이조여류시조론

전경남 서울대학교 국어교육과 1972 先淸語文 Vol.3 No.1

결정체 실리콘의 고유파장 센싱 능력

전경남 광주대학교 1996 産業技術硏究 Vol.7 No.-

재료를 투과하는 깊이가 빛의 파장에 따라 다르므로 센싱능력도 이에 따라 달라진다. 이 현상을 이용하여 실리콘으로 제작된 소자가 스펙트로미터와 같은 다중파장의 센싱에 응용될 수 있을지를 고찰해 보았다. 다중파장의 센싱에서의 문제점은 소자의 기하적인 형태와 설계에서만 유래되는 것이 아니고 실리콘 재료의 성질도 깊게 관여함을 이론적으로 밝혔다. 이상적인 소자의 방정식을 이용하여, 부적합 조건에서도 dc 광전류 데이터로부터 빛의 스펙트럼 정보를 얻어내기 위해서 해를 얻고자 하는 일련의 선형방정식이 심각한 부적합 조건속에 있음을 보였다. dc 대신 변조된 광전류 측정에서는 경계조건이 줄어들므로 보다 정확한 측정이 가능하여 파장의 분해능도 높아짐을 보여준다. The sensing capability is attributable to the wavelength dependence on the depth to which radiation penetrates the material. silicon devices can utilize With this phenomenon can utilze silicon devices in sensing multiple wavelengths for applications such as spectrometer. It is theoretically demonstrated that the problems in sensing multiple wavelengths may not be only due to limitations in the devices geometry and design, but also due to the fundamental material properties of silicon themselves. Using ideal device equations, it is shown that the set of linear equations that needs to solved to extract the spectral information of light from dc photocurrent data is severely ill-conditioned. It is also shown the modulated, instead of dc, photocurrent measurements may lead to smaller condition numbers, and therefore can be used for detection with better accuracy and wavelength resolution.

가스센서 신호에 대한 2단계 흡착과정 모델

전경남 광주대학교 1998 産業技術硏究 Vol.11 No.-

가스 센서를 이용한 가스농도 측정은 크게 두 단계의 과정으로 설명할 수 있다. 첫 번째 단계는 센서 표면에서 가스의 흡착과정이다. 두 번째 단계는 흡착된 가스분자에 의한 측정할 수 있는 센서 특성의 변화이다. 가스의 흡착은 가스 주변공간과 두 가지 단계 사이에서 가스분자가 가역적으로 흡착 및 탈착이 이루어지는 평형상태 프로세스로 설명할 수 있다. 이 모델의 주요 파라미터로는 제2 준위에서의 최대 빈자리 수, 초기에 존재하는 활동적인 특이점의 수이다. 특이점에 의해 흡착된 분자는 새로운 특이점으로 활동하거나 또는 기존의 특이점을 무력화시킬 수 있다. 측정값의 형성은 두 가지 상태에서 흡착된 분자의 합을 계산하는 것으로 설명할 수 있다. The measurement of gas concentrations with gas sensors can be described mainly by a two step process. The first step is the adsorption of gas at the sensor surface. The second step is the change of the measurable sensor quantity referring to the adsorbed gas molecules. The adsorption of gas can be described as an equilibrium process between the gas space and two states, in which the gas is reversibly adsorbed or desorbed. The main model parameters are the maximum number of places in the second state, the number of primarily existing active centers for the adsorption of the molecules are working as new centers or are covering existing centers, making them uneffective. The formation of the measured value can described as the calculation of the weighted sum of the adsorbed molecules in the two states.

국부적분 샘플링을 통한 데이터 수집과 프로세스 측정

전경남 광주대학교 1997 産業技術硏究 Vol.8 No.-

프로세스 측정에서 아날로그 센서 신호는 샘플링되어야 하고 디지털 프로세싱 전에 양자화 되어야 한다. 본 논문에서는 신호의 국부적분을 통하여 얻는 대체 샘플링 방법을 소개한다. 이 방법은 신호를 제대로 잘 표현해 주며, 스파이크나 잡음 또는 다른 방해에 대하여 비교적 민감하지 않다. In process measuring, analog sensor signals must be sampled and quantized prior to digital processing. Am alternative sampling method, in which the samples are obtained by local integration of the signal, is presented in this paper. This method offers a good representation of the signal, and is relatively insensitive to spike or noise and other disturbances.

ZnSe 단결정에 대한 열자극 발광과 열자극 전류의 동시측정

전경남,유승철,고석룡,신용규,김택성,이춘호 全北大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學 Vol.17 No.-

두 종류의 ZnSe 분말을 사용하여 sublimation 방법으로 성장한 ZnSe 단결정(as grown)에 대하여 TSC와 TSL을 동시 측정하였으며, PL과 DLTS를 측정하였다. PL 측정으로 I_1, I_2와 DAP 발광을 관측하였으며 DLTS에 의한 깊은준위를 관측하였다. TSL과 TSC의 동시 측정으로부터 얻은 그로우 곡선을 점근 해법으로 분해하여 세개의 준위를 얻었으며 그들의 활성화에너지값은 0.22 eV, 0.30 eV, 0.39 eV이었다. PL spectrum과 열자극 완화과정의 동시 측정 결과로부터 0.22 eV 근방에 impurity에 의한 주게준위와 native defect에 의한 받게준위가 각각 전도대의 아래와 가전자대의 위에 존재하는 것으로 판명되었다. DLTS 측정과 동시측정 결과로부터 0.30 eV와 0.39 eV의 준위는 V_se vacancy와 관련되는 주게 준위임을 알았다. Simultaneous measurements of TSL were carried out on ZnSe single crystals grown by high pressure Bridgman technique and the PL and DLTS signals were observed. Photoluminescence spectrum at 10 K on the ZnSe crystal reveals I_1 and I_2 lines, as well as DAP emission line. DLTS spectrum on the ZnSe crystal show electron trap at 0.33 eV. Two TSC and TSL peaks were observed near 215 K and 230 K, which are identified as having originated from two donor trap levels at 0.30 eV and 0.39 eV, respectively, below the bottom of the conduction band. We also observed single TSL and TSC peaks at 150 K which were identified as having originated from a donor and acceptor trap levels at about 0.22 eV below the conduction band and over the top of the valence band, respectively.

영재와 일반학생의 완벽주의에 관한 메타분석

전경남 韓國英才學會 2018 영재교육연구 Vol.28 No.1

The purpose of the current meta-analysis was to synthesize the results of past studies in which the differences in perfectionisms of Korean gifted- and average-students were compared. For this purpose, the mean-effects sizes were calculated and tested separately from the fifteen prior studies for the three dimensions of self-oriented, other-oriented and socially-prescribed perfectionisms as proposed by Hewitt & Flett(1991). In addition, sub-group analyses were conducted to find out whether each of the three mean-effect sizes does significantly differ, depending upon the grade-levels of the participating students in the individual studies. The results of the meta-analyses revealed that self-oriented has the largest and statistically significant mean-effect size among the three dimensions of perfectionism. On the other hand, the results of the subgroup analyses indicated that the mean effect sizes were significantly different only for the case of socially-prescribed perfectionism. Based on the major findings of the meta-analysis, the characteristics and development of Korean gifted students’ perfectionism were discussed, and the future research directions were suggested. 본 연구의 목적은 메타분석의 방법을 사용하여 영재학생과 일반학생의 다차원적 완벽주의 특성의 차이를 알아본 선행연구의 결과를 종합하는 것이다. 이를 위해 본 연구는 Hewitt와 Flett(1991)가 개발한 다차원적 완벽주의 검사도구를 이용하여 영재와 일반학생의 다차원적 완벽주의를 비교한 15편의 선행연구로부터 다차원적 완벽주의의 세 하위요인인 자기지향 완벽주의, 타인지향 완벽주의, 사회부과 완벽주의에 있어 영재학생과 일반학생의 차이에 관한 평균효과크기를 구하였다. 이와 함께 완벽주의의 세 차원에서의 효과크기가 연구참여학생의 학교급에 따라 어떻게 다른지를 알아보는 하위분석을 실시하였다. 메타분석의 결과 자기지향 완벽주의에서 통계적으로 유의미하며 가장 큰 평균효과크기가 관찰되었다. 한편, 하위분석의 결과 사회부과 완벽주의에서만 통계적으로 유의미한 학교급의 차이가 있었다. 이상의 결과를 토대로 우리나라 영재학생들의 완벽주의 특성 및 발달에 관한 논의를 전개하였으며 후속 연구를 위한 제언을 제시하였다.

창의적 사고 기법의 분류 체계에 관한 문헌 고찰

전경남 한국영재교육학회 2011 영재와 영재교육 Vol.10 No.3

오래전부터 창의성의 교육과 개발은 영재교육의 영역에서 뿐만 아니라 일반교육의 영역에서도 매우 중요한 목표로 자리매김하였다. 그런 이유로 창의성을 신장시키기 위한 다양한 접근들이 제시됐는데, 그중에서도 가장 중요한 접근 중의 하나로 고려되어 온 것은 다양한 창의적 사고 기법을 활용한 창의적 사고 능력의 직접적인 개발이다. 이러한 목적을 위해 사용할 수 있는 창의적 사고 기법은 이미 많이 개발되어 있다. 그러나 이들 각각의 창의적 사고 기법에 내재하여 있는 핵심적인 인지적 요소 및 과정이 정확히 무엇이며, 다양한 창의적 사고 기법이 이러한 인지적 요소 및 과정의 측면에서 어떠한 유사점과 차이점을 보이는지에 관한 체계적인 분석과 설명은 아직 부족한 상황이다. 이러한 점에서 창의적 사고 기법에 내재하여 있는 중요한 인지적 요소와 과정을 분석하고, 이들 인지적 과정을 촉진하기 위해 각각의 창의적 사고 기법이 사용하는 중요한 전략과 방법은 무엇인지에 관한 체계적인 분석이 요청된다. 이러한 문제의식에 바탕을 둔 본 연구의 주요 목적은 창의적 사고의 핵심적인 인지적 과정에 관한 이론과 창의적 사고기법의 분류에 관한 기존 문헌을 고찰하여, 창의적 사고의 주요 인지적 과정이 창의적 사고 기법에 관한 분류체계에 어떻게 반영되고 있는지를 살펴보고, 이와 함께 창의성의 주요 인지적 과정에 관한 이론과 기존 분류체계를 통해 생각해 볼 수 있는 교육적, 이론적 함의를 탐색하는 데 있다. Developing creativity is one of the primary goals of education both for gifted and for average students. Accordingly, diverse approaches for creativity education have been suggested. One of the approaches that have been widely adopted is to develop students' creative thinking abilities directly by using diverse creative thinking techniques. To date, a multitude of creative thinking techniques/methods have been developed and used for this approach. However, it has not been clearly analyzed and explained what are the cognitive components and processes that each of these different creative thinking techniques intends to stimulate and develop. The lack of this clear and elaborated explanation could be a major barrier to understanding, selecting, and using each creative thinking technique for different students and educational situations/settings. Thus, there is a call for a research clarifying what are the underlying cognitive components and processed involved different types of creative thinking techniques. Based on this rationale, the present literature review aimed at providing some useful guidelines for choosing and using creativity techniques through a critical, comprehensive analysis of the exiting literatures on the theories of creative cognition and the literatures on the classifications of creative thinking techniques. Based on the findings of the literature review, this review also intended to suggest some important educational and theoretical implications, especially focusing on the wise and appropriate selection and uses of different creative thinking techniques.

산화아연 결정에서 표면현상에 대한 해석

전경남 광주대학교 1997 産業技術硏究 Vol.9 No.-

산화아연 결정에서 전계효과 이동도와 표면에서의 광도전율이 표면의 전자축적에 의해 크게 증가된다. 주입된 전자의 일부분만 전도대역에 남아있고, 대부분은 표면준위에서 트래핑 된다는 것이 이제까지의 설명이었다. 표면준위 트래핑 현상에 관하여 보상모델에서는 대역의구배가 변화하는 동안 벌크(bulk) 결함이 축적층 내부의 전하조건을 변화시키는 것으로 대체된다. 도전율의 온도 의존성과 Hall 효과로부터 벌크 결함준위를 계산하였다. 보상모델에 의한 공간전하층은 이전의 이론에 의한 추정보다 훨씬 얇게 나타났다. Surface photoconductivity and field effect mobility on zinc oxide crystals increase for several orders of magnitude with electron accumulation. Previous explanation was only a small fraction of the injected electrons appears in the conduction band whereas the main part is trapped by surface states. In the compensation model the trapping action of the surface states is replaced by that of bulk defects changing their charge condition within an accumulation layer during variations of band bending. From the temperature dependence of conductivty and Hall effect bulk defect levels are evaluated. As a result of compensation model space charge layers are much thinner than previously assumed.

광통신 모듈용 분포 귀환형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작 및 소자 특성평가

전경남,김근주 한국반도체디스플레이기술학회 2011 반도체디스플레이기술학회지 Vol.10 No.4

We fabricated distributed feedback InGaAsP/InP laser diodes for optical fiber communication module and characterized the lasing properties in continuous wave operation. The active layer of 7-period InGaAsP(1.127 eV)/InGaAsP(0.954 eV) multi-quantum well structure was grown by the metal-organic chemical vapor deposition. The grating for waveguide was also fabricated by the implementation of the Mach-Zehender holographic method of two laser beams interference of He-Cd laser and the fabricated laser diode has the dimension of the laser length of 400 ㎛ and the ridge width of 1.2 ㎛. The laser diode shows the threshold current of 3.59 mA, the threshold voltage of 1.059 V. For the room-temperature operation with the current of 13.54 mA and the voltage of 1.12 V, the peak wavelength is about 1309.70 nm and optical power is 13.254 mW.

[행복 일기] 뒷다리가 최고야

전경남 샘터사 2005 월간 샘터 Vol.426 No.-