantum-Well (SL-MQW) distributed feedback laser at a wavelength of 1.31 um operating from $-40^{\circ}C$ to $85^{\circ}C$ without any cooling is grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Lasers with high slope efficiency are achieved through careful optimization of a SL-MQW active layer, especiallyoptimizing the amount of strain, the well thickness, the barrier thickness, the number of wells, and the active layer width. In this paper, we obtain the slope efficiencies of 0.38[mW/mA] and 0.26 [mW/mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively. Threshold currents are 7.1[mA] and 19.8[mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively.