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(InAs)n(AlAs)n 단주기 초결자의 MBE 성장과 X선회절
우덕하(Deok-Ha Woo),우종천(Jong-Chun Woo) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.3
In_(0.5)Al_(0.5)As와 같은 조성을 갖는 합금인 n=1~4인 (InAs)_n(AlAs)_n 형태의 완벽한 층상구조의 단주기 초격자를 MBE 방법으로 성장하였다. 저온 PL 측정을 통하여 광학적 특성을 조사하였으며, Raman 산란실험을 통하여 구조적 특성을 조사하였다. X선회절 실험을 통하여 홀수 번호의 회절을 관측할 수 있었는데 이것은 초격자에 의한 새로운 주기의 형성을 직접적으로 보여 주는 것이다. Perfectly layered crystals of (InAs)_n(AlAs)_n short period superlattice with n=1~4 which have the same alloy composition as In_(0.5)Al_(0.5)As random alloy have been grown by molecular beam epitaxy. Optical properties are investigated by low temperature photoluminescence and structural properties are studied by Raman scattering spectroscopy. Distinct odd numbered satellite peaks are observed in X-ray diffraction measurement, which is a direct verification of new superperioddicity introduced in superlattice formation.
1.561 ㎛에서 동작하는 MQW 도파로형 Depleted Optical Thyristor의 레이징 특성 분석
최운경,우덕하,김선호,김두근,최영완,이석 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.01
본 연구에서는 광통신 시스템에 응용할 수 있는 InGaAs/InGaAsP 다중 양자 우물의 장파장용 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor)를 제안하고, 도파로 형태로 소자를 제작하여, 최초로 레이징 특성을 측정 분석하였다. 먼저, 완전 공핍 광 싸이리스터에 있어서 스위칭 전압과 전류는 각각 4.63 V 와 10 ㎂로 측정되었고, 홀딩 전압(holding voltage)과 전류는 각각 0.59 V, 20 ㎂에서 그 특성이 나타났다. 또한, 레이징 되는 문턱 전류(threshold current)는 25 ℃에서 111 ㎃, 10 ℃에서 72.5 ㎃로 각각 나타났으며, 문턱 전류의 약 1.41배에 해당하는 동작 전류에서 측정된 레이징 중심 파장은 1.561 ㎛로 나타남을 확인하였다. We present the first demonstration of waveguide-type depleted optical thyristor laser diode with InGaAs/InGaAsP multiple quantum well structure. The measured switching voltage and current are 4.63 V and 10 ㎂ respectively. The holding voltage and current are respectively 0.59 V, 20 ㎂. The lasing threshold current at the temperature of 25 ℃ and 10 ℃ are 111 ㎃A and 72.5 ㎃, respectively. The lasing wavelength is centered at 1.561 ㎛ at a bias current equal to 1.41 times threshold..
이동선,우덕하,김대욱,우종천 한국결정성장학회 1991 韓國結晶成長學會誌 Vol.1 No.1
분자선속 방법으로 실리콘 기판위에 GaAs의 에피층을 생장하고, 이를 분석한 결과를 보고한다. 두 종류의 실리콘 기판에 생장 조건을 다르게 한 시료를 준비하고, SEM, TEM, X-ray회절, PL, Hall 등의 방법으로 분석하였다. 결정면에서 약간 기울여 절삭한 기판에 이단계 성장법으로 성장한 에피층이 보다 좋은 결정 구조를 갖으며, multi-quantum well buffer layer를 삽입하는 것이 stress 해소 등에 도움이 된다. 또 GaAs 에피층은 저절로 실리콘으로 doping이 되는데, exciton bound 에너지 준위를 통한 radiative recombination은 homoepitaxial GaAs 에피층보다 잘 일어나지 않는 것으로 관측되었다. Molecular beam epitaxial growth of GaAs on Si substrate and the results on its analysis are reported. Epitaxy was performed on two different types of the substrate under various grwth conditions, and was analyzed by scanning and transmission electron microscopes, X-ray diffractometer, photoluminescence and Hall measurements. GaAs epitaxial layer has better crystalline quality when it was grown on a tilt-cut substrate. The stress seems to be releaxed more easily when multi-quantum well was introduced in the buffer layer. The epilayer was doped unintentionally with Si during growth due to the diffusion of the substrate. Also observed is that the quantum efficiency of excitonic radiative recombination of the heteroepitaxy is not as good as that of the homoepitaxy in the same doping level.