http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 손영준(Youngjun Son) (검색결과 3 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
-
손영준(Youngjun Son),송세환(Sehwan Song),이지성(Jisung Lee),박홍준(Hongjun Park),한승훈(Seonghoon Han),김지웅(Jiwoong Kim),배종성(Jong-Seong Bae),김송길(Songkil Kim),박성균(Sungkyun Park) 한국물리학회 2022 새물리 Vol.72 No.10
정공을 운반자로 사용하는 p-형 산화물은 깊은 O 2p 준위로 인해 상대적으로 정공 이동도가 낮아 n-형 산화물보다 잠재적인 응용 가능성이 낮다. 최근 밀도범함수이론 연구에 따르면 Bi가 첨가된 In₂O₃는 가전자대 근처에서 새로운 in-gap 상태를 형성하여 받개의 형성 에너지를 낮출 수가 있다고 보고되었다. 또한, 이전 실험에서 Bi가 첨가된 In₂O₃ 세라믹에서 광학적 특성을 통해 in-gap 상태가 형성된 것을 확인하였다. 본 연구에서는 결정성과 in-gap 상태의 상관관계를 이해하기 위하여, 다양한 증착 온도에서 Bi가 첨가된 In₂O₃ 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 제작하였다. 그 결과, 증착 온도가 증가함에 따라 결정립 크기가 증가하였다. 이와 더불어 광학적 특성 측정을 통해 벌크 In₂O₃의 밴드갭(~2.7eV)과 Bi 첨가에 의해 새롭게 형성된 in-gap 준위(~1.9eV) 에너지가 형성되는 것을 확인하였고, 박막의 증착 온도가 증가함에 따라 두 밴드갭이 줄어드는 것을 확인하였다. 이러한 변화는 결정립 크기 증가와 관련이 있는 것으로 생각된다. P-type oxides using holes as carriers exhibit a relatively low hole mobility due to the deep O 2p level; thus, their potential applications are fewer than those of n-type oxides. Recently, a DFT study has reported that Bi-doped In₂O₃ forms a new in-gap state near the valence band, thereby lowering the formation energy of the acceptor and enabling the formation of a new p-type oxide through additional doping. In addition, a previous experiment on the Bi-doped In₂O₃ ceramics revealed the in-gap state. In this study, Bi-doped In₂O₃ films were grown under various conditions to examine the possibility of optical bandgap modulation. Consequently, from a structural viewpoint, the crystalline size grew as the deposition temperature increased; spectroscopically, two optical absorptions were confirmed. While the larger optical bandgap corresponded to bulk In₂O₃, the smaller one was associated with a newly formed in-gap state owing to Bi doping. Furthermore, the bandgap energy decreased as the deposition temperature increased. Therefore, the reduced optical bandgap with an increased deposition temperature was related to the reduced quantum size effect.
-
계층적 군집화를 이용한 안드로이드 위치정보에 대한 디지털 포렌식
손영준(Youngjun Son),정목동(Mokdong Chung) 대한전자공학회 2014 전자공학회논문지 Vol.51 No.6
최근 스마트폰이 널리 보급됨에 따라 이용자의 다양한 정보들이 스마트폰에 저장되고 있다. 그 중 위치정보는 특정 시간의 이용자의 위치나 이용자의 관심지역, 경로 등을 나타낼 수 있으므로 범죄수사 시 유용한 자료로 활용될 수 있다. 그러나 위치정보에 대한 기존의 포렌식 연구는 단순히 사용흔적이나 위치정보에 대해 확인하는데 그치고 있다. 따라서 본 논문은 안드로이드 스마트폰에 저장되는 위치정보를 로그, 이미지, 각종 애플리케이션 등 다각적으로 접근하여 분석하고, 계층적 군집화를 이용한 통합적인 위치정보 분석모델을 제안한다. 본 논문에서 제안한 모델은 위치정보 분석의 효율성을 높이고 사건에 대한 정보를 제공함으로써 범죄수사과정에 도움이 될 것으로 기대된다. Recently, as smartphones are widespread, a variety of user’s information is created and managed in smartphones. Especially the location information can show the user’s position at a specific time and the user’s area of interest, which could be very useful during criminal investigation. Although the location information plays an important role in solving the crimes such as serial murder, rape and arson cases, there is a lack of research on location information for digital forensics. In this paper, we analyze the location information from logs, images, and applications on android, and we suggest the integrated model for analyzing location information. The proposed model may be useful in criminal investigation by improving the efficiency of data analysis and providing information about a criminal case.
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
