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- 저자 : 한승훈(Seonghoon Han) (검색결과 2 건)
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광간섭 단층 촬영 장치와 광음향 현미경의 결합을 통한 동시 이미지 획득 연구
김세희,이창호,한승훈,강현욱,오정환,김지현,김철홍,Kim, Sehui,Lee, Changho,Han, Seonghoon,Kang, Hyun Wook,Oh, Junghwan,Kim, Jeehyun,Kim, Chulhong 대한의용생체공학회 2013 의공학회지 Vol.34 No.2
In this study, we developed an integrated optical coherence tomography - photoacoustic microscopy (OCT-PAM) system to simultaneously provide optical absorption and scattering information. Two different laser sources, such as a pulsed laser for PAM and a superluminescent diode for OCT, were employed to implement the integrated OCT-PAM system. The performance of the OCT-PAM system was measured by imaging carbon fibers. We then imaged black and white hairs to demonstrate the simultaneous OCT-PAM imaging capabilities. As a result, OCT can produce 3-D images of both black and white hairs, whereas PAM is only able to image the black hair due to strong optical absorption of black hair.
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손영준(Youngjun Son),송세환(Sehwan Song),이지성(Jisung Lee),박홍준(Hongjun Park),한승훈(Seonghoon Han),김지웅(Jiwoong Kim),배종성(Jong-Seong Bae),김송길(Songkil Kim),박성균(Sungkyun Park) 한국물리학회 2022 새물리 Vol.72 No.10
정공을 운반자로 사용하는 p-형 산화물은 깊은 O 2p 준위로 인해 상대적으로 정공 이동도가 낮아 n-형 산화물보다 잠재적인 응용 가능성이 낮다. 최근 밀도범함수이론 연구에 따르면 Bi가 첨가된 In₂O₃는 가전자대 근처에서 새로운 in-gap 상태를 형성하여 받개의 형성 에너지를 낮출 수가 있다고 보고되었다. 또한, 이전 실험에서 Bi가 첨가된 In₂O₃ 세라믹에서 광학적 특성을 통해 in-gap 상태가 형성된 것을 확인하였다. 본 연구에서는 결정성과 in-gap 상태의 상관관계를 이해하기 위하여, 다양한 증착 온도에서 Bi가 첨가된 In₂O₃ 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 제작하였다. 그 결과, 증착 온도가 증가함에 따라 결정립 크기가 증가하였다. 이와 더불어 광학적 특성 측정을 통해 벌크 In₂O₃의 밴드갭(~2.7eV)과 Bi 첨가에 의해 새롭게 형성된 in-gap 준위(~1.9eV) 에너지가 형성되는 것을 확인하였고, 박막의 증착 온도가 증가함에 따라 두 밴드갭이 줄어드는 것을 확인하였다. 이러한 변화는 결정립 크기 증가와 관련이 있는 것으로 생각된다. P-type oxides using holes as carriers exhibit a relatively low hole mobility due to the deep O 2p level; thus, their potential applications are fewer than those of n-type oxides. Recently, a DFT study has reported that Bi-doped In₂O₃ forms a new in-gap state near the valence band, thereby lowering the formation energy of the acceptor and enabling the formation of a new p-type oxide through additional doping. In addition, a previous experiment on the Bi-doped In₂O₃ ceramics revealed the in-gap state. In this study, Bi-doped In₂O₃ films were grown under various conditions to examine the possibility of optical bandgap modulation. Consequently, from a structural viewpoint, the crystalline size grew as the deposition temperature increased; spectroscopically, two optical absorptions were confirmed. While the larger optical bandgap corresponded to bulk In₂O₃, the smaller one was associated with a newly formed in-gap state owing to Bi doping. Furthermore, the bandgap energy decreased as the deposition temperature increased. Therefore, the reduced optical bandgap with an increased deposition temperature was related to the reduced quantum size effect.
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