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- 저자 : 이용택 (검색결과 737 건)
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Humic Acid 분리막의 제조와 이온교환 특성에 관한 연구
이용택 한국막학회 1997 멤브레인 Vol.7 No.3
토양 유기물에서 생물학적 난분해성인 부식물질을 알카리에서 추출하고 산성영역에서 침전되는 성분인 부식산을 정제, 추출하였다. 부식산의 주성분인 카르복실기가 이온교환 능력을 가지고 있는 것을 이용하여 PVA와의 불균질한 이온교환막을 제조하여 생리활성 이온인 K+, Na+의 이동 및 이동속도를 검토하여 보았다. 그 결과 수소이온 농도가 높을수록 이동속도는 빠르게 나타나고, 특히 10-1,100영역에서 급격한 변화를 보였다. 또한 K+, Na+의 농도가 증가함에 따라 그 선택성이 나타났으며, 특히 수소이온농도 100 일때는K+이 2배정도 빠르게 이동되고 있다. 따라서 이러한 생리활성 이온의 선택성 및 이동속도의 향상으로 부식산이 이온교환막의 새로운 재료로서의 그 가능성을 나타내었다. Humic acid has been extracted and purified from biologically nondegradable humic substances. Using the ion exchange capability of carboxylic acids which are the main component of the humic acids, a membrane was prepared with poly(viny1 alcohol). Its transport behavior of biologically active ions, K+and Na+, were investigated. The ion transport velocity increased with hydrogen ion concentration, especially, in the range of 10-1~100. The selectivity increased with increasing the concentrations of K+ and Na+, In particular, the transport velocity of K+ increased twice compared to that of Na+ at the 100 hydrogen ion concentration. In this regards, humic acid may be used as a new material for ion exchange membranes.
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졸-겔법에 의한 Mullite 코팅막의 제조 및 특성에 관한 연구
이용택,최영우,양중식 한국세라믹학회 1997 한국세라믹학회지 Vol.34 No.6
Optimal Mullite sol was synthesized by sol-gel process using Aluminium sec-butoxide(ASB), Tetraethoxysilane(TEOS) and then, Mullite films were dip-coated with various holding time in sol bath and heat-treated at 130$0^{\circ}C$ above for crystallization. The thickness of coated film increased linearly with holding time in sol bath and average pore size was controllable within 20~30$\AA$.
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Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
이용택,최문성,구자남,이성현,Lee Yongtaek,Choi Munsung,Ku Janam,Lee Seonghearn 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.12
The study on the RF substrate circuit is necessary to model RF output characteristics of deep submicron MOSFETs below 0.2$\mum$ gate length that have bun commercialized by the recent development of Si submicron process. In this paper, direct extraction methods are developed to apply for a simple substrate resistance model as well as another substrate model with connecting resistance and capacitance in parallel. Using these extraction methods, better agreement with measured Y22-parameter up to 30 GHz is achieved for 0.15$\mum$ CMOS device by using the parallel RC substrate model rather than the simple resistance one, demonstrating the RF accuracy of the parallel model and extraction technique. Using this model, bias and gate length dependent curves of substrate parameters in the RF region are obtained by increasing drain voltage of 0 to 1.2V at deep submicron devices with various gate lengths of 0.11 to 0.5㎛ These new extraction data will greatly contribute to developing a scalable RF nonlinear substrate model. 최근 실리콘 미세공정의 발달로 상용화된 0.2$\mum$ 게이트길이 이하의 deep submicron MOSFET 출력특성을 정확히 모델링하기 위해서는 RF 기판 회로 연구가 필수적이다. 먼저 본 논문에서는 기판 캐패시던스와 기판 저항이 병렬로 연결된 모델과 기판 저항만을 사용한 단순 모델들에 적합한 직접 추출 방법을 각각 개발하였다. 이 추출방법들을 0.15$\mum$ CMOS 소자에 적용한 결과 단순 모델보다 RC 병렬 기판모델이 측정된 $Y_{22}$-parameter에 30GHz까지 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 RC 병렬 기판모델 및 직접추출방법의 RF 정확도를 증명한다. 이러한 RC 병렬 기판모델을 사용하여 게이트 길이를 0.11에서 0.5$\mum$까지 변화시키고 드레인 전압을 0에서 1.2V까지 증가시키면서 기판 모델 파라미터들의 bias 종속 특성과 게이트 길이 종속 특성을 새롭게 추출하였다. 이러한 새로운 추출 결과는 scalable한 RF 비선형 기판 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.
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