완전도체 스트립 회절격자에 의한 E-분극산란 ( E-Polarized Scattering by a Perfectly Conducting Strip Grating )

윤의중,이재기,김남일 대한전자공학회 1993 대한전자공학회 세미나 Vol.1993 No.-

FGMM을 이용한 접지된 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 H-분극 전자파 산란 해석

윤의중 한국인터넷방송통신학회 2020 한국인터넷방송통신학회 논문지 Vol.20 No.1

In this paper, H-polarized electromagnetic scattering problems by a conductive strip grating between a grounded double dielectric layer are analyzed by applying the FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method) known as a numerical method of electromagnetic fileld. The boundary conditions are applied to obtain the unknown field coefficients, and the conductive boundary condition is applied to analysis of the conductive strip. The numerical results for normalized reflected power are analyzed by according as the width and spacing of conductive strip, the relative permittivity and thickness of the grounded double dielectric layers, and incident angles. Generally, as the value of the dielectric constant and dielectric thickness of a grounded double dielectric layer increases, the reflected power increased. And as dielectric thickness of a grounded double dielectric layer increases, the current density induced in the strip center increases. The numerical results for the presented structure of this paper are shown in good agreement compared to those of the existing papers using the PMM(Point Matching Method). 본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 H-분극 전자파 산란 문제는 전자파수치해석 방법으로 알려진 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의계수를 구하기 위하여 이용하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 도체띠의 폭과 주기, 접지된2중 유전층 사이의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력을 계산하였다. 전반적으로 접지된 2중 유전체층의 비유전율 및 두께가 증가할수록 반사전력은 증가하였다. 그리고 접지된 2중 유전체 층의 두께가 증가할수록 도체띠에 유도되는 전류밀도는 스트립 중앙에서 증가하였다. 본 논문의 제안된 구조에 대한 수치결과들은 PMM을 이용한 기존논문의 수치해석 결과 들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

디지털 FIR 필터와 Deep Learning을 이용한ECG 신호 예측 및 경과시간

윤의중 국제문화기술진흥원 2023 The Journal of the Convergence on Culture Technolo Vol.9 No.4

심전도(electrocardiogram, ECG)는 심박동의 속도와 규칙성, 심실의 크기와 위치, 심장 손상 여부를 측정하는 데 사용되며, 모든 심장질환의 원인을 찾아낼 수 있다. ECG-KIT를 이용하여 획득한 ECG 신호는 ECG 신호에 잡음을 포함하기 때문에 딥러닝에 적용하기 위해서는 ECG 신호에서 잡음을 제거해야만 한다. 본 논문에서는, ECG 신호에 포함된 잡음은 Digital FIR 해밍 창함수를 이용한 저역통과 필터를 사용하여 제거하였다. LSTM의 딥러닝 모델을 사용하여 3가지 활성화 함수인 sigmoid(), ReLU(), tanh() 에 대한 성능 평가를 비교했을 때, 오차가 가장 작은 활성화 함수는 tanh() 함수 임을 확인하였고, batch size가 작은 경우가 큰 경우보다 시간이 많이 소요되었다. 또한 GRU 모델의 성능 평가의 결과가 LSTM 모델보다 우수한 것을 확인하였다.

LAM 공정 응용을 위한 나선형 인덕터의 구조에 대한 시뮬레이션

윤의중(Eui-Jung Yun),김재욱(Jae-Wook Kim),박형식(Hyeong-Sik Park),이원국(Won-Kuk Lee) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7

기존 반도체공정들이 갖는 리소그래피와 식각 등의 공정단계를 배제하는 direct-write 공정을 이용하여 친환경적인 이점을 가질 수 있는 나선형 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 300㎛, SiO₂를 3㎛으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 LAM 공정과 direct-write 공정을 이용할 수 있도록 각각 100㎛으로 설정하여 3회 권선하였다. 인덕터는 200-500㎒ 범위에서 3.5nH의 인덕턴스, 4㎓에서 최대 29 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 2.6㎓로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

Chemical Constituents of Fermented Noni (Morinda citrifolia) Juice Exudates and Their Biological Activity

윤의중,Leng Chee Chang 한국생약학회 2017 Natural Product Sciences Vol.23 No.1

In a continuing study of the fermented noni (Morinda citrifolia) juice exudates, five compounds, heptanyl 2-O-b-d-xylofuranosyl-(1 → 6)-b-d-glucopyranoside (1), n-butyl b-d-glucopyranoside (2), (1S)-(3-ethenyl-phenyl)-1,2-ethanediol (3), (2S)-2-hydroxybutanedioic acid (4), and daucosterol (5) were isolated from the buthanol partition of the extract. The structures of the isolates were identified by 1D and 2D NMR, and MS experiments, as well as by comparison of their data with the published values. Among the isolates, compounds 1 - 3 were isolated for the first time from the plant species. The isolated compounds were evaluated for their cancer chemopreventive potential based on their ability to inhibit nitric oxide (NO) production and tumor necrosis factor alpha (TNF-a)-induced NF-kB activity, and quinonone reductase-1 (QR1)-inducing effect.

압저항 효과를 이용한 실리콘 압력센서 제작공정의 최적화

윤의중,김좌연,이석태 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.1

In this paper, the fabrication process of Si pressure sensors utilizing piezoresistive effect was optimized. The efficiency(yield) of the fabrication process for Si piezoresistive pressure sensors was improved by conducting Si anisotrophic etching process after processes of piezoresistors and Al circuit patterns. The position and process parameters for piezoresistors were determined by ANSYS and SUPREM simulators, respectively. The measured thickness of p-type Si piezoresistors from the boron depth-profile measurement was in good agreement with the simulated one from SUPREM simulation. The Si anisotrohic etching process for diaphragm was optimized by adding ammonium persulfate(AP) to tetramethylammonium hydroxide(TMAH) solution. 본 논문에서는 압저항 효과를 이용한 Si 압력센서 제작을 최적화 하였다. Si 압저항형 압력센서의 제작공정에 있어서 압저항과 알루미늄 회로 패턴 이후에 Si 이방성 식각을 통하여 수율이 개선되었다. 압저항의 위치와 공정 파라메터는 각각 ANSYS와 SUPREME 시뮬레이터를 이용하여 결정하였다. Boron-depth 프로파일 측정으로부터 p-형 Si 압저항의 두께를 측정한 결과 SUPREME 시뮬레이션으로부터 얻은 결과와 잘 부합하였다. 다이아프램을 위한 Si 이방성 식각 공정은 암모늄 첨가제 AP(Ammonium persulfate)를 TMAH(Tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액에 첨가함으로써 최적화 되었다.

압력센서용 다이아프램 제작을 위한 TMAH/AP 식각특성

윤의중,김좌연 한국반도체디스플레이기술학회 2003 한국반도체장비학회지 Vol.2 No.4

In this paper, Si anisotropic etching characteristics of tetramethylammonium hydroxide (TMAH)/ammonium persulfate (AP) solutions were investigated to realize the optimum structure of a diaphragm for the piezoresistive pressure sensor application. Due to its low toxicity and its high compatibility with the CMOS processing, TMAH was used as Si anisotropic etchants. The variations of Si etch rate on the etching temperature, TMAH concentration, and etching time were obtained. With increasing the etching temperature and decreasing TMAH concentrations, the Si etch rate is increased while a significant non-uniformity exists on the etched surface because of formation of hillocks on the <100> surface. With the addition of AP to TMAH solution, the Si etch rate is increased and an improvement in flatness on the etching front is observed. The Si etch rate is also maximized with increasing the number of addition of AP to TMAH solution per one hour. The Si square diaphragms of 20$\mu\textrm{m}$ thickness and 100-400 $\mu\textrm{m}$ one-side length were fabricated successfully by adding AP of (5/6)g to 800 ml TMAH solution every 10 minutes.

산소 어닐링이 마그네 트론 스퍼터링으로 증착된 undoped ZnO 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성에 미치는 영향에 대한 연구

윤의중(Eui-Jung Yun),박형식(Hyeong-Sik Park) 대한전자공학회 2009 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.46 No.7

본 연구에서는 어닐링조건이 ZnO 박막의 결정구조((002) 세기, FWHM, d-간격, grain 크기, (002) 피크 위치), 광학 (UV 피크, UV 피크 위치) 및 전기적 성질 (전자농도, 비저항, mobility)에 미치는 영향을 조사하였다. ZnO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링으로 ZnO 타겟을 사용하여 SiO₂/Si 기판 상에 증착하였다. 증착도중 기판에 열을 가하지 않았고 ZnO 박막은 500℃~650℃의 온도범위와 5분~20분의 시간범위에서 어닐링 되었다. 샘플의 표면 거칠기 및 구조는 각각 SEM과 XRD로 분석하였다. 광학 성질은 He-Cd 325 ㎚ 레이저를 사용하여 상온에서 측정된 photoluminescence (PL)로 평가 하였다. 어닐링 온도 및 시간 변화에 따라 다음과 같은 관계가 관찰되었다: (1) UV intensity, (002) intensity, grain size 사이에 비례관계가 성립하고, (2)UV intensity는 FWHM와 반비례하고, (3) UV intensity는 전자농도와 큰 상관관계가 없고, (4) d-spacing과 (002) peak position은 반비례 관계에 있고, (5) 3.20~3.24 eV 범위의 UV peak position은 ZnO 박막이 n-type 특성을 가진다는 것을 의미하며 이는 전기적인 특성의 결과와 일치하고, (6) 최고의 광학 및 구조적 특성을 갖기 위한 최적조건은 0.2의 산소분압(O₂/(O₂+Ar)), 240W의 PF 파워, 상온의 기판온도, 600℃온도를 20분 유지하는 어닐링 조건, 그리고 20 mTorr의 스퍼터링 압력 등을 들 수 있다. In this paper, the effects of annealing conditions on the structural ((002) intensity, FWHM, d-spacing, grain size, (002) peak position), optical (UV peak, UV peak position) and electrical properties (carrier concentrations, resistivity, mobility) of ZnO films were investigated. ZnO films were deposited onto SiO2/Si substrates by RF magnetron sputtering from a ZnO target. The substrate was not heated during deposition. ZnO films were annealed in temperature ranges of 500~650℃ in the O₂ flow for 5~20 min. The film average thicknesses were in the range of 291 nm. The surface morphologies and structures of the samples were characterized by SEM and XRD, respectively. The optical properties were evaluated by photoluminescence (PL) measurement at room temperature (RT) using a He-Cd 325 ㎚ laser. As the annealing temperature and time vary, the following relations were also observed: (1) proportional relationships among UV intensity, (002) intensity, and grain size exist, (2) UV intensity is inversely proportional to FWHM, (3) there is no special relationship between UV intensity and electron carrier concentrations, (4) d-spacing is inversely proportional to (002) peak position, (5) UV peak position in the range of 3.20~3.24 eV means that ZnO films have a n-type conductivity which was consistent with that obtained from the electrical property, (6) the optimal conditions for the best optical and structural characteristics were found to be oxygen fraction, (O₂/(O₂+Ar)) of 0.2, RF power of 240W, substrate temperature of RT, annealing condition of 600℃ for 20 min, and sputtering pressure of 20 mTorr.

DC-DC Converter용 자성박막 인덕터 설계에 관한 연구

윤의중,김좌연,박노경,김상기,김종대 한국전기전자재료학회 2001 전기전자재료학회논문지 Vol.14 No.1

In this study, the optimum structure of a magnetic thin film inductor was designed for application of DC-DC converters. The Ni$\sub$81/Fe$\sub$19/ (at%) alloy was selected as a high-frequency($\geq$MHz) magnetic thin film magnetron sputtering system. As-deposited NiFe thin films show similar magnetic properties compared to bulk NiFe alloys, indicating that they have a good film quality. The optimum design of dolenoid-type magnetic thin film inductors was performed utilizing a Maxwell computer simulator (Ansoftt HFSS V7.0 for PC) and parameters obtained from the magnetic properties of magnetic core materials selected. The high-frequency characteristics of the inductance(L) and quality factor(Q) obtained for the designed inductors through simulation agreed well with those obtained by theoretical calculations, confirming that the simulated result is realistic. The optimum structure of high-performance (Q$\geq$60, L = 1${\mu}$H, efficiency $\geq$90%), high-frequency ($\geq$5MHz), and solenoid-type magnetic thin film inductors was designed successfully.

E-波의 入射에 의한 接地 誘電體層을 가지는 抵抗띠 格子구조의 電磁波散亂에 關한 硏究

윤의중 京畿專門大學 2001 京畿專門大學 論文集 Vol.- No.29

In this paper, E-polarized scattering by a resistive strip grating with a grounded dielectric layer is analyzed by applying the PMM(Point Matching Method) as a numerical procedure. The scattered electromagnetic field is expanded in a series of Floquet mode functions. We apply the boundary conditions to obtain the unknown field coefficients and the resistive boundary condition is used for the relationship between the total tangential electric field and the electric current density on the strip. When the incident angle is normal incidence, the minimum value of the geometrically normalized reflected power according as relative permittivity is increased, it should be noted that the value of the strip width gets moved toward high value. Then most energy by a normal incident wave is scattered in direction of the other angles except normal incident angle.