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鄭大華 동북아시아문화학회 2001 동북아시아문화학회 국제학술대회 발표자료집 Vol.- No.-
이 논문은 제1차 세계대전이 동아시아 사상계(주로 중국)에 미친 영향을 다루었다. 전쟁의 결과 서양 문화에 대한 위기 의식이 일어나고, 동방 문화가 세상을 구제할 수 있다는 주장이 대두하는 현상에 주목한 것이다. 전쟁 후 중국 사상계에는 동서양 문화에 대한 인식의 변화가 일어났고, 이에 따라 문화보수주의 사조가 홍성 하였다. 이런 중국 사회 문화 사조의 변동 연구는 기존 학계가 제1차 세계대전과 중국 자본주의의 발전 혹은 제1차 세계대전과 중국 정치 구조의 변화의 문제에 주력한 것에서 한 걸음 더 나아간 것이다. 동시에 중국 현대 사상사의 태동에 관한 이 연구는 동서 문화 교류사 분야에서도 일정한 의미가 있을 것이다. 이 발표는 (1) 제1차 세계대전 이전의 중국인의 서양 문화에 대한 태도, (2) “서양의 몰락”과 “동방 문화 救世論”의 등장, (3) “서양의 몰락”의 중국 사상계에 대한 영향, (4) 문화보수주의 사조의 발전, (5) 서양 인본주의 사상의 수용과 영향, (6) 전후 중국 사회 문화 사조의 변동이란 순서로 진행할 것이다. 발표의 전반부에서는 근대 중국인들이 西化를 중국 문화의 출구로 생각할 즈음 돌연 유럽에서 발생한 제1차 세계 대전이 중국에 미친 영향을 다루었다. 전쟁이 인류에게 미친 엄청난 재난은 세기말적인 분위기를 만들어 내었으며, 이런 분위기는 중국인들도 서양을 배워야겠다는 기존의 생각에 의문과 회의를 자아냈다 그리고 서양 사회에서 유행한 “동방 문화 구세론”은 중국 사상계에 중요한 영향을 미쳐 서양 문화를 비판하는 문화보수주의자들을 등장시켰다. 대표적인 인물이라면 梁啓超 梁漱溟 張君? 章土釗 등을 들 수 있을 것이다. 더구나 서양 인본주의 사상이 대규모로 체계적으로 수용되면서 문화보수주의자들은 신문화 운동을 비판하는 이론적 무기를 발견할 수 있었다. 발표의 후반부에서는 전후 중국 사회 문화 사조의 변동에 대해 주로 다루었다. 그 특징을 몇 가지만 언급하자면 첫째, 진화론이 비평을 받고, 互助論이 환영을 받았다; 둘째, 각종 사회주의 사상들이 대두하였다; 셋째, ‘科學萬能論’이 비판을 받았다; 넷째, 이른바 ‘文化取代論’이 냉대를 받았다는 사실 등을 들 수 있을 것이다. 그리고 전후 동서문화 조화론과 보완론이 등장하고 유행하면서 중국 사상 문화 발전에 큰 영향을 미치게 되었다. 비록 胡適이나 陳序經 등의 비판도 있었지만 이미 문화보수주의 사조는 적지 않은 사람들에게 받아들여져 오늘날 문화 문제에 관련 토론 가운데서 여전히 그 영향력을 실감할 수 있다.
정대화,박혜지,문지훈,박종후,강상우,김태완 한국진공학회 2017 Applied Science and Convergence Technology Vol.26 No.5
The two-dimensional layered MoS2 has high mobility and excellent optical properties, and there has been much research on the methods for using this for next generation electronics. MoS2 is similar to graphene in that there is comparatively weak bonding through Van der Waals covalent bonding in the substrate-MoS2 and MoS2-MoS2 heteromaterial as well in the layer-by-layer structure. So, on the monatomic level, MoS2 can easily be exfoliated physically or chemically. During the MoS2 field-effect transistor fabrication process of photolithography, when using water, the water infiltrates into the substrate-MoS2 gap, and leads to the problem of a rapid decline in the material’s yield. To solve this problem, an epoxy-based, as opposed to a water-based photoresist, was used in the photolithography process. In this research, a hydrophobic MoS2 field effect transistor (FET) was fabricated on a hydrophilic SiO2 substrate via chemical vapor deposition CVD. To solve the problem of MoS2 exfoliation that occurs in water-based photolithography, a PPMA sacrificial layer and SU-8 2002 were used, and a MoS2 film FET was successfully created. To minimize Ohmic contact resistance, rapid thermal annealing was used, and then electronic properties were measured.