Control Volume Formulation Method를 사용한 GaAs MESFET의 2차원 수치해석

손상희,박광민,박형무,김한구,김형래,박장우,곽계달,Son, Sang-Hee,Park, Kwang-Mean,Park, Hyung-Moo,Kim, Han-Gu,Kim, Hyeong-Rae,Park, Jang-Woo,Kwack, Kae-Dal 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

In this paper, two-dimensional numerical simulation of GaAs MESFFT with 0.7${\mu}m$ gate length is perfomed. Drift-diffusion model which consider that mobility is a function of local electric field, is used. As a discretization method, instead of FDM (finite difference method) and FEM (finite element method), the Control-Volume Formulation (CVF) is used and as a numerical scheme current hybrid scheme or upwind scheme is replaced by power-law scheme which is very approximate to exponential scheme. In the process of numerical analysis, Peclet number which represents the velocity ratio of drift and diffusion, is introduced. And using this concept a current equation which consider numerical scheme at the interface of control volume, is proposed. The I-V characteristics using the model and numerical method has a good agreement with that of previous paper by others. Therefore, it is confined that it may be useful as a simulator for GaAs MESFET. Besides I-V characteristics, the mechanism of both velocity saturation in drift-diffusion model is described from the view of velocity and electric field distribution at the bottom of the channel. In addition, the relationship between the mechanism and position of dipole and drain current, are described. 본 논문에서는 게이트의 길이가 0.7${\mu}m$인 n형 GaAs MESFET를 2차원적으로 수치 해석하였으며, 이동도를 국부 전계의 함수로 취하는 드리프트 -확산 모델을 사용하였다. 이산화 방법으로는 종래에 사용되던 FDM(finite difference method), FEM(finite element method)을 사용치 아낳고 Control-Volume Formulation을 사용하였으며, numerical scheme으로는 기존의 hybrid scheme이나 upwind scheme 대신에 exponential scheme과 거의 근사한 power-law scheme을 사용하였다. 이때 드리프트 속도와 확산 속도의 비율을 나타내는 Peclet number의 개념을 사용하였으며, 이 개념을 사용하여 control volume의 경계에서 numerical scheme을 고려한 전류식을 제안하였다. 앞에서 고려한 모델들과 수치해석 방법을 사용하여 시뮬레이션한 I-V 특성은 기존 노문의 결과와 일치하였다. 따라서 본 논문의 결과가 GaAs MESFET를 위한 유용한 2차원 시뮬레이터가 될 수 있음을 확인하였다. 또한 I-V 특성외에 채널 밑바닥에서이 속도 및 전계 분포를 통해 드리프트-확산 모델을 고려한 경우에 발생하는 속도 포화의 메카니즘을 제시했고, Dipole의 발생위치 및 발생 원인과 드레인 전류와의 관계 등에 대해서도 제시했다.

저전압동작에 적절한 SOI-like-bulk CMOS 구조에 관한 연구

손상희,진태,Son, Sang-Hee,Jin, Tae 한국전기전자재료학회 1998 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.6

SOI-like-bulk CMOS device is proposed, which having the advantages of SOI(Silicon On Insulator) and protects short channel effects efficiently with adding partial epitaxial process at standard CMOS process. SOI-like-bulk NMOS and PMOS with 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ gate length have designed and optimized through analyzing the characteristics of these devices and applying again to the design of processes. The threshold voltages of the designed NMOS and PMOS are 0.3[V], -0.35[V] respectively and those have shown the stable characteristics under 1.5[V] gate and drain voltages. The leakage current of typical bulk-CMOS increase with shortening the channel length, but the proposed structures on this a study reduce the leakage current and improve the subthreshold characteristics at the same time. In addition, subthreshold swing value, S is 70.91[mV/decade] in SOI-like-bulk NMOS and 63.37[mV/ decade] SOI-like-bulk PMOS. And the characteristics of SOI-like-bulk CMOS are better than those of standard bulk CMOS. To validate the circuit application, CMOS inverter circuit has designed and transient & DC transfer characteristics are analyzed with mixed mode simulation.

개인용 컴퓨터에서 사용 가능한 多目的 半導體 素子 시뮬레이터에 관한 硏究

孫尙熙(Sang-Hee Son),金弘培(Hong-Bae Kim),郭桂達(Kae-Dal Kwack) 대한전기학회 1992 전기학회논문지 Vol.41 No.10

통합학급 아동의 장애급우에 대한 사회적 거리감 특성

손상희 ( Sang Hee Son ) 한국특수아동학회 2005 특수아동교육연구 Vol.7 No.4

본 연구는 통합학급에서 경험하는 통합된 장애아동과의 상호작용에 따라 장애아동에 대한 편견이나 고정관념이 어떤 차이가 있는지를 살펴보았으며, 학급별, 성별, 이전 통합경험, 물리적 거리등에 따라 구체적인 차이가 있는지 구명하였다. 본 연구의 결과를 통해 밝혀진 결론은 다음과 같다. 첫째, 다른 학급과 구별되는 집단적 성격을 지닌 통합학급에서 생활하는 통합학급 아동들은 통합되어 있는 장애아동과 동일한 성별을 가진 아동일수록 전체 사회적 거리감과 교우활동에서의 사회적 거리감이 좁게 느끼고 있었다. 둘째, 이전의 통합학급 경험보다는 현재의 통합학급에서 이루어지는 직접적인 경험은 사회적 거리감과 교우활동에서의 사회적 거리감을 좁혀주는 요인으로 작용하며, 통합학급의 특성에 따른 차이가 현저하다. 셋째, 통합학급에서 통합된 장애아동과의 물리적 거리가 가까울수록 학교생활에 대한 사회적 거리감은 좁게 나타난다. 소속된 통합학급에서의 직접적이고 구체적인 장애아동과의 경험은 편견이나 고정관념을 긍정적으로 변화시켜준다. The purpose of this study was to examine whether or not the inter- action of children with their disabled classmates in inclusive class made any differences to their prejudice or stereotype against disabled children and whether the former`s social distance from the latter was different according to gender, previous inclusive experience and physical distance. The findings of the study were as follows: First, children who were enrolled in inclusive class, which was more collective than regular class, felt there was less overall social distance between them and disabled classmates when their gender was the same as that of the latter. And they also perceived that there was less social distance between them and disabled classmates in the field of personal friendship activities when they were of the same gender. Second, compared to prior inclusive class experience, their current firsthand experience in inclusive class had a better effect on narrowing their social distance from disabled classmates and on reducing their social distance in the area of personal friendship activities. The characteristics of inclusive class made a great difference to that. Third, the children whose physical distance from disabled classmates was closer felt less social distance in the field of school activities. Their firsthand and concrete experience to contact disabled classmates brought a favorable change to their prejudice or stereotype.

유아교육에서의 낙관성 방향

손상희(Sang Hee SON),최성열(Sung Yeol CHOI) 한국상담심리교육복지학회 2015 상담심리교육복지 Vol.2 No.1

본 연구의 목적은 유아기 낙관성의 필요성과 유아교육에서의 낙관성 방향을 제시하고자 하였다. 유아기 낙관성에 영향을 미치는 개인적 요인에는 유전, 연령이 있었으며, 환경적 요인에는 부모의 양육태도, 낙관적 성향, 언어통제 유형 및 트라우마로 나타났다. 유아기 낙관성은 연령이 낮을수록, 부모가 수용이고 온정적일 수록 긍정적인 영향을 나타냈다. 또한, 트라우마와 같이 충격적인 사건이 낙관성에 부정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 유아 낙관성 관련 프로그램 개발 및 부모교육에 대한 필요성을 제기해 본다. The aim of this study is to suggest the necessity of optimism in early childhood, and the direction of optimism in early childhood education. The study results showed that there existed heredity and age as individual factors which influenced the optimism in early childhood while environmental factors included parents child-caring attitude, optimistic inclination, language control type and trauma, etc., and it was found that the lower the age, and the more receptive and compassionate the parents, the optimism in early childhood showed a positive influence. The more positive influences in early childhood were shown. In addition, a shocking event like trauma was found to have a negative influence on infants optimism. Hereupon, this study raises the necessity of program development related to infants optimism, and parent s education.

Static Induced Transistor(SIT) 소자 설계에 관한 연구

孫尙熙(Sang-Hee Son),金弘培(Hong-Bae Kim),朴燦石(Chan-Seok Park),郭桂達(Kae-Dal Kwack) 대한전기학회 1993 전기학회논문지 Vol.42 No.11

BiCMOS 공정 설계와 이를 바탕으로 한 소자 특성 및 모델파라메터 추출에 관한 연구

孫尙熙(Sang-Hee Son),李種原(Jong-Won Lee) 대한전기학회 1997 전기학회논문지 Vol.46 No.5

광고디자인에 있어서의 약호화에 관한 연구

손상희(Son Sang-Hee) 한국디자인학회 2002 디자인학연구 Vol.- No.46

청소년 금융임파워먼트 증진을 위한 e-멘토링 프로그램 효과 연구

손상희 ( Sang-hee Sohn ),손성보 ( Seongbo Son ),서원영 ( Wonyeong Seo ) 대한가정학회 2022 Human Ecology Research(HER) Vol.60 No.4

This study aimed to develop an e-mentoring youth financial education program and verify its effectiveness for promoting financial empowerment and establishing financial capabilities among independent consumers. A four-session, eight-hour “Youth Financial Empowerment Mentoring Program” was developed. This program dealt with financial literacy and financial psychology factors in an integrated fashion. We used the nonequivalent control group pretest-posttest design to evaluate the program’s effectiveness. Specifically, by using Zoom, a virtual conference platform, four mentors of college students were trained for four sessions over two weeks. Meanwhile, four groups were formed with four mentors and 18 high school mentees to implement a four-week e-mentoring program. As a result of the analysis of covariance, significant differences were found between the two groups in all financial psychology factors and financial literacy variables. In addition, the score of the experimental group was higher than that of the control group. As a result of qualitative evaluation through FGI for mentees and mentors, mentees experienced positive changes in financial behavior, beliefs, attitudes, and personal relationships, as well as increased financial knowledge. Meanwhile, mentors experienced positive changes in their introspection into financial behavior and consumption. Considering these results, we can conclude that this program effectively induces participants to learn and reflect on their initiative, which is in line with the original goal of “improving financial empowerment”.

대형 TFT-LCD TV에 적용 가능한 Source Driver IC 감마보정전압 구동용 앰프설계에 관한 연구

손상희(Son, Sang-Hee) 한국전기전자학회 2010 전기전자학회논문지 Vol.14 No.2

대형 TFT LCD 판넬의 감마보정전압을 구동하기 위한 레일-투-레일 고전압 CMOS 완충 증폭기를 제안하였다. 이 회로는 단일 전압하에서 동작하고 18V 전압원에서 0.5mA 의 전류소비특성을 나타내며 8비트/10비트 고해상도 TFT LCD 판넬의 감마보정 전압 구동을 위하여 설계하였다. 이 회로는 높은 slew rate, 0.5mA의 정적 전류특성을 나타내며 1k의 저항성/용량성 부하구동 능력을 가지고 있다. 또한 넓은 출력 공급범위를 지니며, 5mA의 출력 정전류를 내보낼 경우 50mV미만의 옵셋전압 특성을 가진다. 또한, 용량성 부하 구동시 입력기준 옵셋전압이 2.5mV 미만인 좋은 특성을 나타낸다. 본 논문에서는 넓은 스윙입력범위와 출력 동작 범위을 얻기 위해 전류미러형 n-채널 차동증폭기, p-채널 차동증폭기, AB-급 푸쉬-풀 출력단, 히스테리시스 비교기를 사용한 입력레벨 검출기 등을 사용하였다. 제안된 회로는 고전압 디스플레이 구동 IC에 사용하기 위해 0.18um 18V 고전압 CMOS 공정기술에 의해 제작되었다. 제안된 회로는 8~18V의 공급 전압 범위에서 동작한다. A CMOS rail-to-rail high voltage buffer amplifier is proposed to drive the gamma correction reference voltage of large TFT LCD panels. It is operating by a single supply and only shows current consumption of 0.5mA at 18V power supply voltage. The circuit is designed to drive the gamma correction voltage of 8-bit or 10-bit high resolution TFT LCD panels. The buffer has high slew rate, 0.5mA static current and 1k resistive and capacitive load driving capability. Also, it offers wide supply range, offset voltages below 50mV at 5mA constant output current, and below 2.5mV input referred offset voltage. To achieve wide-swing input and output dynamic range, current mirrored n-channel differential amplifier, p-channel differential amplifier, a class-AB push-pull output stage and a input level detector using hysteresis comparator are applied. The proposed circuit is realized in a high voltage 0.18um 18V CMOS process technology for display driver IC. The circuit operates at supply voltages from 8V to 18V.