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- 저자 : Ku Janam (검색결과 3 건)
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레이저 다이오드를 이용한 정현파 위상변조 간섭에 의한 실시간 극미세 진동 측정에 관한 연구
구자남(Ku Janam),염정덕(Youm Jeongdeog),지철근(Chee Cholkon) 한국조명·전기설비학회 1990 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 Vol.1990 No.-
A new signal processing system for real time displacement measurement in sinusoidal phase modulating interferometry is described. Although sinusoidal phase modulating interferometry is effective in measuring with high accuracy the displacement of an object, conventional signal processing takes a long time. In this method, detection of the object"s displacement is easily achieved by sampling the interference signal at those time that satisfy certain conditions and by processing the sampled signals with electric circuits in real time. The delay time of this signal processing system is 〈 45㎲. Specially in this paper we describe all electronic circuit and optical system design.
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Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
이용택,최문성,구자남,이성현,Lee Yongtaek,Choi Munsung,Ku Janam,Lee Seonghearn 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.12
The study on the RF substrate circuit is necessary to model RF output characteristics of deep submicron MOSFETs below 0.2$\mum$ gate length that have bun commercialized by the recent development of Si submicron process. In this paper, direct extraction methods are developed to apply for a simple substrate resistance model as well as another substrate model with connecting resistance and capacitance in parallel. Using these extraction methods, better agreement with measured Y22-parameter up to 30 GHz is achieved for 0.15$\mum$ CMOS device by using the parallel RC substrate model rather than the simple resistance one, demonstrating the RF accuracy of the parallel model and extraction technique. Using this model, bias and gate length dependent curves of substrate parameters in the RF region are obtained by increasing drain voltage of 0 to 1.2V at deep submicron devices with various gate lengths of 0.11 to 0.5㎛ These new extraction data will greatly contribute to developing a scalable RF nonlinear substrate model. 최근 실리콘 미세공정의 발달로 상용화된 0.2$\mum$ 게이트길이 이하의 deep submicron MOSFET 출력특성을 정확히 모델링하기 위해서는 RF 기판 회로 연구가 필수적이다. 먼저 본 논문에서는 기판 캐패시던스와 기판 저항이 병렬로 연결된 모델과 기판 저항만을 사용한 단순 모델들에 적합한 직접 추출 방법을 각각 개발하였다. 이 추출방법들을 0.15$\mum$ CMOS 소자에 적용한 결과 단순 모델보다 RC 병렬 기판모델이 측정된 $Y_{22}$-parameter에 30GHz까지 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 RC 병렬 기판모델 및 직접추출방법의 RF 정확도를 증명한다. 이러한 RC 병렬 기판모델을 사용하여 게이트 길이를 0.11에서 0.5$\mum$까지 변화시키고 드레인 전압을 0에서 1.2V까지 증가시키면서 기판 모델 파라미터들의 bias 종속 특성과 게이트 길이 종속 특성을 새롭게 추출하였다. 이러한 새로운 추출 결과는 scalable한 RF 비선형 기판 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.
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RF MOS 트랜지스터를 위한 게이트 임피던스 모델 파라미터의 바이어스 종속 데이터 추출
최문성,이용택,구자남,이성현,Choi Munsung,Lee Yongtaek,Ku Janam,Lee Seonghearn 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.5
본 연구에서는 MOSFET의 RF 성능에 영향을 미치는 게이트 분포효과를 고려하여 RC 병렬 게이트 모델을 사용하였으며, 측정된 S-파라미터로부터 모델 파라미터들을 직접 추출하기 위해 $Y_{11}$-파라미터를 기초로 한 추출 방정식들이 사용되었다. 이와 같이 추출된 RC 병렬 게이트 모델은 10GHz 이상의 고주파 영역에서 기존 Rg 모델보다 측정된 S-파라미터와 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 게이트 모델 및 추출방법의 정확도를 증명한다. 이러한 방법을 사용하여 RC 병렬 게이트 모델 파라미터들의 게이트 전압 종속 곡선을 새롭게 추출하였으며, 이러한 추출 데이터는 RF 비선형 게이트 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다. A RC parallel gate model is used to consider gate distributed effect that affects RF MOSFET performance, and extraction formula based on $Y_{11}$-parameters are used to extract model parameters directly from measured S-parameters. Better agreement between measured and modeled S-parameters in the frequency range beyond 10 GHz is achieved by using the RC parallel model than conventional Rg one, demonstrating the accuracy of the RC model and extraction technique. Using these extraction methods, gate voltage dependent curves of RC gate model parameters are newly extracted, and these parameter data will greatly contribute to developing a RF nonlinear gate model.
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