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- 저자 : 고석룡 (검색결과 3 건)
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HWE 방법에 의한 ZnSe/GaAs(100)의 성장과 특성
전경남,고석룡,이경준,정원기,두하영,이춘호 한국결정성장학회 1996 韓國結晶成長學會誌 Vol.6 No.1
두 개의 증발료가 설치된 hot wall epitaxy 장치를 제작하고 GaAs 기판위에 undoped ZnSe 박막을 성장하였다. 기판온도 $350^{\circ}C$, 원료부의 온도 $660^{\circ}C$ 근방에서 성장된 경 연박막의 XRD 측정값은 175 $sec^{-1}$의 반치폭을 냐타내 였다. Photoluminescence 측정 결과 neu t tral acceptor bound exciton emission line이 강하게 얻어지는 양질의 박막을 성장하였다. A hot wall epitaxy (HWE) apparatus with double source tubes was manufactured. This apparatus can be used to grow two kinds of epilayers at the same time or to grow heterostructures and multilayers. Undoped ZnSe single crystal films were grown on GaAs(100) substrates byusing this apparatus. SEM, XRD and PL analyses indicated that epilayers had good crystalline and optical quality. The epilayers grown at the source temperature 660 .deg. C and the substrates temperature $350^{\circ}C$. in $2 {\times} 10^{-6}$ toor were mirror like and good quality. PL measurements show that the crystalline qualityis comparable with that of the ZnSe/GaAs epilayer grown by molecular beam epitaxy.
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ZnSe 단결정에 대한 열자극 발광과 열자극 전류의 동시측정
전경남,유승철,고석룡,신용규,김택성,이춘호 全北大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學 Vol.17 No.-
두 종류의 ZnSe 분말을 사용하여 sublimation 방법으로 성장한 ZnSe 단결정(as grown)에 대하여 TSC와 TSL을 동시 측정하였으며, PL과 DLTS를 측정하였다. PL 측정으로 I_1, I_2와 DAP 발광을 관측하였으며 DLTS에 의한 깊은준위를 관측하였다. TSL과 TSC의 동시 측정으로부터 얻은 그로우 곡선을 점근 해법으로 분해하여 세개의 준위를 얻었으며 그들의 활성화에너지값은 0.22 eV, 0.30 eV, 0.39 eV이었다. PL spectrum과 열자극 완화과정의 동시 측정 결과로부터 0.22 eV 근방에 impurity에 의한 주게준위와 native defect에 의한 받게준위가 각각 전도대의 아래와 가전자대의 위에 존재하는 것으로 판명되었다. DLTS 측정과 동시측정 결과로부터 0.30 eV와 0.39 eV의 준위는 V_se vacancy와 관련되는 주게 준위임을 알았다. Simultaneous measurements of TSL were carried out on ZnSe single crystals grown by high pressure Bridgman technique and the PL and DLTS signals were observed. Photoluminescence spectrum at 10 K on the ZnSe crystal reveals I_1 and I_2 lines, as well as DAP emission line. DLTS spectrum on the ZnSe crystal show electron trap at 0.33 eV. Two TSC and TSL peaks were observed near 215 K and 230 K, which are identified as having originated from two donor trap levels at 0.30 eV and 0.39 eV, respectively, below the bottom of the conduction band. We also observed single TSL and TSC peaks at 150 K which were identified as having originated from a donor and acceptor trap levels at about 0.22 eV below the conduction band and over the top of the valence band, respectively.
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