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Sputtering 기체 총압력과 분압비가 YBa_2Cu_3O_7-y 박막 성장에 미치는 영향
한재원,조광행,최무용 성균관대학교 기초과학연구소 1994 論文集 Vol.45 No.2
Single-target off-axis DC-magnetron sputtering 방법으로 YBa_2Cu_3O_(7-y) 박막을 c축으로 in-situ 성장시킬 때 sputtering 기체 총압력과 분압비가 박막 성장에 미치는 영향을 연구하였다. 그 결과 sputtering 기체 총압력 300 mTorr 부근, Ar과 O_2 기체의 분압비 5:1 부근에서 임계온도가 높고 치밀한 구조를 갖는 양질의 박막이 제조되는 것을 관찰하였다. 이 조건에서 제조된 박막은 T_c-onset 90 K, T_c-zero 88 K, 100 K와 300 K의 저항비 2.55, c축 격자상수 11.71 Å의 특성을 갖는다. We have studied effects of the total pressure and the partial-pressure ratio of the sputtering gas on YBa_2Cu_3O_(7-y) thin-film fabrication along the c-axis by the single-target off-axis DC-magnetron sputtering method. We found that the Yba_2Cu_3O_(7-y) film with the highest superconducting-transition temperature can be synthesize at 300 mTorr of the total sputtering-gas pressure and ∼5:1 of the partial-pressure ratio of Ar and O_2 gases. The thin film prepared in the optimum condition has T_c-oneset=90 K, T_c-zero=88 K, R(300 K)/R(100 K)=2.55, and the c-axis lattice constant=11.71 Å.