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우수창(Suchang Woo),변상선(Sangseon Byun),유혁(Hyuck Yoo) 한국정보과학회 2006 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.33 No.2D
WPAN(Wireless Personal Area Network)은 NEMO(Network Mobility) 환경에서 모바일 네트워크의 좋은 예가 될 수 있다. 특히, Piconet은 WPAN의 전형적인 형태이다. 이러한 Piconet의 모바일 디바이스는 배터리에 의해 전력을 공급받기 때문에 제한적인 에너지를 효율적으로 이용하는 것이 중요한 문제가 될 수 있다. 우리는 이 논문을 통해 Piconet이 모바일 네트워크를 형성할 때 에너지를 효율적으로 사용하기 위한 방법을 제시한다. 이를 위해 우리는 에너지 모델을 제시하고, Piconet 단위의 모바일 네트워크에서 Scatternet 형성을 통해 새로운 경로를 생성하여 전체 네트워크의 에너지 소비를 줄일 수 있음을 보인다.
Fluoride Self-Assembled Monolayer based In₂O₃ Thin-Film Transistors
Xiao-lin Wang(왕소림),Fei Shan(선비),Han-Lin Zhao(조한림),Suchang Yoo(유수창),Tukhtaev Anvar,Isamaddinov Shukhra,Erdiev Jonibek Elmur,Yonghwan Kim(김용환),Jinhee Lee(이진희),Jaeyun Lee(이재윤),Sung-jin Kim(김성진) 대한전기학회 2022 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2022 No.7
Xiao-Lin Wang,Shan Fei,Zhao Han-Lin,Lee Jae-Yun,Yoo Suchang,Ryu Heung Gyoon,Choi Seungkeun,Anvar Tukhtaev,Kim Sung-Jin 대한금속·재료학회 2022 ELECTRONIC MATERIALS LETTERS Vol.18 No.5
A high-performance indium oxide (In 2 O 3 )-based thin-film transistor (TFT) was prepared with aluminum oxide/fluorinated self-assembled monolayer (Al 2 O 3 /F-SAM) double-gate dielectric layer. The Al 2 O 3 /F-SAM double gate dielectric layer improved the performance of the In 2 O 3 -based TFT by reducing the device leakage current. In addition, devices with a double-gate dielectric layer show improved stability under negative bias stress testing compared to devices with a single gate dielectric layer (Al 2 O 3 ), shifting a threshold voltage by only 0.4 V. These results suggest that the Al 2 O 3 /F-SAM doublelayer gate dielectric layer can enhance the performance of In 2 O 3 -based TFTs. Furthermore, it can be used to improve the performance of other metal oxide-based devices by minimizing the leakage current at low operating voltages at low cost.